Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg[[d]]3[[/d]]Te[[d]]2[[/d]]Cl[[d]]2[[/d]] crystals [Text] / O. V. Bokotey [et al.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 907-914 : рис. 6. - Бібліогр.: с. 913-914 (18 назв)
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормовані):
band structure -- point defects -- gap -- absorption edge -- optical transactions -- смугова структура кристалів -- точкові дефекти кристалів -- край поглинання -- оптичні переходи -- електронна структура кристалів -- квантово-хімічний програмний пакет SIESTA -- полосная структура кристаллов -- точечные дефекты кристаллов -- електронна структура кристалів -- край поглощения -- оптические переходы -- квантово-химический программный пакет SIESTA
Анотація: Представлено результати розрахунків в рамках теорії функціонала густини для дослідження впливу точкових дефектів на електронну структуру кристалів Hg[[d]]3[[/d]]Te[[d]]2[[/d]]Cl[[d]]2[[/d]] з використанням моделі суперкомірки [2х2х1]. Вперше проведено ab initio розрахунки для бездефектних та дефектних кристалів Hg[[d]]3[[/d]]Te[[d]]2[[/d]]Cl[[d]]2[[/d]] в наближенні локальної густини, використовуючи квантово-хімічний програмний пакет SIESTA. Досліджувальний кристал є непримозонним напівпровідником. Згідно з аналізом отриманих даних, величини непрямого та прямого переходів становлять 2,628 еВ та 2,714 еВ відповідно. Вплив дефектів вакансій на провідні та оптичні властивості кристалів Hg[[d]]3[[/d]]Te[[d]]2[[/d]]Cl[[d]]2[[/d]] обговорюється в деталях. Дефектні стани вакансій телуру та хлору створюють додаткові енергетичні рівні нижче дна зони провідності. Результати дослідження показують, що тільки вакансії телуру створюють додаткові енергетичні рівні в околі вершини валентної зони. Встановлено, що присутність точкових дефектів в кристалах Hg[[d]]3[[/d]]Te[[d]]2[[/d]]Cl[[d]]2[[/d]] змінює напрямок оптичних переходів і тому дефектний кристал є прямозонним напівпровідником. Одержано задовільне узгодження з експериментальними даними.


Дод.точки доступу:
Bokotey, O. V.; Vakulchak, V. V.; Bokotey, A. A.; Nebola, L. I.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)