Козинець, О. В. Фізичні властивості кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основі "глибокого" p-n-переходу / О. В. Козинець // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 318-325 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 324-325 (21 назва). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Фотоелектроніка Фотоэлектроника Кл.слова (ненормовані): сонячні елементи -- кремнієвий p-n-перехід -- фотострум -- швидкість поверхневої рекомбінації -- солнечные элементы -- кремниевый р-n-переход -- фототок -- скорость поверхностной рекомбинации Анотація: Обгрунтовано можливість використання кремнієвого переходу для ефективних сенсорних структур. Показано, що в умовах опромінення світлом з області сильного поглинання фотострум суттєво залежить від рекомбінаційних характеристик та зарядового стану поверхні у випадку оптимальних параметрів переходу. Визначено, що товщина освітлювальної області для такої структури повинна перевищувати довжину дифузії неосновних носіїв заряду. Визначено також, що більшій довжині дифузії відповідають більші зміни фотоструму при адсорбції на робочій поверхні. З використанням числового моделювання проаналізовано можливість зміни області застосування переходу від фотоперетворювача до сенсорної структури при певному виборі його параметрів. Обговорено фізичні механізми, які можуть пов'язувати зміни ефективної швидкості із процесами адсорбції полярних молекул. Сенсорні властивості запропонованих структур досліджено для декількох аналітів. Експериментально продемонстровано придатність такої структури для створення хімічних сенсорів, які мають функцію селективності та підтримують концепцію електронного носу. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\6.pdf Дод.точки доступу: Литвиненко, С. В.; Скришевський, В. А. |