Trubaieva, O. G. Band gap change of bulk ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 32-36 : рис. 4, табл. 1. - Бібліогр.: с. 35-36 (28 назв.). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Оптичні властивості і спектри Оптические свойства и спектры Кл.слова (ненормовані): ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] -- bulk crystals -- об'ємні кристали -- обьемные кристаллы -- direct transitions -- прямі переходи -- прямые переходы -- indirect transitions -- непрямі переходи -- непрямые переходы -- band gap -- заборонена зона -- запрещенная зона Анотація: Об'ємні кристали ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] були вирощені за методом Бриджмена-Стокбаргера. Прозорість зразків ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] становила від 67% до 56% на ? = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якість кристалів. Оптичні експерименти показали відсутність нових станів з включенням сірки, заборонена зона безперервно рухається зі складом. Оптична ширина забороненої зони ZnS[[d]]x[[/d]]Se[[d]]1-x[[/d]] кристала варіювалася від 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходів і від 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходів. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\4.pdf Дод.точки доступу: Lalayants, A. I.; Chaika, M. A. |