Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В. П. Семиноженко [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 89-95 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Фізика Фізика напівпровідників і діелектриків Кл.слова (ненормовані): материаловедение -- матеріалознавство -- электролюминесцентные гетероструктуры -- електролюмінесцентні гетероструктури -- полидиктилфлуорены -- полідіктілфлуорени -- градиентные квантовые точки -- градієнтні квантові точки -- полупроводники -- напівпровідники -- диэлектрики -- діелектрики -- OLED-структуры -- OLED-структури -- электролюминесцентные излучатели -- електролюмінесцентні випромінювачі Анотація: Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПИ" Дод.точки доступу: Семиноженко, В. П. (академик НАН Украины); Матвиенко, О. О.; Крыжановская, А. С.; Саввин, Ю. Н.; Погорелова, Н. В.; Ващенко, В. В.; Толмачев, О. В. (член-корреспондент НАН Украины) |