Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

у знайденому

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (19)

Мережеві ресурси (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=НАПІВПРОВІДНИКИ<.>

Загальна кількість знайдених документів : 18
Показані документи с 1 за 10

1-10 11-18

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 621.315.592
Автор(и) : Баранський П. I., Гайдар Г. П.
Назва : Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
Серія: Фізика
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - Київ, 2012. - № 10. - С. 64-69: ил. - ISSN 1025-6415. - ISSN 1025-6415
Примітки : Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметні рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Енергетика
Напівпровідникові матеріали та вироби
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 537.311.33
Автор(и) : Семиноженко В. П., Матвиенко О. О., Крыжановская А. С., Саввин Ю. Н., Погорелова Н. В., Ващенко В. В., Толмачев О. В.
Назва : Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
Серія: Матеріалознавство
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - Київ, 2013. - № 1. - С. 89-95: ил. - ISSN 1025-6415. - ISSN 1025-6415
Примітки : Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
УДК : 537.311.33
ББК : 22.379
Предметні рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Фізика
Фізика напівпровідників і діелектриків
Анотація: Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 621.38
Автор(и) : Васильев, Игорь
Назва : Мощные высоковольтные полупроводники от IXYS в SMD-корпусах
Місце публікування : Радиоаматор. - К., 2013. - № 6. - С. 27: ил. - (Электронные компоненты)
Примітки : В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
ДРНТІ : 47
УДК : 621.38
Предметні рубрики: Электроника
Електроніка
Анотація: О запуске полупроводников в силовых полупроводниковых приборах с более высоким напряжением для энергоэффективных продуктов в корпусах с более высоким током утечки.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 621.315.592
Автор(и) : Гайдар Г. П., Баранський П. І.
Назва : Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
Місце публікування : Доповіді Національної Академії наук України: Науково-теоретичний журнал/ Президія Національної академії наук України. - Київ, 2015. - № 6. - С. 68-73: ил. - ISSN 1025-6415. - ISSN 1025-6415
Примітки : Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметні рубрики: Фізика
Напівпровідникові матеріали та вироби
Физика
Полупроводниковые материалы и изделия
Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 53
Автор(и) : Савкіна Р. К., Смірнов О. Б.
Назва : Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті
Серія: Фізика
Місце публікування : Доповіді Національної Академії наук України: Науково-теоретичний журнал/ Президія Національної академії наук України. - Київ, 2015. - № 7. - С. 70-78: ил. - ISSN 1025-6415. - ISSN 1025-6415
Примітки : Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметні рубрики: Фізика
Загальні питання фізики
Физика
Общие вопросы физики
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): ультразвукова кавітація--оптоелектроніка--напівпровідники--кріогенна рідина--кавітаційні порожнини--фоточутливість--кремній--акустична кавітація--ультразвуковая кавитация--оптоэлектроника--полупроводники--криогенная жидкость--кавитационные полости--фоточувствительность--кремний--акустическая кавитация
Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см[[p]]2[[/p]]), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Tonkoshkur A. S., Lyashkov A. Yu., Degtyaryov A. V.
Назва : Size effects in electrical properties of carbon-polypropylene composites
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 11. - С.1013-1021: рис. 7 (Шифр У7/2016/61/11)
Примітки : Бібліогр.: с. 1019-1020 (50 назв)
УДК : 53 + 621.315.5
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Провідники і напівпровідники з вигляду матеріалу
Проводники и полупроводники по виду материала
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): composite--carbon filler--conductivity--dielectric permittivity--interphase layer--композит--діелектричні спектри композитів--композити на основі поліпропілену--вуглецевий наповнювач--провідність--діелектрична проникність--міжфазний шар--діелектрічні спектри композітів--композити на основе поліпропілену
Анотація: Наведено температурні залежності опору, вольт-амперні характеристики й діелектричні спектри композитів на основі поліпропілену й наповнювачів з мікро- і нанорозмірних вуглецевих частинок. Зменшення середнього розміру частинок провідникового наповнювача при інших однакових умовах приводить до зменшення абсолютних значень питомого електричного опору; зсуву позисторної ділянки вольтамперної характеристики убік меншої напруженості електричного поля й більших струмів і зростання низькочастотної діелектричної проникності досліджених композитів. Показано, що однією з інтерпретацій прояву такого "розмірного" ефекту можуть бути уявлення про збільшення ефективної об'ємної долі провіднкового наповнювача внаслідок існування в поліпропіленовій матриці міжфазного прикордонного шару з відмінними від об'ємного поліпропілену електричними властивостями, у якому можливе переміщення носіїв заряду. Тобто зміни розміру частинок вуглецю ведуть до зміни питомої поверхні та ефективної долі провідникового наповнювача.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Horichok I. V., Hurhula H. Ya., Prokopiv V. V., Pylyponiuk M. A.
Назва : Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 11. - С.997-1012: табл. 7 (Шифр У7/2016/61/11)
Примітки : Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)
УДК : 53 + 539.2
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): semiconductors--point defects--defect formation energy--huckel method--напівпровідники--точкові дефекти--енергія появи дефектів--метод хюккеля--хюккеля метод
Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А[[p]]ІІ[[/p]]В[[p]]VI[[/p]], А[[p]]III[[/p]]В[[p]]V[[/p]] та А[[p]]IV[[/p]]В[[p]]VI[[/p]]. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Кулышев А. М., Черникова И. Д., Черников Н. Г.
Назва : Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов
Місце публікування : Вісник Східноукраїнського національного університету ім. Володимира Даля. - Луганськ: Вид-во Східноукраїнського національного університету ім. Володимира Даля, 2016. - № 2. - С. 112-123: рис. (Шифр В39/2016/2)
Примітки : Библиогр. в конце ст.
УДК : 535.247:535.243
Предметні рубрики: Оптика
Фотометрия
Фотометрія
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): фотоэмиссия--фотоемісія--квантовый выход--квантовий вихід--распределение электронов по энергиям--розподіл електронів по енергіях--спектральный анализ--спектральний аналіз--работа выхода--робота виходу--загиб зон--загин зон--полупроводники--напівпровідники--полупроводниковые фотодетекторы--напівпровідникові фотодетектори
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Morozovska A. N., Glinchuk M. D., Varenyk O. V., Udod A., Scherbakov C. M., Kalinin S. V.
Назва : Flexoelectric effect impact on the hysteretic dynamics of the local electromechanical response of mixed ionic-electronic conductors
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 4. - Р.326-334: рис. 4
Примітки : Бібліогр.: с. 333-334 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 53 + 539
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): flexoelectric effect--mixed ionic-electronic moderate conductors--thin films--nanoparticles--electrochemical strain microscopy--флексоелектричний ефект--флексоэлектрический эффект--напівпровідники з іонно-електронною провідністю--наполупроводники с ионно-электронной проводимостью--тонкі плівки--тонкие пленки--наночастинки--наночастички--електромеханічна деформаційна мікроскопія--электромеханическая деформационная микроскопия
Анотація: Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, зпричинених флексоефектом є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. В статті аналізуються відповідні механізми, які регулюють зміни концентрата зміщення (розширення Вегадра, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів і інших зовнішніх умов. Чисельне моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, і до появи складних скручених петель гістерезису.
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\7.pdf
Знайти схожі

10.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Бойчук В. І., Білинський І. В., Пазюк Р. І.
Назва : Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342: рис. 5
Примітки : Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 621.315.592
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Напівпровідники
Полупроводники
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): квантові точки--надгратки--електронні стани--мінізона--електрична провідність--квантовые точки--сверхрешетки--электронные состояния--минизоны--электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf
Знайти схожі

1-10 11-18

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)