Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=Шоттки барьер<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Ільченко В. В., Костюкевич О. М., Лендєл В. В., Радько В. І., Голобородько Н. С.
Назва : Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In[[d]]2[[/d]] O[[d]]3[[/d]] + 5% SnO[[d]]2[[/d]])
Місце публікування : Український фізичний журнал: науковий журнал/ Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 1. - С. 40-45: рис. 3 (Шифр У7/2016/61/1)
Примітки : Бібліогр.: с. 45 (19 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Полупроводниковые приборы
Напівпровідникові прилади
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): газові сенсори--адсорбція--діелектрична проникність--електричні сили зображення--використання якостей твердого тіла--напівпровідникова електроніка--бар'єр шотткі--шотткі бар'єр --газовые сенсоры--адсорбция--диэлектрическая проницаемость--электрические силы изображения--барьер шоттки--шоттки барьер--использование свойств твердого тела--полупроводниковая электроника
Анотація: Проведено експериментальні дослідження електрофізичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni - (95% In[[d]]2[[/d]] O[[d]]3[[/d]] + 5% SnO[[d]]2[[/d]]) - p-Si. Аналіз їх вольтамперних характеристик, отриманих у різних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмів крізь зразки в присутності пари етилового та ізопропілового спиртів. Для пояснення цих змін розглянуті різні механізми протікання струму крізь гетероперехід. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гілок ВАХ даних зразків відіграють зміни висоти потенціального бар'єра гетеропереходу, спричинені зміною дії сил електростатичного зображення в інтерфейсі. А зміни дії сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовлені впливом адсорбату на діелектричну проникність оксидних плівок.
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)