Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повний інформаційнийкороткий
Пошуковий запит: <.>K=надкомпенсовані напівпровідники<.>
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Tursunov I. G.
Назва : Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036
Примітки : Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 539
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): deformation--методи деформації--методы деформации--impurities--домішки--примеси--strain resistance--стійкість до опору--сопротивление деформации--hydrostatic pressure--гідростатичний тиск--гидростатическое давление--параметры глубокого уровня--параметри глибокого рівня--компенсовані напівпровідники--компенсованніе полупроводники--надкомпенсовані напівпровідники--надкомпенсованные полупроводники
Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf
Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)