Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=стійкість до опору<.>

Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Zainabidinov S., Mamatkarimov O. O., Khimmatkulov O., Tursunov I. G.
Назва : Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 11. - С. . 951-954: рис. 2
Примітки : Бібліогр.: с. 954 (4 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 539
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): deformation--деформація--деформация--impurities--домішки--примеси--strain resistance--стійкість до опору--сопротивление деформации--опір деформації--elastic compression--пружне стискування--упругое сжатие--монокристальный кремний--монокристальний кремній--тензоэлектрические свойства--тензоелектричні властивості
Анотація: Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих та термічно оброблених зразках Si:Zn i Si:Zn, Mn при одновісному пружному стискуванні. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв при стиску навколо кристалографічної осі [III] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів.
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\5.pdf
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Tursunov I. G.
Назва : Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
Місце публікування : Український фізичний журнал. - Київ, 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036
Примітки : Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК : 539
Предметні рубрики: Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): deformation--методи деформації--методы деформации--impurities--домішки--примеси--strain resistance--стійкість до опору--сопротивление деформации--hydrostatic pressure--гідростатичний тиск--гидростатическое давление--параметры глубокого уровня--параметри глибокого рівня--компенсовані напівпровідники--компенсованніе полупроводники--надкомпенсовані напівпровідники--надкомпенсованные полупроводники
Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими
Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)