Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

у знайденому

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Физика твердого тела. Кристаллография в целом<.>

Загальна кількість знайдених документів : 65
Показані документи с 1 за 20

1-20 21-40 41-60 61-65

Нестеров, А. А.
Метастабильное состояние стеклокерамики Li2O− 11.5GeO2 с повышенной электропроводностью [Электронный ресурс] / А. А. Нестеров, М. П. Трубицын, Д. М. Волнянский // Физика твердого тела. - 2015. - Т. 57, Вып. 4. - С. 668-673. - Режим доступа: http://eadnurt.diit.edu.ua/jspui/bitstream/123456789/3884/1/Nesterov_Trubitsyn_Volnyanskiy.pdf. - Полный текст (309,98 kB)

УДК

539.2

Рубрики: Физика
   Фізика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
физика -- фізика -- кристаллография -- кристалографія -- стекло -- скло -- энергия активации -- енергія активації -- полная энергия кристалла -- повна енергія кристалу -- труды ДИИТа -- праці ДІІТу -- КФ

Перейти к внешнему ресурсу: Полный текст (309,98 kB)

Дод.точки доступу:
Трубицын, М. П.; Волнянский, Д. М.

Знайти схожі

Нестеров, А. А.
Спектры комплексного импеданса стекла и стеклокерамики Li2O−11.5GeO2 [Электронный ресурс] / А. А. Нестеров, М. П. Трубицын, С. Н. Пляка, Д. М. Волнянский. - [Б. м. : б. в.]. - Б. ц.

УДК

539.2

Рубрики: Физика
   Фізика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
физика -- фізика -- стекло -- скло -- энергия активации -- енергія активації -- полная энергия кристалла -- повна енергія кристала -- праці ДІІТу -- труды ДИИТа -- КФ

Перейти к внешнему ресурсу: Полный текст (222,98 kB)

Дод.точки доступу:
Трубицын, М. П.; Пляка, С. Н.; Волнянский, Д. М.
Знайти схожі

Ahmed, A.
Microwaves in structured metamaterials: supeluminal, slow, and backward waves [Text] / A. Ahmed, V. N. Mal'nev, B. Mesfin // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 131-139 : рис. 11. - Бiблiогр.: с. 139 (23 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
structured metamaterials -- supeluminal waves -- slow waves -- backward waves -- структуровані метаматеріали -- структурированные метаматериалы -- понадсвітові хвилі -- сверхсветовые волны -- повільні хвилі -- медленные волны -- зворотні хвилі -- обратные волны -- дисперсійні властивості метаматеріалів -- дисперсионные свойства метаматериалов
Анотація: The dispersion properties of structured metamaterials consisting of strips of a copper wire (electron subsystem) and square copper split-ring resonators (magnetic subsystem) with different and coinciding resonant frequencies are studied. In a narrow frequency band above the resonant frequency of the electron subsystem, the structured metamaterial is described by a negative refractive index. In addition to this, there are some peculiar properties observed in these metamaterials. Among these properties is the nonanalytic behavior of the real part of the refractive index as a function of the frequency with a discontinuity of its derivative in the metamaterial with two resonances. It is also shown that the superluminal, slow, and backward microwaves can exist in the structured metamaterials. However, in the absence of gain components, only the slow microwaves can propagate considerably.
Досліджуються дисперсні властивості структурованих метаматеріалів, що складаються зі смужок з мідних дротиків (електронна підсистема) і квадратних резонаторів з мідним розрізаним кільцем (магнітна підсистема) з різними і збігаючими резонансними частотами. У вузькій смузі частот вище резонансної частоти електронної підсистеми структуровані метаматеріали характеризуються негативним індексом заломлення. В цих метаматеріалів виявлено також таку особливу властивість, як неаналітичність дійсної компоненти індексу заломлення як функції частоти з особливою точкою її похідної в метаматеріалі з двома резонансами. Показано, що в структурованих метаматеріалах можуть поширюватися суперсвітові, повільні і зворотні мікрохвилі. Однак за відсутності підживляючих компонент, істотно тільки поширення повільних мікрохвиль.

Дод.точки доступу:
Mal'nev, V. N.; Mesfin, B.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Chornyi, V. S.
Frequency response of split-ring resonators at different types of excitations in Ka-band [Text] / V. S. Chornyi // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 46-51 : рис. 5, табл. 2. - Бібліогр.: с. 50-51 (23 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
подвійний кільцевій резонатор -- Ка-діапазон -- метаматеріал -- ефект поперечної поляризації -- електромагнітне моделювання -- магнітне збудження -- електричне збудження -- електричний резонанс -- двойной кольцевой резонатор -- Ка-диапазон -- метаматериал -- эффект поперечной поляризации -- магнитное возбуждение -- электрическое возбуждение -- электрический резонанс
Анотація: У даній роботі досліджено частотний відгук подвійних кільцевих резонаторів (ПКР) при різних типах збудження. Конструктивні параметри ПКР були отримані за допомогою електромагнітного моделювання. Два односторонні та два двосторонні зразки ПКР були експериментально досліджені при магнітному, електричному збудженнях та при їх комбінації. Було показано, що для отримання якнайширшої резонансної смуги потрібно використовувати комбінацію магнітного та електричного збуджень. Отримана ширина резонансу досягає 10 ГГц. Продемонстровано, що двосторонні структури, попри теоретичні припущення, мають залишковий електричний резонанс. Оскільки глибина резонансу менша за -6 дБ, то ним можна знехтувати, але потрібно врахувати вплив при комбінації двох збуджень.

Дод.точки доступу:
Skripka, S. L.; Nechyporuk, O. Y.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Закарян, Д. А.
Роль межфазного взаимодействия в теории квазибинарных эвтектик / Д. А. Закарян // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2016. - № 12. - С. 50-56 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
метод псевдопотенциалов -- метод псевдопотенціалів -- внутренняя энергия -- внутрішня енергія -- межфазное взаимодействие -- міжфазна взаємодія -- квазибинарная система -- квазібінарні системи -- эвтектика -- евтектика
Анотація: В рамках единой теории, основанной на методе псевдопотенциалов, построен термодинамический потенциал эвтектического композита. Исследовано влияние межфазных взаимодействий на концентрацию и температуру материала в точке эвтектики. Предложена новая трактовка механизма образования эвтектики.

Знайти схожі

Колодницька, Р. В.
Мультифрактальний аналіз відбитків крапель розпиленого дизельного палива різного хімічного складу [Текст] / Р. В. Колодницька, В. Б. Крижанівський, П. П. Москвін // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 3. - С. 236-243 : рис. - Бібліогр.: с. 242-243 (10 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.21

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
аерозольні системи -- властивості твердого тіла -- властивості молекулярних систем -- свойства твердого тела -- крапельні паливно-повітряні суміші -- свойства молекулярних систем -- зародження, зростання і розчинення кристалів -- зарождение, рост и растворение кристаллов -- дослідження структури матеріалів -- металографія -- дослідження неметалічних матеріалів -- исследование неметаллических материалов -- металлография -- исследования структуры материалов -- фрактальні стани в розпиленій рідкій фазі -- мультифрактальний аналіз -- аэрозольные системы -- капельные топливно-воздушные смеси -- фрактальные состояния в распыленной жидкой фазе -- мультифрактальный анализ
Анотація: Реалізовано метод мультифрактального (МФ) аналізу площі поверхні відбитків крапель розпиленого дизельного палива, що отримані на поверхні скляної пластинки, покритої шаром кіптяви. Вхідною інформацією для МФ аналізу слугують фотографічні зображення отриманих відбитків. Знайдено параметри МФ спектрів площі поверхні відбитків в залежності від складу суміші дизельного та біопалива. Показано, що МФ функції системи відповідають своїм канонічним формам, а розроблена числова методика може застосовуватись для кількісних оцінок та аналізу параметрів стану площі просторових фрактальних форм, що утворюються у аерозольній паливно-повітряній системі. Виявлені кількісні взаємозв'язки між параметрами МФ спектрів і хімічним складом розпиленого палива.

Дод.точки доступу:
Крижанівський, В. Б.; Москвін, П. П.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Dzyublik, A. Ya.
Laue diffraction of spherical mossbauer waves / A. Ya. Dzyublik // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 9. - С. 832-840 : рис. 5. - Бiблiогр.: с. 840 (27 назв)

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
Mossbauer effect -- Laue diffraction -- spherical wave -- Borrmann triangle -- y-photon wave function -- Мессбауерівський ефект -- мессбауерівські промені -- дифракція Лауе -- сферична хвиля -- трикутник Бормана -- хвильова функція у-фотона -- обчислення хвильової функції гамма-фотонів -- кристали із сильним ядерним поглинанням -- резонансне ядерне розсіяння -- релеївське ядерне розсіяння -- інтерференційні осциляції інтенсивності дифрагованого пучка -- прецизійні вимірюваня параметрів кристала -- Мессбауэровский эффект -- мессбауеровськие лучи -- дифракция Лауэ -- сферические волны -- треугольник Бормана -- волновая функция ?-фотона -- вычисления волновой функции гамма-фотонов -- кристаллы с сильным ядерным поглощением -- резонансное ядерное рассеяние -- релеевське ядерное рассеяние -- интерференционные осцилляции интенсивности дифрагированного пучка -- прецизионные измерения параметров кристалла
Анотація: В наближенні сферичних хвиль аналізується симетрична дифракція Лауе мессбауерівських променів. Для обчислення хвильової функції гамма-фотонів у межах трикутника Бормана в товстому кристалі із сильним ядерним поглинанням використовується метод перевалу. Враховується як релеївське, так і резонансне ядерне розсіяння. Показано, що у випадку релеївського розсіяння мессбауерівського випромінювання виникають інтерференційні осциляції інтенсивності дифрагованого пучка, які можна використовувати для прецизійних вимірювань параметрів кристала.

Дод.точки доступу:
Spivak, V. Yu

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Курилюк, В. В.
Розрахунок теплопровідності а-SiO₂ та нанокомпозита на його основі методом молекулярної динаміки / В. В. Курилюк, С. С. Семчук // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 9. - С. 841-848 : рис. 5, табл. 3. - Бібліогр.: с. 847-848 (28 назв)

УДК

536.21

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
коефіцієнт теплопровідності -- теплопровідність твердих тіл -- молекулярна динаміка -- нанокомпозит -- аморфний SiO₂ -- нанокристал -- метод нерівноважної молекулярної динаміки -- взаємодія Біста-Крамера-Сентена -- взаємодія Терсоффа -- взаємодія Вашишти -- кремнієві нанокристали -- поділ матриці-нанокристалу -- коэффициент теплопроводности -- теплопроводность твердых тел -- молекулярная динамика -- аморфный SiO₂ -- нанокристалл -- метод неравновесной молекулярной динамики -- взаимодействие Биста-Крамера-Сентэна -- взаимодействие Терсоффа та Вашишти -- взаимодействие Вашишти -- кремниевые нанокристаллы -- разделение матрицы-нанокристаллов
Анотація: За допомогою методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано теплопровідність амфорного SiO₂ в широкому інтервалі температур з використанням емпіричних потенціалів міжатомної взаємодії Біста-Крамера-Сентена, Терсоффа та Вашишти. З використанням потенціалу Терсоффа розраховано теплопровідність композита на основі амфорного SiO₂ з нанокристалами Si. Показано, що зі збільшенням об'ємної частки кремнієвих нанокристалів теплопровідність нанокомпозита спочатку зменшується, досягає мінімуму і починає поступово зростати. Отримані результати пояснено з точки зору розсіювання теплових коливань на межах поділу матриця-нанокристал.

Дод.точки доступу:
Семчук, С. С.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Горкавенко, Т. В.
Першопринципний розрахунок рівноважного положення та електронних спектрів домішок кисню і вуглецю в кремнії / Т. В. Горкавенко, І. В. Плющай, В. А. Макара // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2016. - № 6. - С. 65-71 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Матеріалознавство
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Материаловедение
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
домішкові атоми -- електронна структура -- квазімолекули -- зонний магнетизм -- функціонал густини -- мікроелектроніка -- надпровідникові матеріали -- дефекти у кристалі -- электронная структура -- примесные атомы -- квазимолекулы -- зонный магнетизм -- функционал плотности -- микроэлектроника -- сверхпроводниковые материалы -- дефекты в кристалле
Анотація: Проведено ab initio розрахунок рiвноважного положення домiшкових атомiв кисню та вуглецю в надкомiрцi з 64 атомiв кремнiю методом функцiонала густини в узагальненому градiєнтному наближеннi за допомогою пакета програм ABINIT. Показано, що домiшковий атом вуглецю в кремнiї, на вiдмiну вiд кисню, може iснувати в стабiльному та метастабiльному станах. Розрахований кут квазiмолекули Si?O?Si дорiвнює ~136°, а кут квазiмолекули Si?C?Si становить ~155°. Наведено та проаналiзовано електроннi спектри надкомiрки з 64 атомiв кремнiю, що мiстить домiшковi атоми кисню та вуглецю при рiзних положеннях домiшок. Результати розрахункiв проаналiзовано з точки зору можливостi виникнення зонного магнетизму.

Дод.точки доступу:
Плющай, І. В.; Макара, Володимир Арсенійович (член-кореспондент НАН України)

Знайти схожі

10.

Термоелектричні властивості легованого вісмутом станум телуриду SnTe:Bi [Текст] / Д. М. Фреїк [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 161-165 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 165 (7 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
станум телурид -- легування вісмутом -- термоелектричні властивості -- рентгенівські дослідження -- теоретичні дифрактограми -- станум теллурида -- легирование висмутом -- термоэлектрические свойства -- рентгеновские исследования -- теоретические дифрактограммы
Анотація: Проведено рентгенографічні дослідження та вимірювання коефіцієнта термо-ерс (?) і питомної електропровідності (?), легованого вісмутом станум телуриду у діапазоні концентрацій (0-2,0) аm.% Bi. Встановлено немонотонні залежності параметра елементарної комірки та електрофізичних параметрів від вмісту домішки. Показано, що введення вісмуту в кількості 1,0 аm.% сприяє зростанню в інтервалі температур Т > 500 К термоелектричної потужності ?² ? SnTe внаслідок збільшення коефіцієнта термо-ерс (?) порівняно з нелегованим матеріалом.

Дод.точки доступу:
Фреїк, Д. М.; Мудрий, С. І.; Горічок, І. В.; Прокопів, В. В.; Матківський, О. М.; Арсенюк, І. О.; Криницький, О. С.; Бойчук, В. М.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

11.

Першопринципне моделювання процесу аморфізації в системі Fe-Zr [Текст] / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 8. - С. 84-88 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
матеріалознавство -- материаловедение -- електронна структура -- электронная структура -- аморфна фаза -- аморфная фаза -- молекулярна динаміка -- молекулярная динамика -- залізо -- железо -- цирконій -- цирконий
Анотація: Представлене першепринципне моделювання методом молекулярної дінаміки процесу аморфізації в системі Fe-Zr.

Дод.точки доступу:
Плющай, І. В.; Макара, В. А. (член-кореспондент НАН України); Плющай, О. І.

Знайти схожі

12.

Закарян, Д. А.
Модель квазигармонического приближения в теории псевдопотенциалов [Текст] / Д. А. Закарян, В. В. Картузов, А. В. Хачатрян // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2016. - № 4. - С. 55-61 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
энергия электрон-ионной системы -- енергія електрон-іонної системи -- энергия тепловых колебаний -- енергія теплових коливань -- параметр кристаллической решетки -- параметр кристалічної решітки -- теория псевдопотенциалов -- теорія псевдопотенціалу -- гармоническое приближение -- гармонійне наближення -- тепловое колебание решетки -- теплове коливання решітки -- теория возмущений -- теорія збурень
Анотація: Предложена модель, с помощью которой в рамках гармонического приближения учтены негармонические эффекты, связанные с тепловым колебанием решетки. Определена зависимость параметров кристаллической решетки от температуры через энергию электрон-ионной системы, которая вычислена во втором порядке теории возмущений.

Перейти к внешнему ресурсу: \\tower-2008\textlok\Адвокат\\Доповіді_НАН_Укр_2016_4\8.pdf

Дод.точки доступу:
Картузов, В. В.; Хачатрян, А. В.

Знайти схожі

13.

Бзовська, І. С.
Поверхневі структури в каталітичній реакції окислення монооксиду вуглецю [Текст] / І. С. Бзовська, І. М. Мриглод // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 140-148 : рис. 7, табл. 1. - Бібліогр.: с. 148 (17 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
каталітична реакція окислення -- реакційно-дифузійна модель -- просторово-часові структури -- біфуркація Хопфа -- Хопфа біфуркація -- каталитическая реакция окисления -- реакционно-диффузная модель -- пространственно-временные структуры -- бифуркация Хопфа -- Хопфа бифуркация -- однорідні поверхні -- однородные поверхности -- неоднорідні поверхні -- неоднородные поверхности
Анотація: Роботу присвячено дослідженню механізму виникнення поверхневих просторово-часових структур під час протікання каталітичної реакції окислення монооксиду вуглецю на поверхні Pt(110), яка може містити структурно відмінні ділянки, що утворюються під час CO-індукованого переходу від реконструйованої 1 х 2 фази до об'ємної 1 х 1 фази. Аналіз нестійкостей у часі і просторі системи проведено на основі методів лінійної теорії стійкості та чисельного моделювання. Показано, що на неоднорідній поверхні при певних параметрах в системі виникають просторово-часові поверхневі структури для покриття киснем та частки поверхні структури 1 х 1. Розподіл покриття монооксидом вуглецю є майже однорідним у просторі та незалежним від геометричної поверхні.

Дод.точки доступу:
Мриглод, І. М.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

14.

Ледней, М. Ф.
Вплив статичного електричного поля на гістерезис світлоіндукованого переходу Фредерікса в нематичній комірці [Текст] / М. Ф. Ледней, О. С. Тарнавський, В. В. Хіміч // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 123-130 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 129-130 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
нематичні рідкі кристали -- перехід Фредерікса -- гістерезис світлоіндукованого перехіду Фредерікса -- нематические жидкие кристаллы -- переход Фредерикса -- гистерезис светлоиндуцированного перехода Фредерикса -- Фредерікса перехід -- Фредерикса переход -- зовнішнє електричне поле -- внешнее электрическое поле -- вектор поляризації падаючого світла -- вектор поляризации падающего света -- інтенсивність падаючого світла -- интенсивность падающего света
Анотація: Розглянуто вплив величини напруженості зовнішнього статичного електричного поля на гістерезис світлоіндукованого переходу Фредерікса в комірці нематичного рідкого кристала в полі світлового пучка з обмеженим поперечним розміром. Розглянуті випадки орієнтації зовнішнього електричного поля перпендикулярно поверхні комірки та вздовж цієї поверхні в напрямку вектора поляризації падаючого світла. Чисельно отримані значення порогів переходу Фредерікса при збільшенні і зменшенні інтенсивності падаючого світла в залежності від величини напруженості електричного поля і поперечного розміру світлового пучка. Визначені області допустимих ширин світлового пучка і значень напруженості електричного поля, під час яких перехід Фредерікса супроводжується гістерезисом. Показано, що ширина петлі гістерезису зростає зі збільшенням напруженості статичного електричного поля, перпендикулярного до поверхні комірки, і зменшується, якщо електричне поле напрямлене вздовж поверхні комірки.

Дод.точки доступу:
Тарнавський, О. С.; Хіміч, В. В.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

15.

Бондар, В. М.
Поляризаційні залежності випромінювання гарячими носіями в InSb [Текст] / В. М. Бондар // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 156-160 : рис. 3. - Бібліогр.: с. 160 (10 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
InSb -- поляризаційні залежності випромінювання -- гарячі носії -- дифузійне наближення -- дрейфова швидкість -- поляризационные зависимости излучения -- горячие носители -- диффузное приближение -- дрейфовая скорость
Анотація: Експериментально встановлено і теоретично пояснено поляризаційні залежності спонтанного випромінювання гарячих носіїв в р- і n-InSb. Встановлена періодична залежність інтенсивності спонтанного випромінювання від кута повороту поляризатора відносно напрямку електричного поля, розігріваючого носіїв. Ця залежність зумовлена відхиленням під дією поля парної частини функції розподілу гарячих носіїв від сферичної форми (відхилення від дифузійного наближення).

Дод.точки доступу:
Томчук, П. М.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

16.

Комбінаційне розсіювання світла в процесі індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію [Текст] / В. Б. Неймаш [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал / Національна академія наук України, Інститут теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України. - К., 2016. - Т. 61, № 2. - С. 149-155 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 154-155 (36 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
сонячні елементи -- тонкі плівки -- нанокристали -- металом індукована кристалізація -- солнечные элементы -- тонкие пленки -- нанокристаллы -- металлом индуцированная кристаллизация -- метод комбінаційного розсіювання світла -- метод комбинационного рассеивания света -- кристалізація аморфного кремнію -- кристаллизация аморфного кремния -- індукована кристалізація -- индуцированная кристаллизация -- індукована оловом кристалізація -- индуцированная оловом кристаллизация
Анотація: Методом комбінаційного розсіювання світла різної потужності поверхнею тонкоплівкових структур Si-Sn-Si досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію. Аналіз спектрів комбінаційного розсіювання використано для контролю температури, розміру та концентрації кристалів Si, що утворюються в матриці аморфного Si в процесі вимірювання спектрів. Виявлено значне прискорення металом індукованої кристалізації при лазерному відпалі структур Si-Sn-Si порівняно з відпалом у темряві. Показано принципову можливість в режимі "on line" розмірів і концентрації кристалів Si в процесі їх формування.

Дод.точки доступу:
Неймаш, В. Б.; Довбешко, Г. І.; Шепелявий, П. Є.; Данько, В. А.; Мельник, В. В.; Ісаєв, М. В.; Кузьмич, А. Г.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

17.

Вплив олова на структури перетворення тонкоплівкової субоксидної матриці кремнію [Текст] / В. В. Войтович, Р. М. Руденко, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 986-991 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 990-991 (29 назв)

УДК

538.975

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
кристалізація -- аморфний кремній -- олово -- кристаліти кремнію нанорозмірів -- кристализация -- аморфный кремний -- кристаллиты кремния наноразмеров -- фізика тонких плівок -- ниткоподібні кристали -- дендрити -- физика тонких пленок -- нитевидные кристаллы -- дендриты
Анотація: Досліджено процеси кристалізації аморфного кремнію (а-Si) в субоксидній матриці а-SiO_хSn. Показано, що температура, при якій починається процес кристалізації, тим нижча, чим більше олова міститься в а-SiO_хSn плівках. Для зразків з максимум олова (2% до об'єму SiO_х) кристалізація починається при температурі 500 ^оС, для зразків з середнім значенням олова (1%) температура кристалізації становить 800 ^оС і для зразків з мінімум олова (0,5%), процес кристалізації а-Si починається при 1000 ^оС. З іншого боку, показано, що олово не впливає на процеси розділення фаз а-Si та SiO₂ у досліджуваних зразках в процесі відпалів. З розрахунків встановлено, що у а-SiO_хSn плівках з високим вмістом олова (1 та 2%) в процесі кристалізації а-Si формуються кристаліти кремнію значно менших розмірів (d ? 5-7 нм) порівняно із нелегованими оловом зразками (d ? 10нм). Запропоновано метало-індукований механізм кристалізації а-Si, який передбачає наявність металічних кластерів олова в SiO_х, які створюють умови для більш раннього переходу аморфної фази кремнію в кристалічну. Враховуючи експериментальні дані, ми припускаємо, що у нашому випадку необхідною умовою для початку кристалізації а-Si є наявність металічних скупчень олова в SiO_х, і має місце метало-індукований механізм кристалізації.

Дод.точки доступу:
Войтович, В. В.; Руденко, Р. М.; Юхимчук, В. О.; Войтович, М. В.; Красько, М. М.; Колосюк, А. Г.; Поварчук, В. Ю.; Хацевич, І. М.; Руденко, М. П.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

18.

Rasulov, V. R.
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs [Text] / V. R. Rasulov // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 992-996 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 996 (18 назв)

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
photovoltaic effect -- semiconductor -- polarization -- photocurrent -- Hamiltonian -- momentum operator -- energy spectrum -- light absorption coefficient -- фотогальванічний ефект -- напівпровідник -- поляризація -- фотострум -- Гамільтоніан -- оператор імпульсу -- енергеричний спектр -- коефіцієнт оптичного поглинання світла -- фотогальванічний ефект -- фотогальванический эффект -- полупроводник -- поляризация -- фототок -- гамильтониан -- оператор импульса -- энергетический спектр -- коэффициент оптического поглощения света
Анотація: Отримано вираз для спектральної і температурної залежностей струму фотонного механізму лінійного фотогальванічного ефекту в напівпровідниках типу арсеніду галію діркової провідності, зумовлений наявністю доданків різної парності в ефективному гамільтоніані дірок. Зіставлені теоретичні та експериментальні результати.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

19.

Особливості формування рекомбінаційного струму в області просторового заряду кремнієвих сонячних елементів [Текст] / А. В. Савченко, В. П. Костильов, В. М. Власюк // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 923-928 : рис. 5, таб. 1. - Бібліогр.: с. 928 (10 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
рекомбінаційний струм -- область просторового заряду -- кремнієві сонячні елементи -- глибокий рекомбінаційний рівень -- рекомбинационный ток -- область пространственного заряда -- кремниевые солнечные элементы -- глубокий рекомбинационный уровень
Анотація: Досліджено темнові ВАХ кремнієвих сонячних елементів з різними часами життя Шоклі-Ріда-Холла, які визначались з спектральних залежностей внутрішнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбінаційні струми в області просторового заряду (ОПЗ) формуються на основі часів життя, менших принаймі на порядок, за об'ємні часи життя. Це пояснено великою концентрацією дефектів, які приводять до появи глибоких рівнів, в ОПЗ досліджуваних структур кремнію. Оцінено параметри глибоких рівнів, відповідальних за рекомбінацію в ОПЗ.

Дод.точки доступу:
Савченко, А. В.; Костильов, В. П.; Власюк, В. М.; Коркішко, Р. М.; Соколовський, І. О.; Черненко, В. В.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

20.

Morphological characteristics of hydrothermally synthesized iron trifluorides with various hydration degrees [Text] / V. V. Moklyak // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 1022-1030 : рис. 8. - Бібліогр.: с. 1029-1030 (18 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
iron trifluoride -- dehydration -- morphological properties -- Mossabauer spectroscopy -- spectroscopy Mossabauer -- thermogravimetric analysis -- superparamagnetic state -- трифториди заліза -- дегідрація -- морфологічні властивості матеріалів -- спектроскопія Мессбауера -- Мессбауера спектроскопія -- термічний гравіметричний аналіз -- суперпарамагнітний стан -- аргон -- когерентне розсіювання -- трифторид заліза -- дегидратация -- морфологические свойства материалов -- спектроскопия Мёссбауэра -- Мессбауэра спектроскопия -- термический гравиметрический анализ -- суперпарамагнитное состояние -- когерентное рассеяние
Анотація: В роботі проведено дослідження кристалічної і магнітної мікроструктур та морфологічних особливостей матеріалів?-FeF₃•3H₂O, НТВ-FeF₃•0.33H₂O та r-FeF₃, з отриманих гідротермальним методом з наступним відпалом в атмосфері аргону. Детально вивчено процес дегідратації кристалогідрату ?-FeF₃•3H₂O з частинками пластинчастої форми та запропоновано модель структурних перетворень. Застосовуючи отримані узагальнення, синтезовано ультрадисперсні НТВ-FeF₃•0.33H₂O та r-FeF₃. Встановлено, що фаза r-FeF₃ частково перебуває в суперпарамагнітному стані, при цьому розмір частинок матеріалу співмірний із середніми розмірами областей когерентного розсіювання.

Дод.точки доступу:
Moklyak, V. V.; Kotsyubynsky, V. O.; Yaremiy, I. P.; Kolkovskyy P. I.; Hrubyak, A. B.; Zbihley, L. Z.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

1-20 21-40 41-60 61-65

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)