Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

у знайденому

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Физика твердого тела. Кристаллография в целом<.>

Загальна кількість знайдених документів : 65
Показані документи с 1 за 20

1-20 21-40 41-60 61-65

Age-related changes in FTIR and Raman spectra of human blood [Text] / T. Makhnii, O. Ilchenko // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 859-868 : рис. 3, табл. 2. - Бібліогр.: с. 865-868 (63 назви)

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
human blood -- age -- Raman spectroscopy -- ATR-FTIR spectroscopy -- Partial Least Squares (PLS) analysis -- людська кров -- кров людини -- вікові зміни крові людини -- ATR-FTIR спектроскопія -- Раман-спектроскопія -- ІЧ-спектроскопія -- аналіз приватних найменших квадратів -- PLS-аналіз -- гемоглобін -- человеческая кровь -- кровь человека -- вікові зміни крови людини -- возрастные изменения крови человека -- ATR-FTIR спектроскопия -- Раман-спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- анализ частных наименьших квадратов -- PLS-анализ -- гемоглобин
Анотація: Розглянуто можливості застосування Раман- та ІЧ-спектроскопії для аналізу вікових змін крові людини. Досліджено 74 зразки крові пацієнтів вікових груп. До досліджуваних спектрів було застосовано PLS-аналіз. Виявлено недостатню точність методу для визначення віку. При цьому були знайдені вік-залежні ділянки спектрів. Було охарактеризовано основні ділянки спектрів, що показали зміни, даних. В статті наведено приклади характерних Раман- та ІЧ-спектрів. Значення всіх знайдених піків Раман- та ІЧ- спектрів зібрані та описані у таблиці відповідно до літературних даних. Знайдено, що основні відмінності стосуються піків, які несуть інформацію про гемоглобін та його похідні. Було зроблено висновок щодо необхідності проведення досліду з більшою кількістю зразків.

Дод.точки доступу:
Makhnii, T.; Ilchenko, O.; Reynt, A.; Pilgun, Y.; Kutsyk, A.; Krasnenkov, D.; Ivasyuk, M.; Kukharskyy, V.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Peleshchak, R. M.
Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem [Text] / R. M. Peleshchak // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 746-751 : рис. 2, табл. 1. - Бібліогр.: с. 751 (19 назв)

УДК

538.93

539.3

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
point defects -- acoustic wave -- diffusion -- deformation -- точкові дефекти -- акустична хвиля -- дифузія -- деформація тіл -- механіка деформованих тіл -- пружність -- механика деформируемых тел -- упругость -- деформация тел
Анотація: A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of this model, a possibility of the ultrasound-stimulated hydrogen passivation of electrically active Cl centers in the CdTe semiconductor and the size dispersion reduction of strained InAs/GaAs quantum dots doped with an isovalent impurity are analyzed.
Побудовано деформаційно-дифузійну модель формування періодичних структур під впливом акустичної хвилі у напівпровідниках з двокомпонентною дефектною підсистемою. Запропонована теорія враховує деформацію, створену акустичною хвилею та точковими дефектами. У межах даної моделі проаналізовано можливість стимулювання ультразвуком пасивації електрично активних центрів Cl воднем у напівпровіднику CdTe та зменшення дисперсії розмірів напружених квантових точок InAs/GaAs, легованих ізовалентною домішкою.

Дод.точки доступу:
Kuzyk, O. V.; Dan'kiv, O. O.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Chornyi, V. S.
Frequency response of split-ring resonators at different types of excitations in Ka-band [Text] / V. S. Chornyi // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 46-51 : рис. 5, табл. 2. - Бібліогр.: с. 50-51 (23 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
подвійний кільцевій резонатор -- Ка-діапазон -- метаматеріал -- ефект поперечної поляризації -- електромагнітне моделювання -- магнітне збудження -- електричне збудження -- електричний резонанс -- двойной кольцевой резонатор -- Ка-диапазон -- метаматериал -- эффект поперечной поляризации -- магнитное возбуждение -- электрическое возбуждение -- электрический резонанс
Анотація: У даній роботі досліджено частотний відгук подвійних кільцевих резонаторів (ПКР) при різних типах збудження. Конструктивні параметри ПКР були отримані за допомогою електромагнітного моделювання. Два односторонні та два двосторонні зразки ПКР були експериментально досліджені при магнітному, електричному збудженнях та при їх комбінації. Було показано, що для отримання якнайширшої резонансної смуги потрібно використовувати комбінацію магнітного та електричного збуджень. Отримана ширина резонансу досягає 10 ГГц. Продемонстровано, що двосторонні структури, попри теоретичні припущення, мають залишковий електричний резонанс. Оскільки глибина резонансу менша за -6 дБ, то ним можна знехтувати, але потрібно врахувати вплив при комбінації двох збуджень.

Дод.точки доступу:
Skripka, S. L.; Nechyporuk, O. Y.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Investigation of the kinetics of photoinduced electronic transitions in nanostructures of bacterial reaction centers [Text] / Y. M. Barabash // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 929-937 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 936 (9 назв)

УДК

53.043

532.77-2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
biophysics -- bacterial reaction centers -- electron kinetics -- models -- біофізика -- бактеріальні реакційні центри -- кінетика електронів -- трирівневі моделі -- фізичні ефекти -- дії явищ -- розчини рідин в рідинах -- кінетика фотоіндукованих електронних переходів в наноструктурах -- фотоіндукованих електронних переходів -- хлорофілмістні мембранні білки -- первинні хінони -- вторинні хінони -- поглинання кванта світла -- бактериальные реакционные центры -- биофизика -- кинетика электронов -- трехуровневые модели -- действия явлений -- физические эффекты -- растворы жидкостей в жидкостях -- кинетика фотоиндуцированных электронных переходов в наноструктурах -- фотоиндуцированные электронные переходы -- хлорофилсодержащие мембранные белки -- первичные хиноны -- вторичные хиноны -- поглощения кванта света
Анотація: Досліджена повільна динаміка ізольованих комплексів хлорофільвмісних мембраних білків фотосинтетичних реакційних центрів (РЦ) Rb. Sphaeroides R-26, індукована потоками світла. Проведено аналіз зміни поглинання розчину РЦ в рамках трирівневої моделі. Встановлено рівняння, яке визначає відношення заселеності електронних рівнів первинного і вторинного хінонів. Розв'язок цього рівняння навіть у стаціонарному випадку має небольцманівський характер і залежить від інтенсивності збуджуючого світла. Запропноновано модель динаміки рівнів моделі РЦ, яка враховує можливість процесів поляризації в околі вторинного хінона Q_B. Припускається, що всі РЦ мають тотожну структуру, але можуть знаходитись в різних станах, характеристики котрих залежать від часу, який пройшов після поглинання кванта світла, а також від локальної в'язкості і пружності середовища Q_B. Із наявності деформаційних властивостей середовища навколо Q_B випливає, що конформація РЦ може змінюватися, що узгоджується із даними експерименту.

Дод.точки доступу:
Barabash, Y. M.; Drapikovskyi, M. A.; Zabolotny, M. A.; Kulish, M. P.; Dmytrenko, O. P.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Dzyublik, A. Ya.
Laue diffraction of spherical mossbauer waves / A. Ya. Dzyublik // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 9. - С. 832-840 : рис. 5. - Бiблiогр.: с. 840 (27 назв)

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
Mossbauer effect -- Laue diffraction -- spherical wave -- Borrmann triangle -- y-photon wave function -- Мессбауерівський ефект -- мессбауерівські промені -- дифракція Лауе -- сферична хвиля -- трикутник Бормана -- хвильова функція у-фотона -- обчислення хвильової функції гамма-фотонів -- кристали із сильним ядерним поглинанням -- резонансне ядерне розсіяння -- релеївське ядерне розсіяння -- інтерференційні осциляції інтенсивності дифрагованого пучка -- прецизійні вимірюваня параметрів кристала -- Мессбауэровский эффект -- мессбауеровськие лучи -- дифракция Лауэ -- сферические волны -- треугольник Бормана -- волновая функция ?-фотона -- вычисления волновой функции гамма-фотонов -- кристаллы с сильным ядерным поглощением -- резонансное ядерное рассеяние -- релеевське ядерное рассеяние -- интерференционные осцилляции интенсивности дифрагированного пучка -- прецизионные измерения параметров кристалла
Анотація: В наближенні сферичних хвиль аналізується симетрична дифракція Лауе мессбауерівських променів. Для обчислення хвильової функції гамма-фотонів у межах трикутника Бормана в товстому кристалі із сильним ядерним поглинанням використовується метод перевалу. Враховується як релеївське, так і резонансне ядерне розсіяння. Показано, що у випадку релеївського розсіяння мессбауерівського випромінювання виникають інтерференційні осциляції інтенсивності дифрагованого пучка, які можна використовувати для прецизійних вимірювань параметрів кристала.

Дод.точки доступу:
Spivak, V. Yu

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg₃Te₂Cl₂ crystals [Text] / O. V. Bokotey [et al.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 907-914 : рис. 6. - Бібліогр.: с. 913-914 (18 назв)

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
band structure -- point defects -- gap -- absorption edge -- optical transactions -- смугова структура кристалів -- точкові дефекти кристалів -- край поглинання -- оптичні переходи -- електронна структура кристалів -- квантово-хімічний програмний пакет SIESTA -- полосная структура кристаллов -- точечные дефекты кристаллов -- електронна структура кристалів -- край поглощения -- оптические переходы -- квантово-химический программный пакет SIESTA
Анотація: Представлено результати розрахунків в рамках теорії функціонала густини для дослідження впливу точкових дефектів на електронну структуру кристалів Hg₃Te₂Cl₂ з використанням моделі суперкомірки [2х2х1]. Вперше проведено ab initio розрахунки для бездефектних та дефектних кристалів Hg₃Te₂Cl₂ в наближенні локальної густини, використовуючи квантово-хімічний програмний пакет SIESTA. Досліджувальний кристал є непримозонним напівпровідником. Згідно з аналізом отриманих даних, величини непрямого та прямого переходів становлять 2,628 еВ та 2,714 еВ відповідно. Вплив дефектів вакансій на провідні та оптичні властивості кристалів Hg₃Te₂Cl₂ обговорюється в деталях. Дефектні стани вакансій телуру та хлору створюють додаткові енергетичні рівні нижче дна зони провідності. Результати дослідження показують, що тільки вакансії телуру створюють додаткові енергетичні рівні в околі вершини валентної зони. Встановлено, що присутність точкових дефектів в кристалах Hg₃Te₂Cl₂ змінює напрямок оптичних переходів і тому дефектний кристал є прямозонним напівпровідником. Одержано задовільне узгодження з експериментальними даними.

Дод.точки доступу:
Bokotey, O. V.; Vakulchak, V. V.; Bokotey, A. A.; Nebola, L. I.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Ahmed, A.
Microwaves in structured metamaterials: supeluminal, slow, and backward waves [Text] / A. Ahmed, V. N. Mal'nev, B. Mesfin // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 131-139 : рис. 11. - Бiблiогр.: с. 139 (23 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
structured metamaterials -- supeluminal waves -- slow waves -- backward waves -- структуровані метаматеріали -- структурированные метаматериалы -- понадсвітові хвилі -- сверхсветовые волны -- повільні хвилі -- медленные волны -- зворотні хвилі -- обратные волны -- дисперсійні властивості метаматеріалів -- дисперсионные свойства метаматериалов
Анотація: The dispersion properties of structured metamaterials consisting of strips of a copper wire (electron subsystem) and square copper split-ring resonators (magnetic subsystem) with different and coinciding resonant frequencies are studied. In a narrow frequency band above the resonant frequency of the electron subsystem, the structured metamaterial is described by a negative refractive index. In addition to this, there are some peculiar properties observed in these metamaterials. Among these properties is the nonanalytic behavior of the real part of the refractive index as a function of the frequency with a discontinuity of its derivative in the metamaterial with two resonances. It is also shown that the superluminal, slow, and backward microwaves can exist in the structured metamaterials. However, in the absence of gain components, only the slow microwaves can propagate considerably.
Досліджуються дисперсні властивості структурованих метаматеріалів, що складаються зі смужок з мідних дротиків (електронна підсистема) і квадратних резонаторів з мідним розрізаним кільцем (магнітна підсистема) з різними і збігаючими резонансними частотами. У вузькій смузі частот вище резонансної частоти електронної підсистеми структуровані метаматеріали характеризуються негативним індексом заломлення. В цих метаматеріалів виявлено також таку особливу властивість, як неаналітичність дійсної компоненти індексу заломлення як функції частоти з особливою точкою її похідної в метаматеріалі з двома резонансами. Показано, що в структурованих метаматеріалах можуть поширюватися суперсвітові, повільні і зворотні мікрохвилі. Однак за відсутності підживляючих компонент, істотно тільки поширення повільних мікрохвиль.

Дод.точки доступу:
Mal'nev, V. N.; Mesfin, B.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Morphological characteristics of hydrothermally synthesized iron trifluorides with various hydration degrees [Text] / V. V. Moklyak // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 1022-1030 : рис. 8. - Бібліогр.: с. 1029-1030 (18 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
iron trifluoride -- dehydration -- morphological properties -- Mossabauer spectroscopy -- spectroscopy Mossabauer -- thermogravimetric analysis -- superparamagnetic state -- трифториди заліза -- дегідрація -- морфологічні властивості матеріалів -- спектроскопія Мессбауера -- Мессбауера спектроскопія -- термічний гравіметричний аналіз -- суперпарамагнітний стан -- аргон -- когерентне розсіювання -- трифторид заліза -- дегидратация -- морфологические свойства материалов -- спектроскопия Мёссбауэра -- Мессбауэра спектроскопия -- термический гравиметрический анализ -- суперпарамагнитное состояние -- когерентное рассеяние
Анотація: В роботі проведено дослідження кристалічної і магнітної мікроструктур та морфологічних особливостей матеріалів?-FeF₃•3H₂O, НТВ-FeF₃•0.33H₂O та r-FeF₃, з отриманих гідротермальним методом з наступним відпалом в атмосфері аргону. Детально вивчено процес дегідратації кристалогідрату ?-FeF₃•3H₂O з частинками пластинчастої форми та запропоновано модель структурних перетворень. Застосовуючи отримані узагальнення, синтезовано ультрадисперсні НТВ-FeF₃•0.33H₂O та r-FeF₃. Встановлено, що фаза r-FeF₃ частково перебуває в суперпарамагнітному стані, при цьому розмір частинок матеріалу співмірний із середніми розмірами областей когерентного розсіювання.

Дод.точки доступу:
Moklyak, V. V.; Kotsyubynsky, V. O.; Yaremiy, I. P.; Kolkovskyy P. I.; Hrubyak, A. B.; Zbihley, L. Z.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Rasulov, V. R.
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs [Text] / V. R. Rasulov // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 992-996 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 996 (18 назв)

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
photovoltaic effect -- semiconductor -- polarization -- photocurrent -- Hamiltonian -- momentum operator -- energy spectrum -- light absorption coefficient -- фотогальванічний ефект -- напівпровідник -- поляризація -- фотострум -- Гамільтоніан -- оператор імпульсу -- енергеричний спектр -- коефіцієнт оптичного поглинання світла -- фотогальванічний ефект -- фотогальванический эффект -- полупроводник -- поляризация -- фототок -- гамильтониан -- оператор импульса -- энергетический спектр -- коэффициент оптического поглощения света
Анотація: Отримано вираз для спектральної і температурної залежностей струму фотонного механізму лінійного фотогальванічного ефекту в напівпровідниках типу арсеніду галію діркової провідності, зумовлений наявністю доданків різної парності в ефективному гамільтоніані дірок. Зіставлені теоретичні та експериментальні результати.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

10.

Lysenkov, E. A.
Pressure effects on the percolation behavior of systems based on polyethylene oxide and carbon nanotubes [Text] / E. A. Lysenkov, V. V. Klepko // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 752-757 : рис. 6, табл. 2. - Бібліогр.: с. 757 (26 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Распространение электричества. Электропроводность
Кл.слова (ненормовані):
polymer nanocomposites -- carbon nanotubes -- conductivity -- percolation behavior -- external pressure -- полімерні нанокомпозити -- вуглецеві нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- перколяційна поведінка -- зовнішній тиск -- властивості молекулярних систем -- структура молекулярних систем -- структура молекулярных систем -- свойства молекулярных систем -- електропровідність
Анотація: The percolation behavior of systems based on polyethylene oxide and carbon nanotubes (CNTs) and its dependence on the external pressure in the interval from 0.1 to 150 MPa have been studied, by using the method of impedance spectroscopy. As the external pressure grows, the percolation thershold is found to decrease from 0.3% to 0.14%, with the critical index of conductivity changing from 1.95 to 2.73. The change of critical indices testifies to a structural rearrangement of CNTs in the polymer matrix from their statistical distribution to compact aggregates. The experimental results are described well in the framework of the modified McLachlan model, which considers the dependence of the percolation threshold on the pressure.
Використовуючи метод імпедансної спектроскопії проведено дослідження особливостей перколяційної поведінки систем на основі поліетиленоксиду та вуглецевих нанотрубок (ВНТ) в залежності від величини зовнішнього тиску. Виявлено, що зі збільшенням зовнішнього тиску поріг перколяції зменшується з 0,3% до 0,14%, а критичний індекс електропровідності змінюється від 1,95 до 2,73. Зміна критичних індексів вказує на зміну структурної організації ВНТ у полміерній матриці зі статистичного розподілу до ущільнених агрегатів із нанотрубок. Експериментальні результати добре описуються у рамках модифікованої моделі МакЛахлана, яка враховує залежність порогу перколяції від тиску.

Дод.точки доступу:
Klepko, V. V.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

11.

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод
Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А^ІІВ^VI, А^IIIВ^V та А^IVВ^VI. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.

Дод.точки доступу:
Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

12.

Synthesis, properties, and application of graphene-based materials obtained from carbon nanotubes and acetylene black [Text] / M. O. Danilov [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 915-922 : рис. 5, табл. 1. - Бiблiогр.: с. 920-921 (42 назви)

УДК

546.26-162

541.13

549.21

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Графит. Алмаз
   Електрохімія
   Электрохимия
   Група вуглеців
   Группа углеродов
Кл.слова (ненормовані):
graphene oxide -- reduced graphene oxide -- electrocatalysis -- electrode materials for oxygen electrode -- графіт -- алмаз -- вуглецеві нанотрубки -- багатошарові вуглецеві нанотрубки -- синтезований оксид графену -- відновлений оксид графену -- електрокаталіз -- електродні матеріали для кисневих електродів -- графит -- алмаз -- углеродные нанотрубки -- многослойные углеродные нанотрубки -- синтезированный оксид графена -- восстановленный оксид графена -- электрокатализ -- электродные материалы для кислородных электродов
Анотація: З багатошарових вуглецевих нанотрубок та ацетиленової сажі були синтезовані оксид графену і відновлений оксид графену. Застосовуючи відповідний окислювач, можна поздовжньо "розгорнути" нанотрубки з утворенням нанострічок оксиду графену, а потім, впливаючи відновником, отримати відновлений оксид графену. Для вибору окислювача і відновника використані стандартні окислювально-відновні потенціали вуглецю. Різними фізико-хімічними методами було доведено отримання графоподібних матеріалів. Синтезовані продукти використані в ролі електродного матеріалу для кисневих електродів паливних джерел струму. Встановлено, що електрохімічні характеристики електродві з графенових матеріалів залежать від окислювально-відновної здатності реагентів. Показано, що отримані матеріали є перспективними носіями каталізаторів для електродів хімічних джерел струму.

Дод.точки доступу:
Danilov, M. O.; Rusetskii, I. A.; Slobodyanyuk, I. A.; Dovbeshko, G. I.; Kolbasov, G. Ya.; Stubrov, Yu. Yu.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

13.

ZnO thin films obtained by atomic layer deposition as a material for photovoltaics [Text] / T. V. Semikina [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 737-745 : рис. 4, табл. 3. - Бібліогр.: с. 744-745 (14 назв)

УДК

539.232

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
atomic layer deposition method -- transparent conducting ZnO films -- organic solar cells -- CdS/CdTe solar cells -- метод атомного пошарового осадження -- провідні прозорі плівки оксиду цинку ZnO -- органічні сонячні елементи -- сонячні елементи CdS/CdTe -- опір і провідність -- провідність в напівпровідникових матеріалах -- сопротивление и проводимость -- проводимость в полупроводниковых материалах -- оксидуванням -- оксидирование
Анотація: The tasks to be solved while developing solar cells have been reviewed. The analysis of technological methods used for the fabrication of thin transparent conducting ZnO films from the viewpoint of their application in organic and thin-film solar cells demonstrates the advantage of the atomic layer deposition method. It is shown that this method provides a low-temperature (100-200 ^oC) growth of films with a required resistivity of about 10^-3 ?•cm and a transparency of 85-90%. The application of ZnO films in organic photovoltaic structures imrpoves the time stability of their rectification characteristics. The investigation of organic structures with ZnO as a cathode or an anode showed the potential of the usage of ZnO as a cathode. The study shows an increase in the photocurrent and a decrease in the recombination in comparison with a Mo Electrode.
У роботі представлений огляд задач, що вирішуються при розробці сонячних елементів. Аналіз технологічних методів отримання тонких провідних прозорих плівок оксиду цинку ZnO з точки зору застосування в органічних і тонкоплівкових сонячних елементах показує переваги технології атомного пошарового осадження (АПО). Показано, що метод АПО забезпечує низькотемпературний (100-200 ^oC) ріст плівок, які мають необхідні значення опору ~10^-3 Ом•см і пропускання світла ~85-90%. Використання ZnO плівок в органічних фотовольтаїчних структурах показало поліпшення стабільності у часі випрямляючих характеристик даних структур. Дослідження органічних структур з ZnO як катода і анода показало перспективність використання ZnO в ролі катода. Вивчення ZnO в ролі прозорого провідного електрода в неорганічній фотовольтаїчній структурі на основі CdTe показало збільшення фотоструму і зменшення рекомбінації в порівнянні з молібденовим електродом.

Дод.точки доступу:
Semikina, T. V.; Mamykin, S. V.; Sheremet, G. I.; Shmyreva, L. N.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

14.

Індукована оловом кристалізація аморфного кремнію при імпульсному лазерному опроміненні / В. Б. Неймаш, В. Мельник , Л. Л. Федоренко // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 9. - С. 802-813 : рис. 10. - Бібліогр.: с. 811-813 (44 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
сонячні елементи -- солненчные элементы -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- нанокристали -- нанокристаллы -- кремній -- кремний -- олово -- металом індукована кристалізація -- металлом индуцированная кристаллизация -- метод комбінаційного розсіювання світла -- метод комбинационного рассеивания света
Анотація: Методом комбінаційного розсіювання світла досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію в тонкоплівкових структурах Si-Sn-Si під дією різних видів імпульсного лазерного опромінення. Експериментально визначено та проаналізовано залежності розмірів та концентрації нанокристалів Si від потужності лазерних імпульсів тривалістю 10 нс та 150 мкс з довжиною хвилі 535 нм та 1070 нм. Показано можливість ефективної індукованої оловом трансформації кремнію із аморфної фази в кристалічну за час порядку 10 нс в шарах а-Si товщиною 200 нм під дією імпульсу лазерного світла. Теоретичний розрахунок просторового і часового розподілу температур в зоні дії лазерного променя використано для інтерпретації експериментальних результатів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_9\7.pdf

Дод.точки доступу:
Неймаш, В. Б. ; Мельник , В.; Федоренко, Л. Л. ; Шепелявий, П. Є.; Стрільчук, В. В. ; Ніколенко, А. С.; Ісаєв, М. В.; Кузьмич, А. Г.

Знайти схожі

15.

Взаємодія адсорбованих атомів барію з поверхнею олігошарових плівок оксиду хрому / І. М. Засімович [и др.] // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 9. - С. 59-66 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
оже-електронна спектроскопія -- молібден -- оксидні плівки -- гетерогенні каталізатори -- оксидно-відновна реакція -- адсорбція барію -- оксид хрому -- морфологія поверхні -- оже-электронная спектроскопия -- молибден -- оксидные пленки -- гетерогенные катализаторы -- окислительно-восстановительная реакция -- адсорбция бария -- оксид хрома -- морфология поверхности
Анотація: Методами оже-електронної спектроскопії та вимірювання роботи виходу досліджено адсорбцію барію на поверхні олігошарових (завтовшки декілька моношарів) плівок оксиду хрому, вирощених на грані (110) молібдену. Встановлено, що взаємодія барію з поверхнею плівки оксиду має характер окисно-відновної реакції з утворенням оксиду барію та частковим відновленням оксиду хрому. Досліджено вплив товщини та морфології поверхні плівки оксиду хрому на її здатність окиснювати адсорбований барій. Експериментально підтверджено також сильний вплив стану інтерфейсу металічна підкладка Мо (110) - олігошарова плівка оксиду хрому на окиснювальні властивості останньої. Отримані результати свідчать про можливість керування поверхневими властивостями олігошарових плівок оксидів шляхом зміни їх товщини, морфології поверхні та стану інтерфейсу металічна підкладка - оксидна плівка.

Дод.точки доступу:
Засімович, І. М.; Клименко, Є. В.; Старовойтова, Л. Н.; Наумовець, А. Г. (академік НАН України)

Знайти схожі

16.

Селіванов, М. Ф.
Визначення безпечної довжини тріщини та розподілу сил зчеплення в рамках моделі тріщини з зоною передруйнування / М. Ф. Селіванов // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 11. - С. 58-65 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
зчеплення -- сцепление -- довжина тріщин -- длина трещин -- зона передруйнування -- зона предразрушения -- нескінченність пластини -- бесконечность пластины
Анотація: Розглянуто навантажену на нескінченності пластину з центральною тріщеною нормального відриву.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Знайти схожі

17.

Атамась, Н. О. (академік НАН України).
Вплив концентрації на динамічні властивості однозарядних електролітів / Н. О. Атамась, Л. А. Булавін, А. Британ // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 2. - С. 55-60 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
однозарядні електроліти -- однозарядные электролиты -- динамічні властивості електролітів -- динамические свойства электролитов -- властивості водних розчинів -- свойства водных растворов -- метод квазіпружного розсіювання нейтронів
Анотація: Представлено результати експериментальних (метод квазіпружного розсіювання нейтронів) та теоретико-розрахункових (молекулярна динаміка) досліджень впливу концентрації на структурно-динамічні властивості водних розчинів.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Булавін, Л. А.; Британ, А.

Знайти схожі

18.

Вплив кореляційних ефектів на коефіціент заповнення у випадку адсорбції на поверхню, модифіковану спейсорами / Л. А. Булавін [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 6. - С. 69-74. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
кореляційні ефекти -- корреляционные эффекты -- коефіціенти заповнення -- коэффициенты заполнения -- адсорбції -- адсорбции -- спейсори -- спейсоры -- бінарні розчини -- бинарные растворы
Анотація: Розглянуто випадок одношарової адсорбції з бінарного розчину на поверхню, модифіковану спейсорами.

Дод.точки доступу:
Булавін, Л. А. (академік НАН України); Гаврюшенко, Д. А.; Сисоєв, В. М.; Якунов, П. А.

Знайти схожі

19.

Вплив молекулярної маси на властивості поліетиленглікогелей, допованих багатошаровими вуглецевими нанотрубками [Текст] / Л. А. Булавін [и др.] // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 8. - С. 72-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- ДСК -- електропровідність -- электропроводность -- багатошарові нанотрубки -- многослойные нанотрубки -- поліетиленгліколь -- полиэтиленгликоль -- мікроструктури -- микроструктуры -- ступіні крісталічності -- мікроструктури
Анотація: Методом диференційної скануючої калориметрії та дослідженням електричної провідності вивчено вплив допування багатошаровими вуглецевими нанотрубками на властивості поліетиленгліколей різних молекулярних мас.

Дод.точки доступу:
Булавін, Л. А. (академік НАН України); Мельник, І. А.; Гончарук, А. І.; Клепко, В. В.; Лебовка, М. і.; Лисенков, Е. А.

Знайти схожі

20.

Вплив олова на структури перетворення тонкоплівкової субоксидної матриці кремнію [Текст] / В. В. Войтович, Р. М. Руденко, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 986-991 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 990-991 (29 назв)

УДК

538.975

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
кристалізація -- аморфний кремній -- олово -- кристаліти кремнію нанорозмірів -- кристализация -- аморфный кремний -- кристаллиты кремния наноразмеров -- фізика тонких плівок -- ниткоподібні кристали -- дендрити -- физика тонких пленок -- нитевидные кристаллы -- дендриты
Анотація: Досліджено процеси кристалізації аморфного кремнію (а-Si) в субоксидній матриці а-SiO_хSn. Показано, що температура, при якій починається процес кристалізації, тим нижча, чим більше олова міститься в а-SiO_хSn плівках. Для зразків з максимум олова (2% до об'єму SiO_х) кристалізація починається при температурі 500 ^оС, для зразків з середнім значенням олова (1%) температура кристалізації становить 800 ^оС і для зразків з мінімум олова (0,5%), процес кристалізації а-Si починається при 1000 ^оС. З іншого боку, показано, що олово не впливає на процеси розділення фаз а-Si та SiO₂ у досліджуваних зразках в процесі відпалів. З розрахунків встановлено, що у а-SiO_хSn плівках з високим вмістом олова (1 та 2%) в процесі кристалізації а-Si формуються кристаліти кремнію значно менших розмірів (d ? 5-7 нм) порівняно із нелегованими оловом зразками (d ? 10нм). Запропоновано метало-індукований механізм кристалізації а-Si, який передбачає наявність металічних кластерів олова в SiO_х, які створюють умови для більш раннього переходу аморфної фази кремнію в кристалічну. Враховуючи експериментальні дані, ми припускаємо, що у нашому випадку необхідною умовою для початку кристалізації а-Si є наявність металічних скупчень олова в SiO_х, і має місце метало-індукований механізм кристалізації.

Дод.точки доступу:
Войтович, В. В.; Руденко, Р. М.; Юхимчук, В. О.; Войтович, М. В.; Красько, М. М.; Колосюк, А. Г.; Поварчук, В. Ю.; Хацевич, І. М.; Руденко, М. П.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

1-20 21-40 41-60 61-65

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)