Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=точечные дефекты кристаллов<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg₃Te₂Cl₂ crystals [Text] / O. V. Bokotey [et al.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 907-914 : рис. 6. - Бібліогр.: с. 913-914 (18 назв)

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
band structure -- point defects -- gap -- absorption edge -- optical transactions -- смугова структура кристалів -- точкові дефекти кристалів -- край поглинання -- оптичні переходи -- електронна структура кристалів -- квантово-хімічний програмний пакет SIESTA -- полосная структура кристаллов -- точечные дефекты кристаллов -- електронна структура кристалів -- край поглощения -- оптические переходы -- квантово-химический программный пакет SIESTA
Анотація: Представлено результати розрахунків в рамках теорії функціонала густини для дослідження впливу точкових дефектів на електронну структуру кристалів Hg₃Te₂Cl₂ з використанням моделі суперкомірки [2х2х1]. Вперше проведено ab initio розрахунки для бездефектних та дефектних кристалів Hg₃Te₂Cl₂ в наближенні локальної густини, використовуючи квантово-хімічний програмний пакет SIESTA. Досліджувальний кристал є непримозонним напівпровідником. Згідно з аналізом отриманих даних, величини непрямого та прямого переходів становлять 2,628 еВ та 2,714 еВ відповідно. Вплив дефектів вакансій на провідні та оптичні властивості кристалів Hg₃Te₂Cl₂ обговорюється в деталях. Дефектні стани вакансій телуру та хлору створюють додаткові енергетичні рівні нижче дна зони провідності. Результати дослідження показують, що тільки вакансії телуру створюють додаткові енергетичні рівні в околі вершини валентної зони. Встановлено, що присутність точкових дефектів в кристалах Hg₃Te₂Cl₂ змінює напрямок оптичних переходів і тому дефектний кристал є прямозонним напівпровідником. Одержано задовільне узгодження з експериментальними даними.

Дод.точки доступу:
Bokotey, O. V.; Vakulchak, V. V.; Bokotey, A. A.; Nebola, L. I.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)