Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=борнивское приближение<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Achenefe, Y.
Electron scattering in graphene by remote nanomagnets / Y. Achenefe, T. Senbeta, V. N. Mal'nev // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 5. - С. 400-406 : рис. - Бібліогр.: с. 405-406 (9 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Наносистеми
   Наносистемы
   Україна
    Украина
Кл.слова (ненормовані):
graphene -- nanomagnets -- scattering amplitude -- наномагніти -- наномагниты -- графени -- неоднорідне магнітне поле -- неоднородное магнитное поле -- пружне розсіяння електронів -- упругое рассеяние электронов -- борнівське наближення -- борнивское приближение -- перетини розсіяння електронів -- сечения рассеяния электронов -- провідність графена -- проводимость графена
Анотація: The elastic electron scattering by a nonuniform magnetic field of remote nanomagnets in graphene is considered with the help of a modified Born approximation. The nanomagnets are modeled by point-like magnetic dipoles oriented transversally and in parallel to the graphene plane. They can form rather high magnetic fields without any damage of the graphene plane. The electron scattering cross sections are obtained in the closed form and analysed numerically. It is shown that this mechanism of scattering has nonzero backscattering cross-section and can considerably affect the graphene conductivity.
Розглянуто пружне розсіяння електронів в графені неоднорідним магнітним полем далеких наномагнітів у рамкахмодіфікованого борнівського наближення. Наномагніти моделюються точковими магнітними диполями, орієнтованими перпендікулярно і паралельно площині графена. Знайдено в замкнутому вигляді і чисельно проаналізовано перетини розсіювання електронів. Показано, що цей механізм розсіювання містить ненульований перетин розсіювання назад і може помітно впливать на провідність графена.

Дод.точки доступу:
Senbeta, T.; Mal'nev, V. N.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)