Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=металлоорганические соединения из газовой фазы<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Sritonwong, P.
Structural Properties of lattice-matched InGaPN GaAs (001) / P. Sritonwong // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 3. - P. 276-282 : рис. 5, табл. 1. - Бібліогр.: с. 281-282 (22 назви)

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
InGaPN -- RTA -- ШТВ -- швидкий термічний відпал -- быстрый термический отжиг -- HRXRD -- РДВРЗ -- MOVPE -- метод епітаксії -- металоорганічні з'єднання з газової фази -- метод эпитаксии -- металлоорганические соединения из газовой фазы -- Raman scattering -- Раманівська спектроскопія -- спектроскопія Раманівська -- Рамановская спектроскопия -- спектроскопия Рамановская
Анотація: Досліджено властивості структури InGaPN на GaAs (001), узгоджені за параметром гратки, із застосуванням рентгенівської дифракції високої роздільної здатності (РДВРЗ), Раманівської спектроскопії (РС) і автономної силової мікроскопії (АСМ). Шари InGaPN були вирощені методом епітаксії металоорганічних з'єднань з газової фази. При отримані InGaPN, узгодженго за параметром гратки, на GaAs швидкості потоків тріметіліндія і тріметілгалія були, відповідно, 14,7 та 8,6 мкмоль/хв. Зміст N було оптимізовано при швидкості потоку диметилгидразина (попередник N), що дорівнює 300 мкмоль/хв. Комбінуючи РДВРЗ і РС вимірювання, зміст In i N оцінено як 55,8 і 0,9 ат.%, відповідно. Для всіх шарів, неузгодженість гратки була менше 0,47%. Для поліпшення якості гратки InGaPN шарів, застосований швидкий термічний відпал (ШТВ) при температурі 650% ^оС, оптимальної для зростання GaAs буферного шару. Час відпалу змінювався від 30 до 180 с для досягнення однорідності складу. Збільшення часу відпалу до 120 с призвело до незначного зростання змісту In і N. При цьому АСМ показала, що середньоквадратична шорсткість InGaPN поверхні зменшилася. При збільшенні часу відпалу різко падає вміст N без змін у вмісті In. Середньоквадратична шорсткість також зростає. ШТВ при 650 ^оС протягом 120 с значно поліпшив властивості структури шарів InGaPN (001), узгоджених за параметром гратки.

Дод.точки доступу:
Sanorpim, S.; Onabe, K.

Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1)
Вільні: ЧЗНЛ (1)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)