Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>K=напівпровідникові вироби<.>
Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2
1.


    Баранський, П. I.
    Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

   Енергетика

   Напівпровідникові матеріали та вироби

Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

2.


    Баранський, П. І.
    Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

   Енергетика

   Напівпровідникові матеріали і вироби

Кл.слова (ненормовані):
напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- монокристали -- монокристаллы -- тензоопір -- тензоопир -- концентраційна залежність -- концентрационная зависимость
Анотація: Розглядається концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)