Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (13)

Мережеві ресурси (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=полупроводниковые материалы<.>

Загальна кількість знайдених документів : 5
Показані документи с 1 за 5

Баранський, П. I.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали і вироби
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- монокристали -- монокристаллы -- тензоопір -- тензоопир -- концентраційна залежність -- концентрационная зависимость
Анотація: Розглядається концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Баранський, П. І.
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Sі / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- високотемпературні відпали -- высокотемпературные отпали -- електрони -- электроны -- параметри анізотропій -- параметры анизотропий
Анотація: Розглядається вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Результати натурних вимiрювань iнтенсивностi сонячного випромiнювання в м. Київ / Б. Є. Патон [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 8. - С. 77-84 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия, 2009-2010 гг.
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби, 2009-2010 рр.
   Україна
    Украина
    Київ
    Киев
Кл.слова (ненормовані):
полупроводниковые материалы -- напівпровідникові матеріали -- сонячне випромiнювання -- солнечное излучение -- прогнозування технічних характеристик -- прогнозирование технических характеристик -- фотоелектричні сонячні електростанції -- фотоэлектрические солнечные электростанции
Анотація: Представлені результати вимірювань інтенсивності сонячного випромінювання, проведені в період 2009-2010 рр. в г. Киев. Методика дозволяє отримати інформацію для прогнозування технічних характеристик автономних фотоелектричних сонячних електростанцій для тих регіонів, де проводяться вимірювання.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Патон, Б. Є. (академік НАН України); Клюй, М. I.; Коротинський, О. Є.; Макаров, А. В.; Трубiцин, Ю. О.

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал . - 2017. - № 5. - С. 45-50 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
кремній -- кремний -- германій -- германий -- концентрація домішок -- концентрация примесей -- параметри анізотропії термо-ЕРС -- параметры анизотропии термо-ЭДС -- кристали -- кристаллы -- електрони -- электроны -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы
Анотація: При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M=?^?||/?^?? у широкому інтервалі концентрацій (1,9 · 10¹² n_е ? N_I 4,6 · 10¹⁷ см^–3). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵ см^–3.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)