Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=фоточутливість<.>

Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2

Ковальчук, В. (доктор фізико-математичних наук; Військова академія; м. Одеса).
Твердотільні датчики на основі гетеропереходів з нанокластерною підсистемою / В. Ковальчук // Метрологія та прилади : науково-виробничий журнал. - 2012. - № 6. - С. 62-64. - Бібліогр. в кінці ст. 7 назв. - 6 рис. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

681.586.73

Рубрики: Вимірювальні перетворювачі
Измерительные преобразователи
Кл.слова (ненормовані):
вимірювальні перетворювачі -- измерительные преобразователи -- нанометрологія -- нанометрология -- інформаційно-вимірювальні системи -- информационно-измерительные системы -- фоточутливість датчиків -- фотовосприимчивость датчиков
Анотація: Розглянуто конструктивні особливості твердотільного датчика на основі гетеропереходу, що має нанокластерну підсистему.

Знайти схожі

Савкіна, Р. К.
Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 7. - С. 70-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Фізика
   Загальні питання фізики
   Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормовані):
ультразвукова кавітація -- оптоелектроніка -- напівпровідники -- кріогенна рідина -- кавітаційні порожнини -- фоточутливість -- кремній -- акустична кавітація -- ультразвуковая кавитация -- оптоэлектроника -- полупроводники -- криогенная жидкость -- кавитационные полости -- фоточувствительность -- кремний -- акустическая кавитация
Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см²), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.

Дод.точки доступу:
Смірнов, О. Б.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)