Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>A=Гайдар, Г. П.@<.>

Загальна кількість знайдених документів : 9
Показані документи с 1 за 9

Гайдар, Г. П.
Епітаксійне вирощування нанооб’єктів і умови прояву ефекту самоорганізації / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2010. - № 1. - С. 98-102. - Библиогр.: с. 101-102. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
матеріалознавство -- материаловедение -- молекулярно-променевої епітаксії -- молекулярно-лучевая епитаксия -- нанооб’єкти -- нанообъекты -- нанокластери -- наноклостеры -- квантові точки -- квантовые точки -- механічні напруження -- механические напряжения -- іонний поток -- ионный поток -- самоорганізація -- самоорганизация -- енергетика -- энергетика
Анотація: Проаналізовано умови прояву ефекту самоорганізації при вирощуванні нанооб’єктів методом молекулярно-променевої епітаксії.

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Баранський, П. І.
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2010. - № 11. - С. 77-80 : ил. - Библиогр.: с. 79-80. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Провідникові матеріали та вибір
Кл.слова (ненормовані):
провідникові матеріали -- проводниковые материалы -- ізотропність -- изотропность -- розсіяння -- рассеяние -- легуючі домішки -- легирующие примеси -- n-кремній -- n-кремний -- монокристали -- монокристаллы -- градієнт температури -- градиент температуры -- анізотропія -- анизотропия
Анотація: Експерементально доведено, що в сильно легованих монокристалах наявність градієнта температури не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки.

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Баранський, П. I.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали і вироби
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- монокристали -- монокристаллы -- тензоопір -- тензоопир -- концентраційна залежність -- концентрационная зависимость
Анотація: Розглядається концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Баранський, П. І.
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Sі / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- високотемпературні відпали -- высокотемпературные отпали -- електрони -- электроны -- параметри анізотропій -- параметры анизотропий
Анотація: Розглядається вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 6. - С. 68-73 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Фізика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
   Физика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2016. - № 7. - С. 62-69 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Фізика
   Електротехніка у цілому
   Техника
   Электротехника в целом
Кл.слова (ненормовані):
германій -- термодонори -- термовідпали -- опромінення -- швидкі нейтрони -- радіаційна стійкість -- електрично-активні центри -- механічні напруження -- германий -- термодоноры -- термоотжиг -- облучение -- быстрые нейтроны -- радиационная стойкость -- механические напряжения
Анотація: У зразках Cz?Si n-типу, легованих iзовалентною домiшкою германiю, виявлено суттєве зниження ефективностi утворення термодонорiв у процесi термовiдпалiв, а також встановлено пiдвищення радiацiйної стiйкостi приблизно на порядок при опромiненнi nSi (Ge) швидкими нейтронами реактора.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал . - 2017. - № 5. - С. 45-50 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
кремній -- кремний -- германій -- германий -- концентрація домішок -- концентрация примесей -- параметри анізотропії термо-ЕРС -- параметры анизотропии термо-ЭДС -- кристали -- кристаллы -- електрони -- электроны -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы
Анотація: При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M=?^?||/?^?? у широкому інтервалі концентрацій (1,9 · 10¹² n_е ? N_I 4,6 · 10¹⁷ см^–3). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵ см^–3.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge ‹As› під впливом термовідпалів / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної Академії наук України : наук.-теорет. журн. - 2018. - № 6. - С. 58-66 : іл. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Енергетика
   Энергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормовані):
германій -- сильне легування -- домішки миш’яку -- концентрація носіїв заряду -- рухливість носіїв заряду -- термічні відпали -- мікроструктура -- метод Чохральського -- Чохральського метод -- германий -- сильное легирование -- примеси мышьяка -- концентрация носителей заряда -- подвижность носителей заряда -- термические отжиги -- микроструктура -- метод Чохральского -- Чохральского метод
Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш’яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)