Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>A=Козинець, О.@<.>
Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2
1.


    Козинець, О. (кандидат історичних наук).
    Судоустрій і судочинство за судебниками 1497 та 1550 рр. / О. Козинець // Підприємництво, господарство, право : науково-практичний господарсько-правовий журнал. До 2001 г. виходив російською мовою. - 2010. - № 3. - С. 35-38. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
УДК
ББК 67.3
Рубрики: Право
   Історія держави і права

   Право

   История государства и права

Кл.слова (ненормовані):
судова система -- судовий процес -- судебники -- судоустрій -- історія судового устрію -- система судів -- система судових органів -- судові документи -- судебная система -- судебный процесс -- судоустройство -- история судебного устройства -- система судов -- система судебных органов -- судебные документы
Анотація: В статье исследуются основные черты судебного усторйства и судебного процесса в Московском государстве по Судебникам 1497 и 1550 гг.


Дод.точки доступу:
Судебник 1497 \о произв.\; Судебник 1550 \о произв.\
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

2.


    Козинець, О. В.
    Фізичні властивості кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основі "глибокого" p-n-переходу / О. В. Козинець // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 318-325 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 324-325 (21 назва). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Фотоелектроніка

   Фотоэлектроника

Кл.слова (ненормовані):
сонячні елементи -- кремнієвий p-n-перехід -- фотострум -- швидкість поверхневої рекомбінації -- солнечные элементы -- кремниевый р-n-переход -- фототок -- скорость поверхностной рекомбинации
Анотація: Обгрунтовано можливість використання кремнієвого переходу для ефективних сенсорних структур. Показано, що в умовах опромінення світлом з області сильного поглинання фотострум суттєво залежить від рекомбінаційних характеристик та зарядового стану поверхні у випадку оптимальних параметрів переходу. Визначено, що товщина освітлювальної області для такої структури повинна перевищувати довжину дифузії неосновних носіїв заряду. Визначено також, що більшій довжині дифузії відповідають більші зміни фотоструму при адсорбції на робочій поверхні. З використанням числового моделювання проаналізовано можливість зміни області застосування переходу від фотоперетворювача до сенсорної структури при певному виборі його параметрів. Обговорено фізичні механізми, які можуть пов'язувати зміни ефективної швидкості із процесами адсорбції полярних молекул. Сенсорні властивості запропонованих структур досліджено для декількох аналітів. Експериментально продемонстровано придатність такої структури для створення хімічних сенсорів, які мають функцію селективності та підтримують концепцію електронного носу.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\6.pdf

Дод.точки доступу:
Литвиненко, С. В.; Скришевський, В. А.

Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)