Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=електронні стани<.>

Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4

Покутний, С. И.
Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред / С. И. Покутний, В. Л. Карбовский, А. П. Шпак // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 6. - С. 75-83 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Оптика в целом
   Фізика
   Оптика в цілому
Кл.слова (ненормовані):
оптика -- диэлектрические среды -- діелектричні середовища -- эллипсоидальная поверхность -- еліпсоїдальна поверхня -- электронные состояния -- електронні стани -- магнитные поля -- магнітні поля -- электростатические изображения -- електростатичні зображення -- наночастицы -- наночастинки
Анотація: Теоретически и экспериментально изучается влияние однородного магнитного поля на электронные, локализованные силами электростатического изображения над поверхностью эллипсоидальной диэлектрической наночастицы.

Дод.точки доступу:
Карбовский, В. Л.; Шпак, А. П. (академик НАН Украины)

Знайти схожі

Горячко, А.
Пропозиція структури графен/Ge(111) на основі дослідження методом скануючої тунельної мікроскопії у надвисокому вкуумі [Текст] / А. Горячко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 77-90 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 90 (27 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Фізика
Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормовані):
германій -- графен -- сканувальна тунельна мікроскопія -- електронні стани -- електронні структури -- напівпроводники -- електрична провідність -- рух заряджених частинок -- електричне поле -- магнітне поле -- германий -- сканирующая туннельная микроскопия -- электронные состояния -- электронные структуры -- полупроводники -- электрическая проводимость -- движение заряженных частиц -- электрическое поле -- магнитное поле
Анотація: У роботі наведено результати експериментальних спостережень методом скануючої тунельної мікроскопії нової поверхневої надструктури 5,5v3 x 5,5v3 - R30^o на підкладці Ge(111). Їй притаманні яскраво виражені ефекти локальної густини електронних станів, що спричиняють сильну залежність СТМ зображень від тунельної напруги, а також їхні динамічні зміни при 300 К. Запропновонано інтерпретацію даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кількостях шляхом піролізу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери під час відпалу зразка Ge(111) при 900 К. Побудовано атомарну модель гетероепітаксійного інтерфейсу графен/Ge(111)-5,5v3 х 5,5v3 - R30^o, що відзначається реконструйованою підкладкою Ge(111) без дального порядку під шаром графену, який є періодично вигнутим по висоті внаслідок просторових варіацій міжатомної геометрії надзвичайно сильно неузгоджених граток Ge(111) та графен (0001).

Дод.точки доступу:
Мельник, П. В.; Находкін, М. Г.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Бойко, І. В.
Внесок двофотонних електронних переходів у формування активної динамічної провідності трибар'єрних резонансно-тунельних структур із постійним електричним полем [Текст] / І. В. Бойко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 68-76 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 75-76 (16 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Фізика напівпровідників і діелектриків
Кл.слова (ненормовані):
резонансно-тунельна структура -- квантовий каскадний лазер -- квантовий каскадний детектор -- активна динамічна провідність -- двофотонний електронний перехід -- електронні стани -- електронні структури -- рівняння Шредінгера -- Шредінгера рівняння -- лазерне випромінювання -- електричне поле -- поглинання електромагнітних хвиль -- наноструктури -- резонансно-туннельная структура -- квантовый каскадный лазер -- квантовый каскадный детектор -- активная динамическая проводимость -- двухфотонный электронный переход -- электронные состояния -- электронные структуры -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнение -- лазерное излучение -- электрическое поле -- поглощения электромагнитных волн -- наноструктуры
Анотація: У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар'єрів для електрона, з використанням знайдених розв'язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури з прикладеним постійним поздовжнім електричним полем у слабкому електромагнітному полі з урахуванням внеску лазерних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що для лазерних електронних переходів величина внеску двофотонних переходів у формування загальної величини активної динамічної провідності в лазерних переходах не більша за 38%. Встановлено геометричні конфігурації резонансно-тунельної структури, для яких за рахунок двофотонних лазерних електронних переходів отримується зростання інтенсивності лазерного випромінювання.

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Бойчук, В. І.
Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. І. Бойчук // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Напівпровідники
   Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
квантові точки -- надгратки -- електронні стани -- мінізона -- електрична провідність -- квантовые точки -- сверхрешетки -- электронные состояния -- минизоны -- электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf

Дод.точки доступу:
Білинський, І. В.; Пазюк, Р. І.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)