Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=кристаліти<.>

Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2

Кореляція кристалічної структури та динамічних механічних властивостей нанокомпозитів ЕП-3%СdO та ЕП-3% (СdO + ПАн) / Ю. В. Бардадим [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 1. - С. 63-71 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

678

ББК 35.71
Рубрики: Химическая технология
   Высокомолекулярные соединения в целом
   Хімічна технологія
   Високомолекулярні сполуки в цілому
Кл.слова (ненормовані):
хімічні технології -- химические технологии -- рентгеноструктурний аналіз нанокомпозитів -- рентгеноструктурный анализ нанокомпозитов -- високомолекулярні сполуки -- высокомолекулярные соединения -- нанокомпозити -- нанокомпозиты -- кристаліти -- кристаллиты -- фізичні поля -- физические поля
Анотація: Вперше проведено рентаеноструктурний аналіз нанокомпозитів ЕП — 3%CdO та ЕП — 3%(CdO + ПАн). Встановлено, що CdO не змінює свою кристалічну кубічну систему в складі нанокомпозитів. Показано, що формування хімічної сітки термореактопласта приводить до зменшення розмірів кристалітів CdO з 24,9 до 14,2 нм. Динамічні механічні дослідження нанокомпозитів показали, що формування під впливом ПМП або ПЕП зумовлює депресію модуля еластичності порівняно із зразками, сформованими у звичайних умовах. Енергію активації процесів силування ЕП можна направлено змінювати, залучаючи до отверднення фізичні поля.

Перейти к внешнему ресурсу: \\tower-2008\textlok\Адвокат\\Доповіді НАН Укр_2014_1\11.pdf
Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Бардадим, Ю. В.; Віленський, В. О.; Гомза, Ю. П. (член-кореспондент НАН України); Керча, Ю. Ю. (член-кореспондент НАН України); Ткаліч, М. Г.

Знайти схожі

Вплив олова на структури перетворення тонкоплівкової субоксидної матриці кремнію [Текст] / В. В. Войтович, Р. М. Руденко, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 986-991 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 990-991 (29 назв)

УДК

538.975

Рубрики: Фізика
   Физика
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
кристалізація -- аморфний кремній -- олово -- кристаліти кремнію нанорозмірів -- кристализация -- аморфный кремний -- кристаллиты кремния наноразмеров -- фізика тонких плівок -- ниткоподібні кристали -- дендрити -- физика тонких пленок -- нитевидные кристаллы -- дендриты
Анотація: Досліджено процеси кристалізації аморфного кремнію (а-Si) в субоксидній матриці а-SiO_хSn. Показано, що температура, при якій починається процес кристалізації, тим нижча, чим більше олова міститься в а-SiO_хSn плівках. Для зразків з максимум олова (2% до об'єму SiO_х) кристалізація починається при температурі 500 ^оС, для зразків з середнім значенням олова (1%) температура кристалізації становить 800 ^оС і для зразків з мінімум олова (0,5%), процес кристалізації а-Si починається при 1000 ^оС. З іншого боку, показано, що олово не впливає на процеси розділення фаз а-Si та SiO₂ у досліджуваних зразках в процесі відпалів. З розрахунків встановлено, що у а-SiO_хSn плівках з високим вмістом олова (1 та 2%) в процесі кристалізації а-Si формуються кристаліти кремнію значно менших розмірів (d ? 5-7 нм) порівняно із нелегованими оловом зразками (d ? 10нм). Запропоновано метало-індукований механізм кристалізації а-Si, який передбачає наявність металічних кластерів олова в SiO_х, які створюють умови для більш раннього переходу аморфної фази кремнію в кристалічну. Враховуючи експериментальні дані, ми припускаємо, що у нашому випадку необхідною умовою для початку кристалізації а-Si є наявність металічних скупчень олова в SiO_х, і має місце метало-індукований механізм кристалізації.

Дод.точки доступу:
Войтович, В. В.; Руденко, Р. М.; Юхимчук, В. О.; Войтович, М. В.; Красько, М. М.; Колосюк, А. Г.; Поварчук, В. Ю.; Хацевич, І. М.; Руденко, М. П.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)