Масс-спектрометрическое определение компонентов желчи методом DIOS с использованием модифицированного пористого кремния / О. В. Севериновская [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2010. - № 6. - С. 164-168. - Библиогр.: с. 168. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Химия Химические методы анализа Хімія Хімічні методи аналізу Кл.слова (ненормовані): биохимический анализ -- біохімічний аналіз -- кремний -- кремній -- биомолекулы -- біомолекули -- ионизация -- іонізація -- желч -- патология -- патологія -- организмы -- організми -- диагностика -- діагностика Анотація: Рассматриваются области применения пористого кремния. Дод.точки доступу: Севериновская, О. В.; Алексеев, С. А.; Гурская, С. В.; Лавриненко, О. Ю.; Зайцев, В. Н. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Баранський, П. І. Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2010. - № 11. - С. 77-80 : ил. - Библиогр.: с. 79-80. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Енергетика Провідникові матеріали та вибір Кл.слова (ненормовані): провідникові матеріали -- проводниковые материалы -- ізотропність -- изотропность -- розсіяння -- рассеяние -- легуючі домішки -- легирующие примеси -- n-кремній -- n-кремний -- монокристали -- монокристаллы -- градієнт температури -- градиент температуры -- анізотропія -- анизотропия Анотація: Експерементально доведено, що в сильно легованих монокристалах наявність градієнта температури не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Мазаев, В. Т. Оценка степени санитарной опасности соединений кремния в природной и питьевой воде (в порядке обсуждения) / В. Т. Мазаев, Т. Г. Шлепнина // Водоснабжение и сан. техника. - 2011. - № 7. - С. 13-20
Очистка води Россия Росія Кл.слова (ненормовані): очистка воды -- питьевая вода -- предельно допустимая концентрация -- ПДК -- нормативы -- жесткость воды -- солесодержание -- очистка води -- питна вода -- кремній -- гранично допустима концентрація -- ГДК -- нормативи -- жорсткість води -- солевміст Утримувачі документа: Днепропетровский национальный университет железнодорожного транспорта Дод.точки доступу: Шлепнина, Т. Г.; Сусликов, В. Л. (доктор медицинских наук; професор) \о нем\ Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1) Вільні: ЧЗНЛ (1) |
Стратийчук, Д. А. Пропитка амфорного бора расплавом кремния в условиях высоких давлений и температур / Д. А. Стратийчук // Доповіді Національної академії наук України. - 2011. - № 3. - С. 94-99 : ил. - Библиогр.: с. 98. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Химическая технология Керамические изделия Хімічна технологія Керамічні вироби Кл.слова (ненормовані): химическая технология -- хімічна технологія -- промышленные материалы -- промислові матеріали -- огнеупорные плиты -- вогнетривкі плити -- композиты -- композити -- керамика -- кераміка -- кремний -- кремній -- аморфный бор -- аморфний бор -- высокие давления -- високі тиски -- температура Анотація: Предложен метод получения керамики. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Плющай, І. В. Магнітний стан крайової дислокації в кремнії / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 83-88 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): кристалографія -- кристаллография -- кремній -- кремний -- крайова дислокація -- краевая дислокация -- магнітний стан -- магнитное состояние -- електронні спектри -- электронные спектры -- метод функціоналу густини -- метод функционала плотности -- градієнтне наближення -- градиентное приближение Анотація: Електронні спектри та магнітний момент крайової дислокації в кристалічному кремнії розраховано методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПИ" Дод.точки доступу: Макара, В. А. (член-кореспондент НАН України); Плющай, О. І. |
Станіславський, В. (кандидат юридичних наук; асистент кафедри земельного та аграрного права Національного університету "Юридична академія України імені Ярослава Мудрого"; м. Харків; Україна). Загальноправові засади використання пісків як виду корисних копалин / В. Станіславський // Право України : Юридичний журнал. - 2013. - № 3/4. - С. 396-404. - Бібліогр. в кінці ст. . - ISSN 0132-1331 Рубрики: Право Горное право Гірниче право Украина Україна Кл.слова (ненормовані): геологическое обслуживание -- геологічне обслуговування -- государственная экологическая политика -- державна екологічна політиика -- горные карьеры -- гірничі кар'єри -- кремний -- кремній -- маркшейдерская документация -- маркшейдерська документація -- национальное законодательство -- національне законодавство -- недра -- надра -- охрана окружающей среды -- охорона навколишнього середовища -- первичное документирование -- первинне документування -- песок -- пісок -- полезные ископаемые -- корисні копалини -- правовое регулирование -- правове регулювання -- промышленная добыча песка -- промислове видобування піску -- разрешительные системы -- дозвільні системи -- хозяйственное использование -- господарське використання -- хозяйственные правоотношения -- господарські правовідносини Анотація: Розглянуто проблему використання та охорони пісків як виду корисних копалин. Проводиться дослідження правовідносин, що виникають під час користування пісками надр у цілях, як пов’язаних, так і не пов’язаних із видобутком корисних копалин. Детально визначаються види користування пісками надр та особливостей їх правового регулювання. Обґрунтовується забезпечення реалізації державної політики у галузі користування цими надрами. Виділяються вимоги щодо організації геологічного та маркшейдерського обслуговування, ведення первинної геологічної та маркшейдерської документації, меж земельної ділянки надр та гірничого відводу. Ставиться питання щодо законності процесу видобування пісків проміжного розкриву за умови їх відсутності у спеціальному дозволі на користування надрами. Визначається, що видобування пісків здійснюється на засадах оптимального сполучення публічних і приватних інтересів. Запропоновано наукові напрями вдосконалення правового регулювання у забезпеченні використання та охорони пісків як виду корисних копалин. Утримувачі документа: Днепропетровская ЦГБ : г.Днепропетровск, ул. Ленина, 23 Дод.точки доступу: днепропетровский автор, но не о Днепропетровске; Кодекс Украины о недрах \о произв.\; Кодекс України про надра \о произв.\ Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1) Вільні: ЧЗНЛ (1) |
Капсулирование кварцевого песка пироуглеродом в электротермическом псевдоожиженном слое / В. А. Богомолов [и др.] // Энерготехнологии и ресурсосбережение. - 2013. - № 5. - С. 33-37 : ил. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0235-3482
Рубрики: Химическая технология Технология переработки нефти и газа Хімічна технологія Технологія переробки нафти та газу Кл.слова (ненормовані): химические технологии -- хімічні технології -- капсулирование кварцевого песка -- капсулирование кварцового піску -- пироуглерод -- піроуглерод -- электротермический псевдоожиженный слой -- електротермічний псевдозріджений шар -- высокочистый кремний -- високочистий кремній -- пиролиз метана -- піроліз метану Анотація: Создана установка для нанесения пироуглерода на частицы кварцевого песка. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Богомолов, В. А. (кандидат технических наук); Кожан, А. П. (кандидат технических наук); Бондаренко, Б. И. (академик, доктор технических наук, профессор); Ховавко, А. И. (кандидат технических наук); Семейко, К. В. (аспирант) Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1) Вільні: ЧЗНЛ (1) |
Горбач, Т. Я. Функціональність гібридів ароматична сполука-кремній / Т. Я. Горбач, П. С. Смертенко, Є. Ф. Венгер // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 12. - С. 82-87 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Физика Электрический ток Фізика Електричний струм Кл.слова (ненормовані): электрический ток -- електричний струм -- сполука-кремній -- соединения-кремний -- гібриди -- гибриды -- сполуки фармацевтичного походження -- соединения фармацевтического происхождения -- перетворювачі сонячної енергії -- преобразователи солнечной энергии -- фотоприймачі -- фотоприемники -- випромінювачі -- излучатели -- біонеорганічні сполуки -- бионеорганические соединения -- фотовольтаїка -- фотовольтаика -- фотовольтаїчні параметри -- фотовольтаические параметры -- фотолюмінесценція -- фотолюминесценция Анотація: Досліджено чотири нові гібридні комбінації кремнію з органічною плівкою гетероциклічних ароматичних сполук фармацевтичного походження з функціональними якостями перетворювача сонячної енергії з ККД 8%, фотоприймача та випромінювача. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Смертенко, П. С.; Венгер, Є. Ф. (член-кореспондент НАН України) |
Елелектронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І. В. Плющай [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 11. - С. 90-95 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Кл.слова (ненормовані): матеріалознавство -- материаловедение -- атоми кисню -- атомы кислорода -- ядро -- кремній -- кремний -- магнітна взаємодія -- магнитное взаимодействие -- дислокація кисню -- дислокация кислорода -- домішки кисня -- примеси кислорода Анотація: Розглядається можливість виникнення магнітної взаємодії між дислокацією та домішкою кисня в кремнії. Утримувачі документа: НТБ НТУ "ХПІ" Дод.точки доступу: Плющай, І. В.; Макара, В. А. (член-кореспондент НАН України); Плющай, О. І.; Волкова, Т. В. |
Савкіна, Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 7. - С. 70-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Фізика Загальні питання фізики Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормовані): ультразвукова кавітація -- оптоелектроніка -- напівпровідники -- кріогенна рідина -- кавітаційні порожнини -- фоточутливість -- кремній -- акустична кавітація -- ультразвуковая кавитация -- оптоэлектроника -- полупроводники -- криогенная жидкость -- кавитационные полости -- фоточувствительность -- кремний -- акустическая кавитация Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см[[p]]2[[/p]]), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Дод.точки доступу: Смірнов, О. Б. |
Саніна, І. В. (завідувач сектору регіональних гідрогеологічних досліджень). Досвід виконання оцінки експлуатаційних запасів підземних вод у складних гідрогеологічних умовах Вигорлат-Гутинського пасма / І. В. Саніна, Г. Г. Лютий // Мінеральні ресурси України. - 2016. - № 3. - С. 12-16 : табл.; 2-рис. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Геологія Гидрогеология Гидрогеологія Україна Украина Вигорлат-Гутинська пастма Киблярське родовище Кл.слова (ненормовані): підземні води -- запаси підземних вод -- експлуатаційні запаси підземних вод -- хімічний склад підземних вод -- води тріщинних зон вулканітів -- кремній -- подземные воды -- запасы подземных вод -- эксплуатационные запасы подземных вод -- химический состав подземных вод -- воды трещинных вулканических зон -- кремний Анотація: Розглянуто досвід оцінки експлуатаційних запасів підземних вод Киблярського родовища, приуроченого до вулканітів Вигорлат-Гутинського пасма. Схематизовано гідрогеологічні умови, встановлено джерела формування експлуатаційних запасів підземних вод, проведено дослідно-фільтраційні роботи, визначено розрахункові параметри та підраховано експлуатаційні запаси підземних вод родовища. Перейти к внешнему ресурсу: \\tower-2008\textlok\Адвокат\\Мін_ресурси_Укр_2016_3\3.pdf Дод.точки доступу: Лютий, Г. Г. (кандидат геолого-мінералогічних наук; провідний співробітник) |
Манілов, А. І. Проблеми застосування поруватого кремнію для хімічного та фотокаталітичного виробництва водню [Текст] / А. І. Манілов // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 3. - С. 244-250 : рис. - Бібліогр.: с. 249-250 (23 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Україна Украина Кл.слова (ненормовані): поруватий кремній -- використання явищ в практичних цілях -- использование явлений в практических целях -- использование источников энергии -- використання джерел енергії -- дисоціація води -- водень -- пористый кремний -- диссоциация воды -- водород Анотація: Проаналізовано переваги кремнію і поруватого кремнію (ПК) як хімічних джерел водню, порівняно з іншими видами палива. В аналітичному вигляді отримано залежність об'єму водню, виробленого при взаємодії з водою, від поруватості матеріалу та відповідний енергетичний вихід при застосуванні газу у джерелах живлення електронних систем. Розраховано, що зростання поруватості кремнію супроводжується спаданням загального об'єму водню, виділеного при реакції з водою, порівняно до рівня видобутку Н[[d]]2[[/d]] з вихідної кремнієвої сировини. Закономірність пояснюється суттєвими втратами матеріалу протягом виготовлення ПК. Визначено, що оптимальне співвідношення між накопиченням водню у матеріалі і втратами кремнію у травнику відповідає поруватості 60-70%. При застосуванні утвореного водню у паливних елементах, травлення кремнію забезпечує ріст потужності джерела живлення, але зменшує його загальний енергоресурс. На основі зазначених механізмів показано недоцільність застосовування композитів на основі чистого наноПК для фотокаталітичної дисоціації води. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Вплив олова на структури перетворення тонкоплівкової субоксидної матриці кремнію [Текст] / В. В. Войтович, Р. М. Руденко, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 986-991 : рис. 6, табл. 1. - Бібліогр.: с. 990-991 (29 назв)
Физика Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормовані): кристалізація -- аморфний кремній -- олово -- кристаліти кремнію нанорозмірів -- кристализация -- аморфный кремний -- кристаллиты кремния наноразмеров -- фізика тонких плівок -- ниткоподібні кристали -- дендрити -- физика тонких пленок -- нитевидные кристаллы -- дендриты Анотація: Досліджено процеси кристалізації аморфного кремнію (а-Si) в субоксидній матриці а-SiO[[d]]х[[/d]]Sn. Показано, що температура, при якій починається процес кристалізації, тим нижча, чим більше олова міститься в а-SiO[[d]]х[[/d]]Sn плівках. Для зразків з максимум олова (2% до об'єму SiO[[d]]х[[/d]]) кристалізація починається при температурі 500 [[p]]о[[/p]]С, для зразків з середнім значенням олова (1%) температура кристалізації становить 800 [[p]]о[[/p]]С і для зразків з мінімум олова (0,5%), процес кристалізації а-Si починається при 1000 [[p]]о[[/p]]С. З іншого боку, показано, що олово не впливає на процеси розділення фаз а-Si та SiO[[d]]2[[/d]] у досліджуваних зразках в процесі відпалів. З розрахунків встановлено, що у а-SiO[[d]]х[[/d]]Sn плівках з високим вмістом олова (1 та 2%) в процесі кристалізації а-Si формуються кристаліти кремнію значно менших розмірів (d ? 5-7 нм) порівняно із нелегованими оловом зразками (d ? 10нм). Запропоновано метало-індукований механізм кристалізації а-Si, який передбачає наявність металічних кластерів олова в SiO[[d]]х[[/d]], які створюють умови для більш раннього переходу аморфної фази кремнію в кристалічну. Враховуючи експериментальні дані, ми припускаємо, що у нашому випадку необхідною умовою для початку кристалізації а-Si є наявність металічних скупчень олова в SiO[[d]]х[[/d]], і має місце метало-індукований механізм кристалізації. Дод.точки доступу: Войтович, В. В.; Руденко, Р. М.; Юхимчук, В. О.; Войтович, М. В.; Красько, М. М.; Колосюк, А. Г.; Поварчук, В. Ю.; Хацевич, І. М.; Руденко, М. П. Є примірники у відділах: ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний) |
Оленич, І. Б. Електричні властивості оксидокремнієвих гетероструктур на основі поруватого кремнію [Текст] / І. Б. Оленич, Л. С. Монастирський, Б. П. Коман // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2017. - Т. 62, № 2. - С. 166-171 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 170 (24 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Електрика. Електрокінетіка Электричество. Электрокинетика Кл.слова (ненормовані): поруватий кремній -- плівка оксиду кремнію -- ВАХ -- енергія активації електропровідності -- термостимульована деполяризація -- пористый кремний -- пленка оксида кремния -- энергия активации электропроводности -- термостимулированная деполяризация Анотація: Методами вольт-амперных характеристик і термоактиваційної спектроскопії вивчено процеси перенесення та релаксації носіїв заряду в оксидокремнієвих гетероструктурах на основі поруватого кремнію. Досліджено температурні залежності провідності експериментальних структур в інтервалі 80-325 К та визначено енергію активації електропровідності. На основі температурних залежностей струму деполяризації розраховано енергетичній розподіл локалізованих електронних станів, які впливають на процеси перенесення заряду у структурах на основі поруватого кремнію. Проаналізовано вплив поверхневого покриття поруватого шару тонкою плівкою SiO[[d]]x[[/d]] на його електричні характеристики. Отримані результати розширюють перспективу застосування оксидокремнієвих наносистем. Дод.точки доступу: Монастирський, Л. С.; Коман, Б. П. |
Гайдар, Г. П. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал . - 2017. - № 5. - С. 45-50 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Енергетика Напівпровідникові матеріали та вироби Кл.слова (ненормовані): кремній -- кремний -- германій -- германий -- концентрація домішок -- концентрация примесей -- параметри анізотропії термо-ЕРС -- параметры анизотропии термо-ЭДС -- кристали -- кристаллы -- електрони -- электроны -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы Анотація: При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M=?[[p]]?[[/p]]||/?[[p]]?[[/p]]? у широкому інтервалі концентрацій (1,9 · 10[[p]]12[[/p]] n[[d]]е[[/d]] ? N[[d]]I[[/d]] 4,6 · 10[[p]]17[[/p]] см[[p]]–3[[/p]]). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10[[p]]15[[/p]] см[[p]]–3[[/p]]. Дод.точки доступу: Баранський, П. І. |
Литовченко, В. Г. Механізм адсорбо-каталітичної активності наноструктурованої поверхні кремнію, легованої кластерами перехідних металів та їх оксидами / В. Г. Литовченко, Т. І. Горбанюк, В. С. Солнцев // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 7. - С. 601-610 : рис. 11, табл. 2. - Бібліогр.: с. 609-610 (25 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Загальні питання фізики Общие вопросы физики Кл.слова (ненормовані): наноструктурований кремній -- наноструктурированный кремний -- наночастинки -- наночастицы -- перехідні метали та їх окисли -- переходные металлы и их окислы -- адсорбційна чутливість -- адсорбционная чувствительность -- сірководень -- сероводород -- газовий сенсор -- газовый сенсор Анотація: Проведено теоретичний аналіз механізмів адсорбо-каталітичної активації композитів, виготовлених на основі поруватого кремнію з інкорпорованими наночастинками перехідних металів (Pd, W, Cu) та їх оксидів. Встановлено вплив адсорбованих атомів акцепторних елементів (О, S, F, Cl) на каталітичну активність перехідних металів при формуванні поверхневих нанокластерів оксидів перехідних металів. Механізм підвищення каталітичної активності перехідних металів з повністю заповненою d-зоною, імовірно, може полягати в зміні заповнення електронами d-станів (появі d-дірок над рівнем Фермі) при утворенні поверхневих нанокластерів оксидів перехідних металів. Представлено результати експериментальних досліджень адсорбо-електричного ефекту методом високо-частотних вольт-фарадних характеристик газочутливих структур з бар'єрами Шотткі, які характеризують дані процеси. Проведено аналіз експериментальних ізотерм адсорбції водню та сірководню на поверхні наноструктурованих композитів кремнію з нанокластерами міді, вольфраму, паладію та їх оксидів в порах. Було виявлено підвищену адсорбційну чутливість даних композитів до різних газів (Н[[d]]2[[/d]], Н[[d]]2[[/d]]S, H[[d]]2[[/d]]O) в порівнянні зі звичайним поруватим шаром кремнію. Встановлено, що при низьких тисках газу (?25 ppm) та/або при малих часах взаємодії адсорбат-підкладка реалізується механізм фізичної адсобрції, а при більш високих тисках та довготривалих процесах - хемосорбції. Цей висновок узгоджується з даними, отриманими з розрахунків теплоти адсорбції по експериментальним ізотермам, які дають значення 0,3-0,5 еВ. Перейти к внешнему ресурсу: \\New\textlok\Укр_фізич_журн_2017_7\8.pdf Дод.точки доступу: Горбанюк, Т. І.; Солнцев, В. С. |
Індукована оловом кристалізація аморфного кремнію при імпульсному лазерному опроміненні / В. Б. Неймаш, В. Мельник , Л. Л. Федоренко // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 9. - С. 802-813 : рис. 10. - Бібліогр.: с. 811-813 (44 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Фізика твердого тіла. Кристалографія у цілому Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормовані): сонячні елементи -- солненчные элементы -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- нанокристали -- нанокристаллы -- кремній -- кремний -- олово -- металом індукована кристалізація -- металлом индуцированная кристаллизация -- метод комбінаційного розсіювання світла -- метод комбинационного рассеивания света Анотація: Методом комбінаційного розсіювання світла досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію в тонкоплівкових структурах Si-Sn-Si під дією різних видів імпульсного лазерного опромінення. Експериментально визначено та проаналізовано залежності розмірів та концентрації нанокристалів Si від потужності лазерних імпульсів тривалістю 10 нс та 150 мкс з довжиною хвилі 535 нм та 1070 нм. Показано можливість ефективної індукованої оловом трансформації кремнію із аморфної фази в кристалічну за час порядку 10 нс в шарах а-Si товщиною 200 нм під дією імпульсу лазерного світла. Теоретичний розрахунок просторового і часового розподілу температур в зоні дії лазерного променя використано для інтерпретації експериментальних результатів. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_9\7.pdf Дод.точки доступу: Неймаш, В. Б. ; Мельник , В.; Федоренко, Л. Л. ; Шепелявий, П. Є.; Стрільчук, В. В. ; Ніколенко, А. С.; Ісаєв, М. В.; Кузьмич, А. Г. |
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon / S. Zainabidinov [et al.] // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - P. 951-954 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 954 (4 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): deformation -- деформація -- деформация -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- опір деформації -- elastic compression -- пружне стискування -- упругое сжатие -- монокристальный кремний -- монокристальний кремній -- тензоэлектрические свойства -- тензоелектричні властивості Анотація: Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих та термічно оброблених зразках Si:Zn i Si:Zn, Mn при одновісному пружному стискуванні. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв при стиску навколо кристалографічної осі [III] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\5.pdf Дод.точки доступу: Zainabidinov, S.; Mamatkarimov, O. O.; Khimmatkulov, O.; Tursunov, I. G. |
Быткин, С. В. Радиационная чувствительность планарных npn структур,изготовленных на изовалентно легированном германием кремнии (nsige) [Электронный ресурс] / С. В. Быткин, Т. В. Критская // Сучасні проблеми металургії: наукові вісті = Modern problems of Metallurgy: scientific bulletin : науковий вісник. - 2019. - N 22. - С. 13-21 : ил.,а-табл. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 2707-9457
Металургія Кл.слова (ненормовані): кремний легированный германием -- кремній легований германієм -- деградация усилительных свойств -- деградація підсилюючих властивостей -- тестовый транзистор -- действие ионизирующего излучения -- дія іонізуючого випромінювання Дод.точки доступу: Критская, Т. В. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |
Панченко, О. В. Аналіз результатів термічної обробки монокристалів кремнію, легованих домішкою бору [Электронный ресурс] / О. В. Панченко, І. Ф. Червоний // Теорія і практика металургії : загальнодержавний науково-технічний журнал. - 2019. - Том 118, N 1. - С. 77-80 : табл. - Бібліогр. в кінці ст. . - ISSN 1028-2335
Металлургия Кл.слова (ненормовані): монокристалічний кремній -- монокристаллический кремний -- домішка бору -- примесь бора -- метод Чохральського -- метод Чохральского -- термічна обробка -- термическая обработка -- матриця планування -- матрица планирования -- критерій Кохрену -- критерий Кохрена -- критерій Стьюдента -- критерий Стьюдента -- математична модель -- математическая модель Дод.точки доступу: Червоний, І. Ф. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |