Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In[[d]]2[[/d]] O[[d]]3[[/d]] + 5% SnO[[d]]2[[/d]]) [Текст] / В. В. Ільченко [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 40-45 : рис. 3. - Бібліогр.: с. 45 (19 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Рубрики: Фізика Физика Полупроводниковые приборы Напівпровідникові прилади Кл.слова (ненормовані): газові сенсори -- адсорбція -- діелектрична проникність -- електричні сили зображення -- використання якостей твердого тіла -- напівпровідникова електроніка -- бар'єр Шотткі -- Шотткі бар'єр -- газовые сенсоры -- адсорбция -- диэлектрическая проницаемость -- электрические силы изображения -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- использование свойств твердого тела -- полупроводниковая электроника Анотація: Проведено експериментальні дослідження електрофізичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni - (95% In[[d]]2[[/d]] O[[d]]3[[/d]] + 5% SnO[[d]]2[[/d]]) - p-Si. Аналіз їх вольтамперних характеристик, отриманих у різних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмів крізь зразки в присутності пари етилового та ізопропілового спиртів. Для пояснення цих змін розглянуті різні механізми протікання струму крізь гетероперехід. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гілок ВАХ даних зразків відіграють зміни висоти потенціального бар'єра гетеропереходу, спричинені зміною дії сил електростатичного зображення в інтерфейсі. А зміни дії сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовлені впливом адсорбату на діелектричну проникність оксидних плівок. Дод.точки доступу: Ільченко, В. В.; Костюкевич, О. М.; Лендєл, В. В.; Радько, В. І.; Голобородько, Н. С. Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене) |