Kozinetz, A. V. Amorphous submicron layer in deplation region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 37-47 : рис. 8, табл. 1. - Бібліогр.: с. 45-47 (37 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
Физика Будова матерії Строение материи Кл.слова (ненормовані): amorphized layer -- аморфізований шар -- аморфизированный слой -- space charge region -- область просторового заряду -- область пространственного заряда -- n+ -p silicon solar cell -- n+ -p кремнієвий сонячний елемент -- n+ -p кремниевый солнечный элемент -- semiconductor structures -- напівпровідникові структури -- полупроводниковые структуры Анотація: Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна стоврити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки дозволяє досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в заборонені зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено методом чисельного моделювання, який дозволяє отримати світлові вольт-амперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично, можливо отримати, підвищення ефективності на 1-2% за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10-12% (внаслідок обмеження інжекції в р-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) повинен бути розташованим поблизу базової області. Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\5.pdf Дод.точки доступу: Skryshevsky, V. A. |