Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Пошуковий запит: <.>A=Trubaieva, O. G.@<.>
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.


    Trubaieva, O. G.
    Band gap change of bulk ZnSxSe1-x semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 32-36 : рис. 4, табл. 1. - Бібліогр.: с. 35-36 (28 назв.). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Оптичні властивості і спектри

   Оптические свойства и спектры

Кл.слова (ненормовані):
ZnSxSe1-x -- bulk crystals -- об'ємні кристали -- обьемные кристаллы -- direct transitions -- прямі переходи -- прямые переходы -- indirect transitions -- непрямі переходи -- непрямые переходы -- band gap -- заборонена зона -- запрещенная зона
Анотація: Об'ємні кристали ZnSxSe1-x були вирощені за методом Бриджмена-Стокбаргера. Прозорість зразків ZnSxSe1-x становила від 67% до 56% на ? = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якість кристалів. Оптичні експерименти показали відсутність нових станів з включенням сірки, заборонена зона безперервно рухається зі складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1-x кристала варіювалася від 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходів і від 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\4.pdf

Дод.точки доступу:
Lalayants, A. I.; Chaika, M. A.

Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)