Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=вольт-амперні характеристики<.>

Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4

Прохоров, Э. Д.
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 75-80. - Библиогр. в конце ст. - рис. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом
   Радіоелектроніка
   Електроніка в цілому
Кл.слова (ненормовані):
физика -- фізика -- электроника -- електроніка -- междолинный перенос -- міждолинне перенесення -- электроны -- електрони -- генерация диодов -- генерація діодів -- диоды -- діоди -- туннельные границы -- тунельні кордони -- вольт-амперные характеристики -- вольт-амперні характеристики
Анотація: Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs.

Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Клименко, О. А.

Знайти схожі

Жовтянський, В. А.
Роль прианодних процесів в енергетиці жевріючого розряду [Текст] / В. А. Жовтянський, О. В. Анісімова // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 2. - С. 104-112 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 112 (22 назви) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

533.9

Рубрики: Фізика
   Физика
   Электронные и ионные явления. Физика плазмы
   Електронні та іонні явища. Фізика плазми
Кл.слова (ненормовані):
жевріючий розряд -- сферичний діод -- короткий діод -- електричне поле -- прианодні процеси -- гідродинамічна модель -- вольт-амперні характеристики -- тлеющий разряд -- сферический диод -- короткий диод -- электрическое поле -- прианодные процессы -- гидродинамическая модель -- вольт-амперные характеристики
Анотація: Проаналізовано роль прианодних процесів у формуванні самоорганізованої структури жевріючого розряду (ЖР) на прикладі сферичного діода. Його особливість, як і короткого плоского діода - відсутність позитивного стовпа. Дослідження виконане методом чисельного експерименту, результати якого порівнюються з вимірюванням вольт-амперних характеристик ЖР та напруженості електричного поля зондовим методом. Показано, що граничні умови на аноді повинні формулюватися з урахуванням можливості формування прианодного скачка потенціалу. Це значно зменшує розрахункове падіння потенціалу на діоді, що відповідає експериментальним результатам.

Дод.точки доступу:
Анісімова, О. В.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Оптичні та електрофізичні властивості гетероструктури 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si [Текст] / В. А. Виниченко [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 3. - С. 251-258 : рис., табл. - Бібліогр.: с. 257-258 (39 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

538.958

Рубрики: Фізика
   Физика
   Оптичні властивості і спектри
   Оптические свойства и спектры
   Україна
    Украина
Кл.слова (ненормовані):
вольт-амперні характеристики -- спектр поглинання -- тонкі плівки -- прозорі оксиди -- вольт-амперные характеристики -- спектр поглощения -- тонкие пленки -- прозрачные оксиды
Анотація: У роботі розглянуто оптичні та електрофізичні властивості гетероструктур 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si з товщиною плівок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення та структуровану поверхню кремнію. Показано, що для плівки товщиною 6 нм характерна наявність декількох піків оптичного поглинання, тоді як у структурі з товщиною 12 нм в тому ж спектральному діапазоні ці максимуми відсутні. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромінювання на електрофізичні властивості структур 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si та показано, що відгук досліджуваних структур на газове середовище пов'язаний з діелектричною проникністю абсорбату. Результати даного дослідження можна застосовувати при розробці резистивних газових сенсорів на основі плівок 95% In₂O₃ + 5% SnO₂/ns-Si.

Дод.точки доступу:
Виниченко, В. А.; Бученко, В. В.; Голобородько, Н. С.; Лендел, В. В.; Лушкін, О. Є.; Телега, В. М.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Рrocessing of the digital images of analogous oscillograms at pulsed measurements [Electronic resource] / A. I. Ivon [и др.] // Системні технології = System technologies : Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. - 2020. - Том Т.126, N 1. - P54-66 : цв.ил. - Бібліогр. в кінці ст. . - ISSN 2707-7977

УДК

004.932:621.317.35

Рубрики: Комп'ютерні технології
   Компьютерные технологии
   Електровимірювальна техніка
   Электроизмерительная техника
Кл.слова (ненормовані):
digital image -- цифрове зображення -- determination of parameters by scan data -- визначення параметрів за даними сканування -- analog oscillogram -- аналогова осцилограма -- current-voltage characteristics -- вольт-амперні характеристики

Дод.точки доступу:
Ivon, A. I.; Istushkin, V. F.; Rybka, Yu. M.; Savran, S. V.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)