Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку
Каталог книг
Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)
Періодичні видання (друковані)
Статті, доповіді, тези
Рідкісні та цінні видання
Охоронні документи
Мережеві ресурси
Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>A=Прохоров, Э. Д.@<.>
Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2
1.


    Прохоров, Э. Д.
    Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 75-80. - Библиогр. в конце ст. - рис. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415
УДК
621.38
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом
   Радіоелектроніка
   Електроніка в цілому
Кл.слова (ненормовані):
физика -- фізика -- электроника -- електроніка -- междолинный перенос -- міждолинне перенесення -- электроны -- електрони -- генерация диодов -- генерація діодів -- диоды -- діоди -- туннельные границы -- тунельні кордони -- вольт-амперные характеристики -- вольт-амперні характеристики
Анотація: Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs.


Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Клименко, О. А.

Знайти схожі
2.


    Прохоров, Э. Д.
    Эффективность генерации планарных диодов n+-n-n+ с туннельными границами / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 3. - С. 82-89 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
УДК
621.382
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
   Радіоелектроніка
   Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
полупроводниковые приборы -- напівпровідникові прилади -- диоды с туннельными границами -- діоди з тунельними кордонами -- генерации планарных диодов -- генерації планарних діодів
Анотація: Рассматриваются диоды n+-n-n+ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами.

Перейти к внешнему ресурсу: \\tower-2008\textlok\Адвокат\\Доповіді НАН Укр_2014_3\13.pdf
Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Реутина, О. А.

Знайти схожі
 
Стандартний
Розширений
Професійний
За словником
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)