Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку
Каталог книг
Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)
Періодичні видання (друковані)
Статті, доповіді, тези
Рідкісні та цінні видання
Охоронні документи
Мережеві ресурси
Зона пошуку
 Знайдено у інших БД:Каталог книг (1)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>S=Напівпровідникові прилади<.>
Загальна кількість знайдених документів : 7
Показані документи с 1 за 7
1.
   656.2
   С 56

    Хмарский, Ю. И.
    Реализация защитных свойствконтактных элементов в условиях приминения современных бесконтактных полупроводниковых элементов / Ю. И. Хмарский // Современные информационные технологии на транспорте, в промышленности и образовании : Тезисы ІІ Междунар. научно-практ. конференции. 15.05.2008 - 16.05.2008 / Мин. транспорта и связи Украины. ДНУЖТ им. академика В. Лазаряна. Восточныу науч. центр трансп. Академии Украины. - Д. : ДИИТ, 2008. - С. 43
Рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
   Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
ТРУДЫ ДИИТА -- ПРАЦІ ДІІТУ -- КЕОМ -- бесконтактные элементы -- полупроводниковые элементы -- бесконтактні елементи -- напівпровідникові елементи

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі
2.
   656.2
   С 56

    Шаповалов, В. О.
    Використання методів кластерного аналізу для підбору напівпровідникових приладів з урахуванням розбросу параметрів / В. О. Шаповалов // Современные информационные технологии на транспорте, в промышленности и образовании : Тезисы ІІ Междунар. научно-практ. конференции. 15.05.2008 - 16.05.2008 / Мин. транспорта и связи Украины. ДНУЖТ им. академика В. Лазаряна. Восточныу науч. центр трансп. Академии Украины. - Д. : ДИИТ, 2008. - С. 85
Рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
   Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
ТРУДЫ ДИИТА -- ПРАЦІ ДІІТУ -- КЕОМ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- напівпровідникові прилади


Дод.точки доступу:
Шаповалов, В. А.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі
3.
   06
   У68

   
    Измерение зарядов восстановления силовых полупроводниковых приборов и исследование влияния разбросов этих зарядов на распределение токов и напряжений между полупроводниковыми приборами в преобразователях ЭПС / В. А. Музыкин, И. Ф. Василюк, В. А. Шаповалов, Г. В. Львов // Труды УЭМИИТа. - 1984. - Вып. 71. - С. 56-68
УДК
621.355
Рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
   Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
ТРУДЫ ДИИТА -- ПРАЦІ ДІІТУ -- КЕОМ -- КАЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- НАПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ


Дод.точки доступу:
Музыкин, В.А.; Василюк, И.Ф.; Шаповалов, В. А.; Львов , Г.В.

Знайти схожі
4.
   06
   В 85

    Хазен, М. М.
    Повышение эксплуатационной надежности силовых полупроводниковых приборов в преобразовательных агрегатах и их технико-экономическая эффективность / М. М. Хазен // Совершенствование нетяговых энергетических установок железнодорожного транспорта : сб. науч. тр. / ВНИИЖТ. - М., 1984. - С. 112-120
УДК
621.382.2/.3
629.423
Рубрики: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
   Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ АГРЕГАТЫ -- напівпровідникові прилади -- ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНІ АГРЕГАТИ -- НАДІЙНІСТЬ

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі
5.


    Каменцев, Г. Ю.
    Локомотивам- современные полупроводниковые приборы / Г. Ю. Каменцев // Локомотив. - 2012. - № 7. - С. 6-8 : рис.
УДК
621.314.63.002.2
629.42
Рубрики: Полупроводниковые приборы
   Напівпровідникові прилади
   Электроснабжение железнодорожного транспорта
   Електропостачання залізничного транспорту
   Локомотивы
   Локомотиви
   Росcия
    Роcія
Кл.слова (ненормовані):
полупроводниковые приборы -- напівпровідникові прилади -- электроснабжение железнодорожного транспорта -- електропостачання залізничного транспорту -- производство силовых полупроводниковых приборов -- виробництво силових напівпровідникових приладів -- тиристоры -- тиристори -- диодные модули -- диодні модулі


Дод.точки доступу:
ОАО \о нем\; Электровыпрямитель \о нем\

Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1)
Вільні: ЧЗНЛ (1)

Знайти схожі
6.


    Прохоров, Э. Д.
    Эффективность генерации планарных диодов n+-n-n+ с туннельными границами / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 3. - С. 82-89 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
УДК
621.382
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
   Радіоелектроніка
   Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
полупроводниковые приборы -- напівпровідникові прилади -- диоды с туннельными границами -- діоди з тунельними кордонами -- генерации планарных диодов -- генерації планарних діодів
Анотація: Рассматриваются диоды n+-n-n+ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами.

Перейти к внешнему ресурсу: \\tower-2008\textlok\Адвокат\\Доповіді НАН Укр_2014_3\13.pdf
Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Реутина, О. А.

Знайти схожі
7.


   
    Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In2 O3 + 5% SnO2) [Текст] / В. В. Ільченко [та ін.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 40-45 : рис. 3. - Бібліогр.: с. 45 (19 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
621.382
ББК 32.852
Рубрики: Фізика
   Физика
   Полупроводниковые приборы
   Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
газові сенсори -- адсорбція -- діелектрична проникність -- електричні сили зображення -- використання якостей твердого тіла -- напівпровідникова електроніка -- бар'єр Шотткі -- Шотткі бар'єр -- газовые сенсоры -- адсорбция -- диэлектрическая проницаемость -- электрические силы изображения -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- использование свойств твердого тела -- полупроводниковая электроника
Анотація: Проведено експериментальні дослідження електрофізичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni - (95% In2 O3 + 5% SnO2) - p-Si. Аналіз їх вольтамперних характеристик, отриманих у різних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмів крізь зразки в присутності пари етилового та ізопропілового спиртів. Для пояснення цих змін розглянуті різні механізми протікання струму крізь гетероперехід. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гілок ВАХ даних зразків відіграють зміни висоти потенціального бар'єра гетеропереходу, спричинені зміною дії сил електростатичного зображення в інтерфейсі. А зміни дії сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовлені впливом адсорбату на діелектричну проникність оксидних плівок.


Дод.точки доступу:
Ільченко, В. В.; Костюкевич, О. М.; Лендєл, В. В.; Радько, В. І.; Голобородько, Н. С.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі
 
Стандартний
Розширений
Професійний
За словником
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)