Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій
Бази даних
Статті, доповіді, тези- результати пошуку
Вид пошуку
Каталог книг
Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)
Періодичні видання (друковані)
Статті, доповіді, тези
Рідкісні та цінні видання
Охоронні документи
Мережеві ресурси
Зона пошуку
Ключевые слова
Автор
Назва
Рік видання
Знайдено у інших БД:
Каталог книг (2)
Формат представлення знайдених документів:
повний
інформаційний
короткий
Пошуковий запит:
<.>K=напівпровідникова електроніка<.>
Загальна кількість знайдених документів
:
1
>
1.
Про механізм впливу
газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар'єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In
2
O
3
+ 5% SnO
2
) [Текст] / В. В. Ільченко [та ін.]> // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. -
Т. 61
,
№ 1
. - С. 40-45 : рис. 3. - Бібліогр.: с. 45 (19 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
621.382
ББК
32.852
Рубрики:
Фізика
Физика
Полупроводниковые приборы
Напівпровідникові прилади
Кл.слова (ненормовані):
газові сенсори
--
адсорбція
--
діелектрична проникність
--
електричні сили зображення
--
використання якостей твердого тіла
--
напівпровідникова
електроніка
--
бар'єр Шотткі
--
Шотткі бар'єр
--
газовые сенсоры
--
адсорбция
--
диэлектрическая проницаемость
--
электрические силы изображения
--
барьер Шоттки
--
Шоттки барьер
--
использование свойств твердого тела
--
полупроводниковая электроника
Анотація:
Проведено експериментальні дослідження електрофізичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni - (95% In
2
O
3
+ 5% SnO
2
) - p-Si. Аналіз їх вольтамперних характеристик, отриманих у різних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмів крізь зразки в присутності пари етилового та ізопропілового спиртів. Для пояснення цих змін розглянуті різні механізми протікання струму крізь гетероперехід. Було показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гілок ВАХ даних зразків відіграють зміни висоти потенціального бар'єра гетеропереходу, спричинені зміною дії сил електростатичного зображення в інтерфейсі. А зміни дії сил електростатичного зображення, в свою чергу, зумовлені впливом адсорбату на діелектричну проникність оксидних плівок.
Дод.точки доступу:
Ільченко, В. В.; Костюкевич, О. М.; Лендєл, В. В.; Радько, В. І.; Голобородько, Н. С.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)
Знайти схожі
повний формат
короткий формат
всі знайдені
відмічені
окрім відмічених
Стандартний
Розширений
Професійний
За словником
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)