Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>K=лазерное облучение<.>
Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4
1.
   624.01
   М 55


    Лучко, Й. Й.
    Експериментальне дослідження дії импульсного лазерного опромінення бетонних зразків / Й. Й. Лучко, І. М. Добрянський, Є. Г. Іваник // Механіка і фізика руйнування будівельних матеріалів та конструкцій : Зб. наук. праць / За ред. Й.Й.Лучка. - Л. : Каменяр, 2009. - Вип. 8. - С. 481-488
УДК
Рубрики: ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
   Обробка матеріалів

Кл.слова (ненормовані):
ТРУДЫ ДИИТА -- ПРАЦІ ДІІТУ -- ЛФ -- ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ -- лазерное облучение -- обробка матеріалів -- лазерне опромінення


Дод.точки доступу:
Лучко, Й.Й. \ред.\; Добрянський, І.М.; Іваник, Є.Г.; Лучко, И. И.; Фізико-механічний ін-т ім. Г.В. Карпенка
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

2.


    Каневский, В. А.
    Влияние облучения лазером проекции тимуса на уровень цитокинов в тканях мышей / В. А. Каневский, В. М. Пушкарев // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2016. - № 12. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415
УДК
ББК 54.10
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки
   Болезни системы кровообращения и лимфообращения

   Охорона здоров'я. Медичні науки

   Хвороби системи кровообігу і лімфообігу

Кл.слова (ненормовані):
фемтосекундный перестраиваемый лазер низкой интенсивности -- фемтосекундний перебудований лазер низької інтенсивності -- тимус -- цитокины -- цитокіни -- хемокины -- хемокіни -- вилочковая железа -- вилочкова залоза -- дифференцировка клеток крови -- диференціювання клітин крові -- лазерное облучение -- лазерне опромінення
Анотація: Исследовано действие фемтосекундного перестраиваемого лазера низкой интенсивности на уровень цитокинов в крови, коже и тимусе облученных мышей с акцентом на цитокины и хемокины, определяющие рост, пролиферацию и дифференцировку клеток крови. Показано, что при высокой плотности мощности излучения (20 мВт/см2) содержание IL-3, IL-5, эотаксина, G-CSF, GM-CSF и KC значительно увеличивается в вилочковой железе. Сделано предположение, что это связано с реорганизацией процессов созревания клеток в железе после лазерного облучения.


Дод.точки доступу:
Пушкарев, В. М.

Знайти схожі

3.


    Гаврилюк, О. О.
    Формування періодичних структур на поверхні твердого тіла під дією лазерного випромінювання [Текст] / О. О. Гаврилюк, О. Ю. Семчук // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2017. - Т. 62, № 1. - С. 20-32 : рис. 16. - Бібліогр.: с. 30-32 (58 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Квантові генератори. Лазери

   Квантовые генераторы. Лазеры

Кл.слова (ненормовані):
лазер-індуковані періодичні структури -- лазерний відпал -- температурний профіль -- нанокристали -- лазер-индуцированные периодические структуры -- лазерный отжиг -- температурный профиль -- нанокристаллы -- технології отримання періодичних структур -- технологии получения периодических структур -- лазерне випромінювання -- лазерное облучение
Анотація: Розглянуто досягнення в області створення технологій отримання періодичних структур на поверхні напівпровідників, металів та діелектриків. Особливу увагу приділено формуванню періодичних структур під дією лазерного випромінювання. Представлено як теоретичні розрахунки формування періодичних структур під дією лазерного випромінювання, так і експериментальні дослідження.


Дод.точки доступу:
Семчук, О. Ю.

Знайти схожі

4.


    Генцарь, П. О.
    Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності монокристалічного n-GaAs(100) / П. О. Генцарь // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 947-950 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 949 (7 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Напівпровідники

   Полупроводники

Кл.слова (ненормовані):
n-GaAs(100) -- лазерне опромінення -- лазерное облучение -- спектри відбиття -- спектры отражения -- показники заломлення -- показатели преломления -- приповерхневий шар -- приповерхностный слой
Анотація: Представлені результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 ОМ•см (при кімнатній температурі в діапазоні 0,2-1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66-108 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару ns = ns + ixs відрізняється від комплексного показника заломлення матеріалу nv = nv + ixv).

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\4.pdf

Дод.точки доступу:
Власенко, О. І.; Левицький, С. М.

Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)