Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Напівпровідники<.>

Загальна кількість знайдених документів : 5
Показані документи с 1 за 5

Бойчук, В. І.
Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. І. Бойчук // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Напівпровідники
   Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
квантові точки -- надгратки -- електронні стани -- мінізона -- електрична провідність -- квантовые точки -- сверхрешетки -- электронные состояния -- минизоны -- электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf

Дод.точки доступу:
Білинський, І. В.; Пазюк, Р. І.

Знайти схожі

Генцарь, П. О.
Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності монокристалічного n-GaAs(100) / П. О. Генцарь // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 947-950 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 949 (7 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Напівпровідники
   Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
n-GaAs(100) -- лазерне опромінення -- лазерное облучение -- спектри відбиття -- спектры отражения -- показники заломлення -- показатели преломления -- приповерхневий шар -- приповерхностный слой
Анотація: Представлені результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 ОМ•см (при кімнатній температурі в діапазоні 0,2-1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66-108 мДж/см². Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару n_s = n_s + ix_s відрізняється від комплексного показника заломлення матеріалу n_v = n_v + ix_v).

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\4.pdf

Дод.точки доступу:
Власенко, О. І.; Левицький, С. М.

Знайти схожі

Стахіра, Й. М.
Структурні зміни у системі електронних станів шаруватого кристала, деформованого зсувом шарів / Й. М. Стахіра, Р. Й. Стахіра // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1016-1022 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 1021 (10 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Напівпровідники
   Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
п'єзофотопровідність -- пьезофотопроводимость -- шаруваті кристали -- слоистые кристаллы -- деформація зсуву -- деформация сдвига -- зміна періодичності -- смена периодичности -- зміщення шарів -- смещение слоев
Анотація: Проаналізовано зміни структури електронних станів шаруватих кристалів, які зумовлені деформацією кристала, що приводить до відносного зсуву шарів. Показано, що така деформація силою, яка має гармонічну складову низької частоти, приводить до дискретної зміни періоду гратки і часткового зняття виродження енергій електронних станів. Просторово-часове деформаційне збурення приводить до зняття виродження енергій, хвильові вектори яких мають компоненту, нормальну до площини шарів і рівну компоненті періоду оберненої гратки деформованого кристала у цьому напрямку, і розриву функціональної залежності енергії від такої компоненти. У межах окремого періоду зняття виродження енергії відбувається в різні ексклюзивні моменти часу, в які період гратки у напряму зсуву є кратним величинам зсуву. Енергії цього інтервалу можуть бути ідентифіковані радіотехнічними методами за моментами часу різкої зміни густини електронних станів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\2.pdf

Дод.точки доступу:
Стахіра, Р. Й.

Знайти схожі

Zharkikh, Yu. S.
Conception of the Kelvin method on the basis of a mechanic-electrical transformation / Yu. S. Zharkikh, S. V. Lysochenko // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 3. - P. 269-275 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 274-275 (26 назв)

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Полупроводники
   Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
nondestructive testing -- неруйнівний контроль -- неразрушающий контроль -- Kelvin method -- метод Кельвіна -- Кельвіна метод -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- contact potential difference -- контактна різниця потенціалів -- контактная разница потенциалов -- surface charge measurements -- вимірювання поверхневого заряду -- измерения поверхностного заряда -- механіко-електричні перетворення -- механико-электрические преобразования
Анотація: Застосування методу Кельвіна грунтується на концепції перезарядки динамічного конденсатора під дією прикладеної контактної різниці потенціалів. В даній роботі звертається увага на те, що контактна різниця потенціалів не є таким самим фізичним чинником, як і різниця потенціалів, що виникає під дією електрорушійної сили. Вона не може діяти як звичайна електрична напруга і, відповідно, викликати електричний струм перезарядки конденсатора. Реальною причиною появи вимірюваного сигналу є перетворення механічної енергії руху електрода в енергію електричного струму. Струм у динамічному конденсаторі виникає внаслідок періодичних змін умов екранування електростатичних зарядів, що розташовані над досліджуваною поверхнею. Проведені експериментальні дослідження вимірюваного сигналу методом Кельвіна в залежності від кількості заряду на поверхні зразка показали, що інтерпретація результатів вимірювань можлива без застосування поняття роботи виходу з твердого тіла. З цієї причини метод Кельвіна успішно використовується у дослідженнях матеріалів, до яких поняття роботи виходу не може бути застосовано взагалі: органічні та біологічні матеріали, а також електроліти. Запропонований механізм виникнення сигналу в методі Кельвіна слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень як макроскопічних розподілів поверхневого заряду, так і в атомній силовій мікроскопії.

Дод.точки доступу:
Lysochenko, S. V.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

   629.7
   А 20

    Москалик, В. М.
    Графен - матеріал майбутнього / В. М. Москалик // Авіація, промисловість, суспільство : збірник тез доповідей I Всеукраїнської науково-практичної конференції молодих вчених, курсантів та студентів "Авіація, промисловість, суспільство", 27 квітня 2018 р., м. Кременчук / Кременчуцький льотний коледж Нац. авіаційного ун-ту. - Кременчук : ПП Щербатих О. В., 2018. - С. 231-233 . - ISBN 978-617-639-175-3

УДК

621.315.59

Рубрики: Напівпровідники
Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
вуглецеве з´єднання -- углеродное соединение -- заміна кремнію -- замена кремнию -- властивості графена -- свойства графена -- двовимірна модифікація -- двумерная модификация -- електропровідність -- электропроводность

Дод.точки доступу:
Кременчуцький льотний коледж Національного авіаційного університету
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)