Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>K=электрическая проводимость<.>
Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4
1.


    Горячко, А.
    Пропозиція структури графен/Ge(111) на основі дослідження методом скануючої тунельної мікроскопії у надвисокому вкуумі [Текст] / А. Горячко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 77-90 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 90 (27 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
ББК 22.338
Рубрики: Фізика
   Физика

   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

Кл.слова (ненормовані):
германій -- графен -- сканувальна тунельна мікроскопія -- електронні стани -- електронні структури -- напівпроводники -- електрична провідність -- рух заряджених частинок -- електричне поле -- магнітне поле -- германий -- сканирующая туннельная микроскопия -- электронные состояния -- электронные структуры -- полупроводники -- электрическая проводимость -- движение заряженных частиц -- электрическое поле -- магнитное поле
Анотація: У роботі наведено результати експериментальних спостережень методом скануючої тунельної мікроскопії нової поверхневої надструктури 5,5v3 x 5,5v3 - R30o на підкладці Ge(111). Їй притаманні яскраво виражені ефекти локальної густини електронних станів, що спричиняють сильну залежність СТМ зображень від тунельної напруги, а також їхні динамічні зміни при 300 К. Запропновонано інтерпретацію даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кількостях шляхом піролізу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери під час відпалу зразка Ge(111) при 900 К. Побудовано атомарну модель гетероепітаксійного інтерфейсу графен/Ge(111)-5,5v3 х 5,5v3 - R30o, що відзначається реконструйованою підкладкою Ge(111) без дального порядку під шаром графену, який є періодично вигнутим по висоті внаслідок просторових варіацій міжатомної геометрії надзвичайно сильно неузгоджених граток Ge(111) та графен (0001).


Дод.точки доступу:
Мельник, П. В.; Находкін, М. Г.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

2.


    Бойчук, В. І.
    Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. І. Бойчук // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Напівпровідники

   Полупроводники

Кл.слова (ненормовані):
квантові точки -- надгратки -- електронні стани -- мінізона -- електрична провідність -- квантовые точки -- сверхрешетки -- электронные состояния -- минизоны -- электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf

Дод.точки доступу:
Білинський, І. В.; Пазюк, Р. І.

Знайти схожі

3.


    Булавін, В. І.
    Дифузія і мікроскопічні характеристики довжини часу та швидкості переносу однозарядних іонів у гранично розбавлених водних розчинах / В. І. Булавін // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 9. - С. 765-774 : рис. 6. - Бібліогр.: с. 773-774 (24 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

   Рух заряджених частинок в електричних і магнітних полях

Кл.слова (ненормовані):
однозарядні іони -- однозарядные ионы -- дифузія -- диффузия -- електрична провідність -- электрическая проводимость -- радіус Стокса -- Стокса радіус -- радиус Стокса -- Стокса радиус -- негативна сольватація -- отрицательная сольватация
Анотація: Коефіцієнти дифузії і мікроскопічні характеристики довжини (d), часу і швидкості дифузійного зміщення 19 однозарядних іонів (Li +, Na+, K+, Rb+, Cs+, F-, Cl-, Br-, I-, NO-3, CNS-, CIO-4, NH+4, Me4 N+, Et4N+, Pr4N+, Bu4N+, Pent4N+, BPh- 4) в воді при температурах від 273,15 К до 473,15 К розраховано з літературних даних щодо граничної молярної електричної провідності цих іонів. Аналіз отриманих даних показав, що довжина дифузійного зміщення іона корелює з його типом сольватованості. При середніх значеннях d, що перевищують кристалографічний (структурний) радіус іона (r i), останній сольватований позитивно. Якщо ж величина d менша r i, то спостерігається негатвина сольватація.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_9\4.pdf

Дод.точки доступу:
В'юник, І. М.; Лазарєва, Я. І.

Знайти схожі

4.


    Abbasov, I. I.
    Charge-transfer processes in (SnS)1-x(PrS)x alloys / I. I. Abbasov, J. I. Huseynov // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2017. - Т. 62, № 10. - P877-882 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 881-882 (16 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Будова матерії

   Строение материи

Кл.слова (ненормовані):
solid solutions -- тверді розчини -- твердые растворы -- chalcogenides -- халькогеніди -- халькогениды -- electrical conductivity -- електропровідність -- электрическая проводимость -- donor -- донор -- Hall coefficient -- коефіцієнт Холла -- Холла коефіцієнт -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- valence band -- валентна смуга -- валентная зона -- light and heavy holes -- легкие и тяжелые отверстия -- легкі і важкі дірки
Анотація: Досліджено взаємодії в системі SnS-PrS, і за результатами комплексного фізико-хімічного аналізу визначена область розчинності PrS у SnS. За допомогою скануючого зондового мікроскопа в атомно-силовому режимі вивчено мікрорельєф поверхні монокристалів PrxSn1-xS, досліджені електропровідність ? і коефіцієнт Холла R в широкому інтервалі температур 80-800 К в широкому інтервалі температур 80-800 К, проаналізовані процеси переносу заряду.


Дод.точки доступу:
Huseynov, J. I.

Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)