Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=резонансно-тунельна структура<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Бойко, І. В.
Внесок двофотонних електронних переходів у формування активної динамічної провідності трибар'єрних резонансно-тунельних структур із постійним електричним полем [Текст] / І. В. Бойко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 68-76 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 75-76 (16 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Фізика напівпровідників і діелектриків
Кл.слова (ненормовані):
резонансно-тунельна структура -- квантовий каскадний лазер -- квантовий каскадний детектор -- активна динамічна провідність -- двофотонний електронний перехід -- електронні стани -- електронні структури -- рівняння Шредінгера -- Шредінгера рівняння -- лазерне випромінювання -- електричне поле -- поглинання електромагнітних хвиль -- наноструктури -- резонансно-туннельная структура -- квантовый каскадный лазер -- квантовый каскадный детектор -- активная динамическая проводимость -- двухфотонный электронный переход -- электронные состояния -- электронные структуры -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнение -- лазерное излучение -- электрическое поле -- поглощения электромагнитных волн -- наноструктуры
Анотація: У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар'єрів для електрона, з використанням знайдених розв'язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури з прикладеним постійним поздовжнім електричним полем у слабкому електромагнітному полі з урахуванням внеску лазерних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що для лазерних електронних переходів величина внеску двофотонних переходів у формування загальної величини активної динамічної провідності в лазерних переходах не більша за 38%. Встановлено геометричні конфігурації резонансно-тунельної структури, для яких за рахунок двофотонних лазерних електронних переходів отримується зростання інтенсивності лазерного випромінювання.

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)