Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Фізика напівпровідників і діелектриків<.>

Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3

Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В. П. Семиноженко [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 89-95 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Фізика
   Фізика напівпровідників і діелектриків
Кл.слова (ненормовані):
материаловедение -- матеріалознавство -- электролюминесцентные гетероструктуры -- електролюмінесцентні гетероструктури -- полидиктилфлуорены -- полідіктілфлуорени -- градиентные квантовые точки -- градієнтні квантові точки -- полупроводники -- напівпровідники -- диэлектрики -- діелектрики -- OLED-структуры -- OLED-структури -- электролюминесцентные излучатели -- електролюмінесцентні випромінювачі
Анотація: Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПИ"

Дод.точки доступу:
Семиноженко, В. П. (академик НАН Украины); Матвиенко, О. О.; Крыжановская, А. С.; Саввин, Ю. Н.; Погорелова, Н. В.; Ващенко, В. В.; Толмачев, О. В. (член-корреспондент НАН Украины)

Знайти схожі

Бойко, І. В.
Внесок двофотонних електронних переходів у формування активної динамічної провідності трибар'єрних резонансно-тунельних структур із постійним електричним полем [Текст] / І. В. Бойко // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 68-76 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 75-76 (16 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Фізика напівпровідників і діелектриків
Кл.слова (ненормовані):
резонансно-тунельна структура -- квантовий каскадний лазер -- квантовий каскадний детектор -- активна динамічна провідність -- двофотонний електронний перехід -- електронні стани -- електронні структури -- рівняння Шредінгера -- Шредінгера рівняння -- лазерне випромінювання -- електричне поле -- поглинання електромагнітних хвиль -- наноструктури -- резонансно-туннельная структура -- квантовый каскадный лазер -- квантовый каскадный детектор -- активная динамическая проводимость -- двухфотонный электронный переход -- электронные состояния -- электронные структуры -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнение -- лазерное излучение -- электрическое поле -- поглощения электромагнитных волн -- наноструктуры
Анотація: У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар'єрів для електрона, з використанням знайдених розв'язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури з прикладеним постійним поздовжнім електричним полем у слабкому електромагнітному полі з урахуванням внеску лазерних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що для лазерних електронних переходів величина внеску двофотонних переходів у формування загальної величини активної динамічної провідності в лазерних переходах не більша за 38%. Встановлено геометричні конфігурації резонансно-тунельної структури, для яких за рахунок двофотонних лазерних електронних переходів отримується зростання інтенсивності лазерного випромінювання.

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Діелектричні та електропровідні властивості сполук типу A^IILn_nB^III_nO_3n+1 (A^II = Sr, Ba, Ln = La, Eu, B^III = Sc, In, n = 1, 2) з шаруватою структурою [Текст] / Ю. О. Тітов [и др.] // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2017. - № 1. - С. 74-81 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. . - ISSN 1025-6415

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Фізика
   Фізика напівпровідників і діелектриків
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормовані):
імпедансна спектроскопія -- температурні залежності -- частотні залежності -- електропровідність -- діелектрична проникність -- шарувата перовськітоподібна структура -- кристалографічні дані -- холодне пресування -- импедансная спектроскопия -- температурные зависимости -- частотные зависимости -- электропроводность -- диэлектрическая проницаемость -- слоистая перовскитоподобная структура -- кристаллографические данные -- холодное прессование
Анотація: Методом імпедансної спектроскопії досліджено температурні та частотні залежності електропровідності і діелектричної проникності кераміки сполук типу AIILnnBIIInO3n+1 (AII = Sr, Ba, Ln = La, Eu, BIII = Sc, In, n = 1, 2) з шаруватою перовськітоподібною структурою (ШПС). Встановлено наявність аномальних відхилень на кривих цих залежностей для індатів BaLaInO4, SrLaInO4 та скандату SrEuScO4 в температурних інтервалах 638—738 К, 500—700 К, 725—800 К відповідно, обумовлених, очевидно, структурними змінами в їх одношаровій ШПС.

Дод.точки доступу:
Тітов, Ю. О.; Слободяник, М. С. ; Кузьмін, Р. М. ; Краєвська, Я. А. ; Чумак, В. В.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)