Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій
Бази даних
Статті, доповіді, тези- результати пошуку
Вид пошуку
Каталог книг
Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)
Періодичні видання (друковані)
Статті, доповіді, тези
Рідкісні та цінні видання
Охоронні документи
Мережеві ресурси
Зона пошуку
Ключевые слова
Автор
Назва
Рік видання
Формат представлення знайдених документів:
повний
інформаційний
короткий
Пошуковий запит:
<.>K=Huckel method<.>
Загальна кількість знайдених документів
:
1
>
1.
Semiempirical energies of
vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula> // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. -
Т. 61
,
№ 11
. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)
УДК
53
539.2
Рубрики:
Фізика
Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
semiconductors
--
point defects
--
defect formation energy
--
Huckel
method
--
напівпровідники
--
точкові дефекти
--
енергія появи дефектів
--
метод Хюккеля
--
Хюккеля метод
Анотація:
Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А
ІІ
В
VI
, А
III
В
V
та А
IV
В
VI
. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.
Дод.точки доступу:
Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A.
Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)
Знайти схожі
повний формат
короткий формат
всі знайдені
відмічені
окрім відмічених
Стандартний
Розширений
Професійний
За словником
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)