Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=точкові дефекти<.>

Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3

Плющай, І. В.
Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доповіді Національної академії наук України. - 2011. - № 9. - С. 82-89 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

537.6

ББК 22.334
Рубрики: Физика
   Магнетизм
   Фізика
   Магнетизм
Кл.слова (ненормовані):
матеріалознавство -- материаловедение -- електронний стан -- электронное состояние -- зарядовий стан -- зарядное состояние -- магнітний стан -- магнитное состояние -- точкові дефекти -- точечные дефекты -- монокристали кремнію -- монокристаллы кремния -- атоми кремнію
Анотація: Розраховано електронні спектори надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект.

Дод.точки доступу:
Макара, В. А. (член-кореспондент НАН України); Плющай, О. І.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Peleshchak, R. M.
Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem [Text] / R. M. Peleshchak // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 746-751 : рис. 2, табл. 1. - Бібліогр.: с. 751 (19 назв)

УДК

538.93

539.3

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
point defects -- acoustic wave -- diffusion -- deformation -- точкові дефекти -- акустична хвиля -- дифузія -- деформація тіл -- механіка деформованих тіл -- пружність -- механика деформируемых тел -- упругость -- деформация тел
Анотація: A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of this model, a possibility of the ultrasound-stimulated hydrogen passivation of electrically active Cl centers in the CdTe semiconductor and the size dispersion reduction of strained InAs/GaAs quantum dots doped with an isovalent impurity are analyzed.
Побудовано деформаційно-дифузійну модель формування періодичних структур під впливом акустичної хвилі у напівпровідниках з двокомпонентною дефектною підсистемою. Запропонована теорія враховує деформацію, створену акустичною хвилею та точковими дефектами. У межах даної моделі проаналізовано можливість стимулювання ультразвуком пасивації електрично активних центрів Cl воднем у напівпровіднику CdTe та зменшення дисперсії розмірів напружених квантових точок InAs/GaAs, легованих ізовалентною домішкою.

Дод.точки доступу:
Kuzyk, O. V.; Dan'kiv, O. O.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод
Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А^ІІВ^VI, А^IIIВ^V та А^IVВ^VI. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.

Дод.точки доступу:
Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)