Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Пошуковий запит: <.>K=acoustic wave<.>

Загальна кількість знайдених документів : 1

Peleshchak, R. M.
Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem [Text] / R. M. Peleshchak // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 746-751 : рис. 2, табл. 1. - Бібліогр.: с. 751 (19 назв)

УДК

538.93

539.3

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
point defects -- acoustic wave -- diffusion -- deformation -- точкові дефекти -- акустична хвиля -- дифузія -- деформація тіл -- механіка деформованих тіл -- пружність -- механика деформируемых тел -- упругость -- деформация тел
Анотація: A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of this model, a possibility of the ultrasound-stimulated hydrogen passivation of electrically active Cl centers in the CdTe semiconductor and the size dispersion reduction of strained InAs/GaAs quantum dots doped with an isovalent impurity are analyzed.
Побудовано деформаційно-дифузійну модель формування періодичних структур під впливом акустичної хвилі у напівпровідниках з двокомпонентною дефектною підсистемою. Запропонована теорія враховує деформацію, створену акустичною хвилею та точковими дефектами. У межах даної моделі проаналізовано можливість стимулювання ультразвуком пасивації електрично активних центрів Cl воднем у напівпровіднику CdTe та зменшення дисперсії розмірів напружених квантових точок InAs/GaAs, легованих ізовалентною домішкою.

Дод.точки доступу:
Kuzyk, O. V.; Dan'kiv, O. O.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)