Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=point defects<.>

Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3

Peleshchak, R. M.
Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem [Text] / R. M. Peleshchak // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 746-751 : рис. 2, табл. 1. - Бібліогр.: с. 751 (19 назв)

УДК

538.93

539.3

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
point defects -- acoustic wave -- diffusion -- deformation -- точкові дефекти -- акустична хвиля -- дифузія -- деформація тіл -- механіка деформованих тіл -- пружність -- механика деформируемых тел -- упругость -- деформация тел
Анотація: A deformation-diffusion model describing the formation of periodic structures in semiconductors with a two-component defect subsystem by means of an acoustic wave has been developed. The theory makes allowance for the deformation created by the acoustic wave and point defects. In the framework of this model, a possibility of the ultrasound-stimulated hydrogen passivation of electrically active Cl centers in the CdTe semiconductor and the size dispersion reduction of strained InAs/GaAs quantum dots doped with an isovalent impurity are analyzed.
Побудовано деформаційно-дифузійну модель формування періодичних структур під впливом акустичної хвилі у напівпровідниках з двокомпонентною дефектною підсистемою. Запропонована теорія враховує деформацію, створену акустичною хвилею та точковими дефектами. У межах даної моделі проаналізовано можливість стимулювання ультразвуком пасивації електрично активних центрів Cl воднем у напівпровіднику CdTe та зменшення дисперсії розмірів напружених квантових точок InAs/GaAs, легованих ізовалентною домішкою.

Дод.точки доступу:
Kuzyk, O. V.; Dan'kiv, O. O.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Manifestation of point defects in the electronic structure of Hg₃Te₂Cl₂ crystals [Text] / O. V. Bokotey [et al.] // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 907-914 : рис. 6. - Бібліогр.: с. 913-914 (18 назв)

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормовані):
band structure -- point defects -- gap -- absorption edge -- optical transactions -- смугова структура кристалів -- точкові дефекти кристалів -- край поглинання -- оптичні переходи -- електронна структура кристалів -- квантово-хімічний програмний пакет SIESTA -- полосная структура кристаллов -- точечные дефекты кристаллов -- електронна структура кристалів -- край поглощения -- оптические переходы -- квантово-химический программный пакет SIESTA
Анотація: Представлено результати розрахунків в рамках теорії функціонала густини для дослідження впливу точкових дефектів на електронну структуру кристалів Hg₃Te₂Cl₂ з використанням моделі суперкомірки [2х2х1]. Вперше проведено ab initio розрахунки для бездефектних та дефектних кристалів Hg₃Te₂Cl₂ в наближенні локальної густини, використовуючи квантово-хімічний програмний пакет SIESTA. Досліджувальний кристал є непримозонним напівпровідником. Згідно з аналізом отриманих даних, величини непрямого та прямого переходів становлять 2,628 еВ та 2,714 еВ відповідно. Вплив дефектів вакансій на провідні та оптичні властивості кристалів Hg₃Te₂Cl₂ обговорюється в деталях. Дефектні стани вакансій телуру та хлору створюють додаткові енергетичні рівні нижче дна зони провідності. Результати дослідження показують, що тільки вакансії телуру створюють додаткові енергетичні рівні в околі вершини валентної зони. Встановлено, що присутність точкових дефектів в кристалах Hg₃Te₂Cl₂ змінює напрямок оптичних переходів і тому дефектний кристал є прямозонним напівпровідником. Одержано задовільне узгодження з експериментальними даними.

Дод.точки доступу:
Bokotey, O. V.; Vakulchak, V. V.; Bokotey, A. A.; Nebola, L. I.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод
Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А^ІІВ^VI, А^IIIВ^V та А^IVВ^VI. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.

Дод.точки доступу:
Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)