Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=impurities<.>

Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4

Porytksyy, P. V.
Influence of metal impurities on the transport properties of multicomponent plasma of underwater discharges [Text] / P. V. Porytksyy // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 8. - С. 715-720 : рис. 9. - Бібліогр.: с. 720 (26 назв)

УДК

533.952

537.523

Рубрики: Фізика
   Физика
   Электронные и ионные явления. Физика плазмы
   Електронні та іонні явища. Фізика плазми
Кл.слова (ненормовані):
multicomponent plasma -- underwater discharge -- arc discharge -- pulsed discharge -- thermal conductivity of plasma -- plasma conductivity -- пінч-ефект -- пинч-эффект -- багатокомпонентна плазма -- многокомпонентная плазма -- підводний розряд -- дуговий розряд -- імпульсний розряд -- теплопровідність плазми -- провідність плазми -- проводимость плазмы -- електричні розряди в газах при нормальному тиску -- элктрические разряды в газах при нормальном давлении -- подводный разряд -- дуговой разряд -- импульсный разряд -- теплопроводность плазмы
Анотація: Розглянуто вплив домішок металів на транспортні властивості багатокомпонентної плазми в атмосфері водяної пари. Проведені розрахунки грунтувалися на методі моментів Греда. Показано, що невелика кількість металевих домішок може суттєво змінити величини транспортних коефіцієнтів порівняно із випадком чистої водяної пари. Розглянуто вплив моделі перерізу зіткнень електрона з атомом металу на транспортні властивості термічної плазми.

Дод.точки доступу:
Starchyk, P. D.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon / S. Zainabidinov [et al.] // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - P. 951-954 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 954 (4 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
deformation -- деформація -- деформация -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- опір деформації -- elastic compression -- пружне стискування -- упругое сжатие -- монокристальный кремний -- монокристальний кремній -- тензоэлектрические свойства -- тензоелектричні властивості
Анотація: Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих та термічно оброблених зразках Si:Zn i Si:Zn, Mn при одновісному пружному стискуванні. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв при стиску навколо кристалографічної осі [III] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\5.pdf

Дод.точки доступу:
Zainabidinov, S.; Mamatkarimov, O. O.; Khimmatkulov, O.; Tursunov, I. G.

Знайти схожі

Tursunov, I. G.
Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
deformation -- методи деформації -- методы деформации -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- hydrostatic pressure -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- параметры глубокого уровня -- параметри глибокого рівня -- компенсовані напівпровідники -- компенсованніе полупроводники -- надкомпенсовані напівпровідники -- надкомпенсованные полупроводники
Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf

Знайти схожі

   621.317
   В 47

    Seredyuk, B.
    Influence of the metallic impurities in A3B6 type layered semiconductors on their electrical, magnetic and structural properties / Bohdan Seredyuk // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвід. науково-технічний збірник, вид. з 1965 р. / Львів. політех. - Львів : Львівська політехніка, 2017. - Вип. 78. - С. 10-15. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

621.317.4

Рубрики: Електровимірювальна техніка
Электроизмерительная техника
Кл.слова (ненормовані):
layered semiconductor -- шаруватий напівпровідник -- impedance -- імпеданс -- Bode diagrams -- діаграми Боде -- intercalation -- інтеркаляція

Дод.точки доступу:
Стадник, Б. І. \ред.\; Львівська політехника
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)