Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (2)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=гидростатическое давление<.>

Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4

Смоляницкий, Л. А.
Влияние капиллярных процессов в земляном полотне на развитие дефектов / Л. А. Смоляницкий, А. В. Сычева // Путь и путевое хоз-во. - 2012. - № 4. - С. 20-21

УДК

625.12.033.37

Рубрики: Железнодорожный путь
   Земляное полотно
   Залізнична колія
   Земляне полотно
Кл.слова (ненормовані):
железнодорожный путь -- земляное полотно -- капиллярные процессы -- капиллярное давление -- дефекты земляного полотна -- свойства грунтов -- усадка грунтов -- гидростатическое давление -- залізнична колія -- земляне полотно -- капілярні процеси -- капілярний тиск

Дод.точки доступу:
Сычева, А. В.

Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1)
Вільні: ЧЗНЛ (1)

Знайти схожі

Прусов, Д. Е.
Аналіз впливу нового будівництва на існуючу прилеглу забудову з урахуванням гідростатичного тиску / Д. Е. Прусов, В. М. Бадах // Промислова гідравлика і пневматика. - 2013. - № 1. - С. 97-100. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

711.64

Рубрики: Будівельна механіка
   Строительная механика
   Фундаменти
   Фундаменты
   Україна
    Украина
Кл.слова (ненормовані):
будівельна механіка -- строительная механика -- фундаменти -- фундаменты -- застройка -- забудова -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- стійкість грунтової основи -- устойчивость грунтового основания -- грунтовий півпростір -- почвенный полупространство -- модуль деформації -- модуль деформации -- огороджувальні конструкції -- ограждающие конструкции -- житлові будинки -- жилые дома -- осадка

Дод.точки доступу:
Бадах, В. М.

Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1)
Вільні: ЧЗНЛ (1)

Знайти схожі

   624.2/8
   Ш 94

    Кулаженко, О. М.
    Порівняльний аналіз підходів до гідростатичного тиску як навантаження на кріплення / О. М. Кулаженко // Штучні споруди транспорту : тези доповідей науково-технічної конференції молодих вчених, магістрантів та студ. "Науково-технічний прогрес на трансп.". - Дніпропетровськ, 2013. - С. 17-18

УДК

69.034

Рубрики: Підземне будівництво
   Подземное строительство
   Підземні споруди
   Подземные сооружения
   Статті студентів ДІІТу
   Статьи студентов ДИИТа
Кл.слова (ненормовані):
підземне будівництво -- подземное строительство -- підземні споруди -- подземные сооружения -- кріплення -- крепления -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- геомеханіка -- геомеханика -- напружено-деформований стан -- напряженно-деформированное состояние -- статті студентів ДІІТу -- статьи студентов ДИИТа

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Tursunov, I. G.
Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
deformation -- методи деформації -- методы деформации -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- hydrostatic pressure -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- параметры глубокого уровня -- параметри глибокого рівня -- компенсовані напівпровідники -- компенсованніе полупроводники -- надкомпенсовані напівпровідники -- надкомпенсованные полупроводники
Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)