Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>A=Morozovska, A. N.@<.>

Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3

Flexoelectric effect impact on the hysteretic dynamics of the local electromechanical response of mixed ionic-electronic conductors / A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - Р. 326-334 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 333-334 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
flexoelectric effect -- mixed ionic-electronic moderate conductors -- thin films -- nanoparticles -- electrochemical strain microscopy -- флексоелектричний ефект -- флексоэлектрический эффект -- напівпровідники з іонно-електронною провідністю -- наполупроводники с ионно-электронной проводимостью -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- наночастинки -- наночастички -- електромеханічна деформаційна мікроскопія -- электромеханическая деформационная микроскопия
Анотація: Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, зпричинених флексоефектом є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. В статті аналізуються відповідні механізми, які регулюють зміни концентрата зміщення (розширення Вегадра, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів і інших зовнішніх умов. Чисельне моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, і до появи складних скручених петель гістерезису.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\7.pdf

Дод.точки доступу:
Morozovska, A. N.; Glinchuk, M. D.; Varenyk, O. V.; Udod, A.; Scherbakov, C. M.; Kalinin, S. V.

Знайти схожі

Strikha, M. V.
Influence оf domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors' review) / M. V. Strikha // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 48-68. - Бібліогр.: с. 66-68 (69 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
graphene-on-ferroelectric structure -- графенова сегнетоелектрична структура -- графеновая сегнетоэлектрическая структура -- domain structure -- доменна структура -- доменная структура -- conductance -- провідність -- проводимость -- field effect transistor -- польовий транзистор -- полевой транзистор
Анотація: Огляд присвячено останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянутий аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику, з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Аналізуються аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності p-n переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуті випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорюється вплив розмірних ефектів у таких системах та можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\6.pdf

Дод.точки доступу:
Kurchak, A. I.; Morozovska, A. N.

Знайти схожі

Morozovska, A. N.
Dependence of soft phonon spectra on flexoelectric coupling in ferroelectrics [Text] / A. N. Morozovska, C. M. Scherbakov, M. D. Glinchuk // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 2. - P. 172-173 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 172-173 (34 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
Landau-Ginzburg-Devonshire theory -- теорія Ландау-Гінзбург-Девоншира -- Ландау-Гінзбург-Девоншира теорія -- теория Ландау-Гинзбург-Девоншира -- Ландау-Гинзбург-Девоншира теория -- flexoelectric coupling -- флексоелектричний зв'язок -- флексоэлектрическая связь -- soft phonon modes -- м'які фононні моди -- мягкие фононные моды -- dynamic equations -- динамічні рівняння -- динамические уравнения
Анотація: Проаналізовано аналітичні вирази для частотної дисперсії м'яких поперечних акустичних (ТА) та оптичних (ТО) фононних мод залежно від величини константи флексоелектричного зв'язку у одновісних сегнетоелектриках та виявили критичну поведінку ТА моди в залежності від константи флексо-електричного зв'язку.

Дод.точки доступу:
Scherbakov, C. M.; Glinchuk, M. D.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)