Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=thin films<.>

Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3

Flexoelectric effect impact on the hysteretic dynamics of the local electromechanical response of mixed ionic-electronic conductors / A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - Р. 326-334 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 333-334 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
flexoelectric effect -- mixed ionic-electronic moderate conductors -- thin films -- nanoparticles -- electrochemical strain microscopy -- флексоелектричний ефект -- флексоэлектрический эффект -- напівпровідники з іонно-електронною провідністю -- наполупроводники с ионно-электронной проводимостью -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- наночастинки -- наночастички -- електромеханічна деформаційна мікроскопія -- электромеханическая деформационная микроскопия
Анотація: Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, зпричинених флексоефектом є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. В статті аналізуються відповідні механізми, які регулюють зміни концентрата зміщення (розширення Вегадра, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів і інших зовнішніх умов. Чисельне моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, і до появи складних скручених петель гістерезису.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\7.pdf

Дод.точки доступу:
Morozovska, A. N.; Glinchuk, M. D.; Varenyk, O. V.; Udod, A.; Scherbakov, C. M.; Kalinin, S. V.

Знайти схожі

Abubakar, D.
Investigation on the structural and optical properties of NiO nanoflakes. Chemical bath deposition of Ni(OH)₂ thin films / D. Abubakar // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - P. 964-971 : рис. 4, табл. 2. - Бібліогр.: с. 970-971 (25 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
annealing temperature -- температура відпалу -- температура отжига -- nanoflakes -- нанолусочки -- thin films -- тонкие пленки -- тонкі плівки -- chemical bath deposition -- метод хімічного осадження -- метод химического осаждения -- nickel oxide -- оксид нікелю -- оксид никеля
Анотація: Методом хімічного осадження вирощені пористі нанолусочки окису нікелю NiO. На підкладці оксид індію-олова/скло отримані тонкі плівки і піддані відпалу при змінній температурі в печі. Вивчено та проаналізовано їх структуру, оптичні властивості і морфологію поверхні. Методом емісійної растрової електронної мікроскопії показано присутність нанолусочок у структурі NiO/Ni(OH)₂ тонких плівок. Розміри нанолусочок збільшуються з ростом температури відпалу. Знайдено, що найбільшу площу поверхні має зразок, вирощений при 300 ^оС. Результати енергодисперсійної спектроскопії показують нестехіометрію атомного відношення зразка, що відповідає р-типу NiO тонкої плівки. Методом атомної силової спектроскопії знайдено, що зразок, вирощений при 300 ^оС, має найбільшу шорсткість (47,9 нм). Рентгеноструктурний аналіз показує, що NiO нанолусочки мають кубічну структуру з піками орієнтації (111), (200), і (220). Це особливо чітко проявляється при 300 ^оС. Рентгеноструктурний аналіз також показує відсутність NiO/Ni(OH)₂ піка при відпалі. Вимірювання в ультрафіолеті і видимому світі дають малу ширину забороненої зони 3,80 еВ для 300^оС через високу кристалічність. Ця температура оптимальна для синтезу NiO нанолусочок високої якості, що важливо для їх застосування в сенсорах.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\7.pdf

Дод.точки доступу:
Mahmoud, N.; Mahmud, Sh.

Знайти схожі

Gavrilko, T.
Optical properties and stability of bilayer rubrene-Alq3 films fabricated by vacuum deposition / T. Gavrilko, V. Nechytaylo, L. Viduta, J. Baran // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 4. - P. 362-369 : рис. 7. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
rubrene -- Alq3 -- oxidized rubrene -- окислений рублен -- окисленный рубрен -- vacuum deposition -- вакумні напорошення -- вакуумные напыления -- thin films -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- FTIR spectra -- Спектри FTIR -- Спектры FTIR -- photoluminescence -- фотолюмінесценція -- фотолюминесценция
Анотація: Досліджено оптичні та структурні властивості двокомпонентних плівок рубрен-Alq3, одержаних методом вакуумного напорошення (ВН). Відомо, що доповані рубреном активні матеріали для органічних світловипромінювальних діодів та транзисторів демонструють покращені електролюмінесцентні та електротранспортні характеристики, але практичному застосуванню таких систем перешкоджає хімічна нестабільність рубрену, що скорочує експлуатаційний термін служби відповідних пристроїв. В роботі досліджено вплив захисного шару Alq3, а також наявності різних ізомерів молекули рубрену на його хімічну стабільність у двошарових тонкоплівкових структурах. На основі експериментальних досліджень спектрів ІЧ поглинання та часової еволюції спектрів фотолюмінесценції було показано, що процес фотодеградації (утворення перекису) рубрену у плівках рубрен-Alq3 відбувається більш повільно, ніж у тонких шарах самого рубрену. Результати свідчать про те, що нанесення захисного шару Alq3 може бути засобом підвищення хімічної стійкості рубрену до фотоокислення у оптоелектронних приладах. Також нами вперше виявлено процес кристалізації аморфної плівки фотоокисленого рубрену під час її високотемпературного відпалу, який супроводжується відновленням первісної хімічної структури молекули рубрену.

Дод.точки доступу:
Nechytaylo, V.; Viduta, L.; Baran, J.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)