Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій
Бази даних
Статті, доповіді, тези- результати пошуку
Вид пошуку
Каталог книг
Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)
Періодичні видання (друковані)
Статті, доповіді, тези
Рідкісні та цінні видання
Охоронні документи
Мережеві ресурси
Зона пошуку
Ключевые слова
Автор
Назва
Рік видання
Формат представлення знайдених документів:
повний
інформаційний
короткий
Відсортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
типом документа
Пошуковий запит:
<.>K=стійкість до опору<.>
Загальна кількість знайдених документів
:
2
Показані документи
с 1 за 2
>
1.
Influence of deep-level
impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon / S. Zainabidinov [et al.]> // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62,
№ 11
. - P. 951-954 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 954 (4 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
539
Рубрики:
Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
deformation
--
деформація
--
деформация
--
impurities
--
домішки
--
примеси
--
strain resistance
--
стійкість до опору
--
сопротивление деформации
--
опір деформації
--
elastic compression
--
пружне стискування
--
упругое сжатие
--
монокристальный кремний
--
монокристальний кремній
--
тензоэлектрические свойства
--
тензоелектричні властивості
Анотація:
Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих та термічно оброблених зразках Si:Zn i Si:Zn, Mn при одновісному пружному стискуванні. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв при стиску навколо кристалографічної осі [III] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів.
Перейти к внешнему ресурсу:
\\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_11\5.pdf
Дод.точки доступу:
Zainabidinov, S.; Mamatkarimov, O. O.; Khimmatkulov, O.; Tursunov, I. G.
Знайти схожі
>
2.
Tursunov, I. G.
Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov> // Український фізичний журнал. - 2017. -
Т. 62
,
№ 12
. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
539
Рубрики:
Фізика
Физика
Будова матерії
Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
deformation
--
методи деформації
--
методы деформации
--
impurities
--
домішки
--
примеси
--
strain resistance
--
стійкість до опору
--
сопротивление деформации
--
hydrostatic pressure
--
гідростатичний тиск
--
гидростатическое давление
--
параметры глубокого уровня
--
параметри глибокого рівня
--
компенсовані напівпровідники
--
компенсованніе полупроводники
--
надкомпенсовані напівпровідники
--
надкомпенсованные полупроводники
Анотація:
Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими
Перейти к внешнему ресурсу:
\\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf
Знайти схожі
повний формат
короткий формат
всі знайдені
відмічені
окрім відмічених
Стандартний
Розширений
Професійний
За словником
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)