Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=напівпровідникові структури<.>

Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3

Стыров, В. В.
Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p-n-переходами на основе SiC / В. В. Стыров, С. В. Симченко // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 5. - С. 37-43 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом
   Фізика
   Електрика і магнетизм в цілому
Кл.слова (ненормовані):
электричество -- електрика -- магнетизм -- генерация хемо-ЭДС -- генерація хемо-ЕРС -- наноразмерные структуры -- нанорозмірні структури -- p-n-переходы на основе SiC -- p-n-переходи на основі SiC -- преобразования химической энергии -- перетворення хімічної енергії -- полупроводниковые структуры -- напівпровідникові структури
Анотація: Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур в электрическую энергию.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Симченко, С. В.

Знайти схожі

Kozinetz, A. V.
Amorphous submicron layer in deplation region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 37-47 : рис. 8, табл. 1. - Бібліогр.: с. 45-47 (37 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
amorphized layer -- аморфізований шар -- аморфизированный слой -- space charge region -- область просторового заряду -- область пространственного заряда -- n+ -p silicon solar cell -- n+ -p кремнієвий сонячний елемент -- n+ -p кремниевый солнечный элемент -- semiconductor structures -- напівпровідникові структури -- полупроводниковые структуры
Анотація: Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна стоврити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки дозволяє досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в заборонені зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено методом чисельного моделювання, який дозволяє отримати світлові вольт-амперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично, можливо отримати, підвищення ефективності на 1-2% за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10-12% (внаслідок обмеження інжекції в р-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) повинен бути розташованим поблизу базової області.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\5.pdf

Дод.точки доступу:
Skryshevsky, V. A.

Знайти схожі

   629.7
   А 20

    Колеснік, В. Ю.
    Перспективи та дослідження систем позиціонування сонячних панелей / В. Ю. Колеснік, Д. О. Кальмус // Авіація, промисловість, суспільство : збірник тез доповідей I Всеукраїнської науково-практичної конференції молодих вчених, курсантів та студентів "Авіація, промисловість, суспільство", 27 квітня 2018 р., м. Кременчук / Кременчуцький льотний коледж Нац. авіаційного ун-ту. - Кременчук : ПП Щербатих О. В., 2018. - С. 38-39 : іл., а-табл. . - ISBN 978-617-639-175-3

УДК

621.311.243:621.314

Рубрики: Електричні станції
   Электрические станции
   Електротехніка
   Электротехника
Кл.слова (ненормовані):
перетворення енергії -- преобразование энергии -- фотоелектрична установка -- фотоэлектрическая установка -- фотоелектричний ефект -- фотоэлектрический эффект -- сонячні панелі -- солнечные панели -- напівпровідникові структури -- полупроводниковые структуры

Дод.точки доступу:
Кальмус, Д. О.; Кременчуцький льотний коледж Національного авіаційного університету
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)