Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=область пространственного заряда<.>

Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2

Особливості формування рекомбінаційного струму в області просторового заряду кремнієвих сонячних елементів [Текст] / А. В. Савченко, В. П. Костильов, В. М. Власюк // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 10. - С. 923-928 : рис. 5, таб. 1. - Бібліогр.: с. 928 (10 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
рекомбінаційний струм -- область просторового заряду -- кремнієві сонячні елементи -- глибокий рекомбінаційний рівень -- рекомбинационный ток -- область пространственного заряда -- кремниевые солнечные элементы -- глубокий рекомбинационный уровень
Анотація: Досліджено темнові ВАХ кремнієвих сонячних елементів з різними часами життя Шоклі-Ріда-Холла, які визначались з спектральних залежностей внутрішнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбінаційні струми в області просторового заряду (ОПЗ) формуються на основі часів життя, менших принаймі на порядок, за об'ємні часи життя. Це пояснено великою концентрацією дефектів, які приводять до появи глибоких рівнів, в ОПЗ досліджуваних структур кремнію. Оцінено параметри глибоких рівнів, відповідальних за рекомбінацію в ОПЗ.

Дод.точки доступу:
Савченко, А. В.; Костильов, В. П.; Власюк, В. М.; Коркішко, Р. М.; Соколовський, І. О.; Черненко, В. В.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Kozinetz, A. V.
Amorphous submicron layer in deplation region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 37-47 : рис. 8, табл. 1. - Бібліогр.: с. 45-47 (37 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
amorphized layer -- аморфізований шар -- аморфизированный слой -- space charge region -- область просторового заряду -- область пространственного заряда -- n+ -p silicon solar cell -- n+ -p кремнієвий сонячний елемент -- n+ -p кремниевый солнечный элемент -- semiconductor structures -- напівпровідникові структури -- полупроводниковые структуры
Анотація: Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна стоврити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки дозволяє досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в заборонені зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено методом чисельного моделювання, який дозволяє отримати світлові вольт-амперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично, можливо отримати, підвищення ефективності на 1-2% за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10-12% (внаслідок обмеження інжекції в р-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) повинен бути розташованим поблизу базової області.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\5.pdf

Дод.точки доступу:
Skryshevsky, V. A.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)