Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

у знайденому

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (19)

Мережеві ресурси (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=НАПІВПРОВІДНИКИ<.>

Загальна кількість знайдених документів : 18
Показані документи с 1 за 10

1-10 11-18

Баранський, П. I.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Васильев, Игорь.
Мощные высоковольтные полупроводники от IXYS в SMD-корпусах / И. Васильев // Радиоаматор. - 2013. - № 6. - С. 27 : ил. - (Электронные компоненты). - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ

ДРНТІ	47
УДК	621.38

Рубрики: Электроника
Електроніка
Кл.слова (ненормовані):
высоковольтные полупроводники -- високовольтні напівпровідники -- силовые полупроводники -- силові напівпровідники
Анотація: О запуске полупроводников в силовых полупроводниковых приборах с более высоким напряжением для энергоэффективных продуктов в корпусах с более высоким током утечки.

Утримувачі документа:
КРУ "Универсальная научная библиотека им. И. Я. Франко" : 95017

Знайти схожі

Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В. П. Семиноженко [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 89-95 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Фізика
   Фізика напівпровідників і діелектриків
Кл.слова (ненормовані):
материаловедение -- матеріалознавство -- электролюминесцентные гетероструктуры -- електролюмінесцентні гетероструктури -- полидиктилфлуорены -- полідіктілфлуорени -- градиентные квантовые точки -- градієнтні квантові точки -- полупроводники -- напівпровідники -- диэлектрики -- діелектрики -- OLED-структуры -- OLED-структури -- электролюминесцентные излучатели -- електролюмінесцентні випромінювачі
Анотація: Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПИ"

Дод.точки доступу:
Семиноженко, В. П. (академик НАН Украины); Матвиенко, О. О.; Крыжановская, А. С.; Саввин, Ю. Н.; Погорелова, Н. В.; Ващенко, В. В.; Толмачев, О. В. (член-корреспондент НАН Украины)

Знайти схожі

Савкіна, Р. К.
Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 7. - С. 70-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Фізика
   Загальні питання фізики
   Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормовані):
ультразвукова кавітація -- оптоелектроніка -- напівпровідники -- кріогенна рідина -- кавітаційні порожнини -- фоточутливість -- кремній -- акустична кавітація -- ультразвуковая кавитация -- оптоэлектроника -- полупроводники -- криогенная жидкость -- кавитационные полости -- фоточувствительность -- кремний -- акустическая кавитация
Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см²), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.

Дод.точки доступу:
Смірнов, О. Б.

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 6. - С. 68-73 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Фізика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
   Физика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

Кулышев, А. М.
Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов [Текст] / А. М. Кулышев, И. Д. Черникова, Н. Г. Черников // Вісник Східноукраїнського національного університету ім. Володимира Даля. - 2016. - № 2. - С. 112-123 : рис. - Библиогр. в конце ст.

УДК

535.247:535.243

Рубрики: Оптика
Фотометрия
Фотометрія
Кл.слова (ненормовані):
фотоэмиссия -- фотоемісія -- квантовый выход -- квантовий вихід -- распределение электронов по энергиям -- розподіл електронів по енергіях -- спектральный анализ -- спектральний аналіз -- работа выхода -- робота виходу -- загиб зон -- загин зон -- полупроводники -- напівпровідники -- полупроводниковые фотодетекторы -- напівпровідникові фотодетектори

Дод.точки доступу:
Черникова, И. Д.; Черников, Н. Г.

Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1)
Вільні: ЧЗНЛ (1)

Знайти схожі

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод
Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А^ІІВ^VI, А^IIIВ^V та А^IVВ^VI. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.

Дод.точки доступу:
Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Tonkoshkur, A. S.
Size effects in electrical properties of carbon-polypropylene composites [Text] / A. S. Tonkoshkur, A. Yu. Lyashkov, A. V. Degtyaryov // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 1013-1021 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 1019-1020 (50 назв)

УДК

621.315.5

Рубрики: Фізика
   Физика
   Провідники і напівпровідники з вигляду матеріалу
   Проводники и полупроводники по виду материала
Кл.слова (ненормовані):
composite -- carbon filler -- conductivity -- dielectric permittivity -- interphase layer -- композит -- діелектричні спектри композитів -- композити на основі поліпропілену -- вуглецевий наповнювач -- провідність -- діелектрична проникність -- міжфазний шар -- діелектрічні спектри композітів -- композити на основе поліпропілену
Анотація: Наведено температурні залежності опору, вольт-амперні характеристики й діелектричні спектри композитів на основі поліпропілену й наповнювачів з мікро- і нанорозмірних вуглецевих частинок. Зменшення середнього розміру частинок провідникового наповнювача при інших однакових умовах приводить до зменшення абсолютних значень питомого електричного опору; зсуву позисторної ділянки вольтамперної характеристики убік меншої напруженості електричного поля й більших струмів і зростання низькочастотної діелектричної проникності досліджених композитів. Показано, що однією з інтерпретацій прояву такого "розмірного" ефекту можуть бути уявлення про збільшення ефективної об'ємної долі провіднкового наповнювача внаслідок існування в поліпропіленовій матриці міжфазного прикордонного шару з відмінними від об'ємного поліпропілену електричними властивостями, у якому можливе переміщення носіїв заряду. Тобто зміни розміру частинок вуглецю ведуть до зміни питомої поверхні та ефективної долі провідникового наповнювача.

Дод.точки доступу:
Lyashkov, A. Yu.; Degtyaryov, A. V.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Стахіра, Й. М.
Структурні зміни у системі електронних станів шаруватого кристала, деформованого зсувом шарів / Й. М. Стахіра, Р. Й. Стахіра // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1016-1022 : рис. 1. - Бібліогр.: с. 1021 (10 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Напівпровідники
   Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
п'єзофотопровідність -- пьезофотопроводимость -- шаруваті кристали -- слоистые кристаллы -- деформація зсуву -- деформация сдвига -- зміна періодичності -- смена периодичности -- зміщення шарів -- смещение слоев
Анотація: Проаналізовано зміни структури електронних станів шаруватих кристалів, які зумовлені деформацією кристала, що приводить до відносного зсуву шарів. Показано, що така деформація силою, яка має гармонічну складову низької частоти, приводить до дискретної зміни періоду гратки і часткового зняття виродження енергій електронних станів. Просторово-часове деформаційне збурення приводить до зняття виродження енергій, хвильові вектори яких мають компоненту, нормальну до площини шарів і рівну компоненті періоду оберненої гратки деформованого кристала у цьому напрямку, і розриву функціональної залежності енергії від такої компоненти. У межах окремого періоду зняття виродження енергії відбувається в різні ексклюзивні моменти часу, в які період гратки у напряму зсуву є кратним величинам зсуву. Енергії цього інтервалу можуть бути ідентифіковані радіотехнічними методами за моментами часу різкої зміни густини електронних станів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\2.pdf

Дод.точки доступу:
Стахіра, Р. Й.

Знайти схожі

10.

Tursunov, I. G.
Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
deformation -- методи деформації -- методы деформации -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- hydrostatic pressure -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- параметры глубокого уровня -- параметри глибокого рівня -- компенсовані напівпровідники -- компенсованніе полупроводники -- надкомпенсовані напівпровідники -- надкомпенсованные полупроводники
Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf

Знайти схожі

1-10 11-18

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)