Головна
Авторизація
Прізвище
№ читательского билета
 

Бази даних


Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
у знайденому
 Знайдено у інших БД:Каталог книг (1501)Каталог книг НМетАУ (до 2022 року) (23)Періодичні видання (друковані) (31)Рідкісні та цінні видання (3)Мережеві ресурси (15)
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>DP=201805$<.>
Загальна кількість знайдених документів : 551
Показані документи с 1 за 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


    Вергунов, Віктор Анатолійович (доктор сільськогосподарських наук; професор; академік НААН; заслужений працівник сільського господарства України; директор Національної наукової сільськогосподарської бібліотеки НААН).
    80-річний ювілей доктора сільськогосподарських та економічних наук, професора - Власова Володимира Івановича [Текст] / В. А. Вергунов // Економіка АПК : міжнародний науково-виробничий журнал . - 2018. - № 3. - С. 114-115. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
ББК 65.32
Рубрики: Економіка
   Экономика

   Економіка сільського господарства

   Экономика сельского хозяйства

   Україна
    Украина

Кл.слова (ненормовані):
аграрна наука -- аграрная наука -- економічна наука -- экономическая наука -- аграрна економіка -- аграрная экономика -- вчені-аграрники -- ученые-аграрники -- економісти-аграрники -- экономисты-аграрники -- наукова діяльність -- научная деятельность
Анотація: Вітання з нагоди 80-річчя від дня народження Володимиру Івановичу Власову, доктору сільськогосподарських та економічних наук, професору, заслуженому діячу науки і техніки України.

Перейти к внешнему ресурсу: текст статьи
Утримувачі документа:
КЗК ДОУНБ

Дод.точки доступу:
Власов, Володимир Іванович (доктор економічних наук; доктор сільськогосподарських наук; професор; заслужений діяч науки і техніки України ; 1938 -) \о нем\

Знайти схожі

2.


    Kozinetz, A. V.
    Amorphous submicron layer in deplation region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 37-47 : рис. 8, табл. 1. - Бібліогр.: с. 45-47 (37 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Будова матерії

   Строение материи

Кл.слова (ненормовані):
amorphized layer -- аморфізований шар -- аморфизированный слой -- space charge region -- область просторового заряду -- область пространственного заряда -- n+ -p silicon solar cell -- n+ -p кремнієвий сонячний елемент -- n+ -p кремниевый солнечный элемент -- semiconductor structures -- напівпровідникові структури -- полупроводниковые структуры
Анотація: Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна стоврити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки дозволяє досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в заборонені зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено методом чисельного моделювання, який дозволяє отримати світлові вольт-амперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично, можливо отримати, підвищення ефективності на 1-2% за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10-12% (внаслідок обмеження інжекції в р-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) повинен бути розташованим поблизу базової області.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\5.pdf

Дод.точки доступу:
Skryshevsky, V. A.

Знайти схожі

3.


    Trubaieva, O. G.
    Band gap change of bulk ZnSxSe1-x semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 32-36 : рис. 4, табл. 1. - Бібліогр.: с. 35-36 (28 назв.). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Оптичні властивості і спектри

   Оптические свойства и спектры

Кл.слова (ненормовані):
ZnSxSe1-x -- bulk crystals -- об'ємні кристали -- обьемные кристаллы -- direct transitions -- прямі переходи -- прямые переходы -- indirect transitions -- непрямі переходи -- непрямые переходы -- band gap -- заборонена зона -- запрещенная зона
Анотація: Об'ємні кристали ZnSxSe1-x були вирощені за методом Бриджмена-Стокбаргера. Прозорість зразків ZnSxSe1-x становила від 67% до 56% на ? = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якість кристалів. Оптичні експерименти показали відсутність нових станів з включенням сірки, заборонена зона безперервно рухається зі складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1-x кристала варіювалася від 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходів і від 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\4.pdf

Дод.точки доступу:
Lalayants, A. I.; Chaika, M. A.

Знайти схожі

4.


    Morozovska, A. N.
    Dependence of soft phonon spectra on flexoelectric coupling in ferroelectrics [Text] / A. N. Morozovska, C. M. Scherbakov, M. D. Glinchuk // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 2. - P. 172-173 : рис. 2. - Бібліогр.: с. 172-173 (34 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Будова матерії

   Строение материи

Кл.слова (ненормовані):
Landau-Ginzburg-Devonshire theory -- теорія Ландау-Гінзбург-Девоншира -- Ландау-Гінзбург-Девоншира теорія -- теория Ландау-Гинзбург-Девоншира -- Ландау-Гинзбург-Девоншира теория -- flexoelectric coupling -- флексоелектричний зв'язок -- флексоэлектрическая связь -- soft phonon modes -- м'які фононні моди -- мягкие фононные моды -- dynamic equations -- динамічні рівняння -- динамические уравнения
Анотація: Проаналізовано аналітичні вирази для частотної дисперсії м'яких поперечних акустичних (ТА) та оптичних (ТО) фононних мод залежно від величини константи флексоелектричного зв'язку у одновісних сегнетоелектриках та виявили критичну поведінку ТА моди в залежності від константи флексо-електричного зв'язку.


Дод.точки доступу:
Scherbakov, C. M.; Glinchuk, M. D.

Знайти схожі

5.


    Самоварова, Марія.
    Girl Gone Wild [Текст] : оповідання / М. Самоварова // Однокласник. - 2018. - № 4. - С. 22. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Художня література
   Художественная литература

Кл.слова (ненормовані):
українська література -- украинская литература -- прозові твори -- прозаические произведения -- оповідання -- повести -- тема шкільного життя -- тема школьной жизни
Анотація: Про одну дівчину, яка ходила до школи і на все мала свою думку...

Є примірники у відділах:
ЦДБ(ф. 34) (15.05.2018р. (1 прим.) - Б.ц.) - вільні 1

Знайти схожі

6.


    Strikha, M. V.
    Influence оf domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors' review) / M. V. Strikha // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - P. 48-68. - Бібліогр.: с. 66-68 (69 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Будова матерії

   Строение материи

Кл.слова (ненормовані):
graphene-on-ferroelectric structure -- графенова сегнетоелектрична структура -- графеновая сегнетоэлектрическая структура -- domain structure -- доменна структура -- доменная структура -- conductance -- провідність -- проводимость -- field effect transistor -- польовий транзистор -- полевой транзистор
Анотація: Огляд присвячено останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянутий аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику, з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Аналізуються аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності p-n переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуті випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорюється вплив розмірних ефектів у таких системах та можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_жур\Укр_фізич_журн_2018_1\6.pdf

Дод.точки доступу:
Kurchak, A. I.; Morozovska, A. N.

Знайти схожі

7.


    Gnatenko, Kh. P.
    Length in a noncommutative phase space [Text] / Kh. P. Gnatenko // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 2. - P. 102-109. - Бібліогр.: с. 108-109 (34 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
Рубрики: Фізика
   Физика

   Основні теорії (принципи) фізики

   Основные теории (принципы) физики

Кл.слова (ненормовані):
noncommutative phase space -- некомутативний фазовий простір -- некоммутативное фазовое пространство -- minimal length -- мінімальна довжина -- минимальная длина -- uncertainty relations -- співвідношенння невизначеностей -- соотношение неопределенностей -- length in the coordinate space -- довжина в координатному просторі -- длина в координатном пространстве
Анотація: Вивчено обмеження на довжину у некомутативному фазовому просторі, зумовлені некомутативністю. Розглядаються співвідношення невизначеностей для координат та імпульсів та знаходиться нижня межа для довжини. Розглянуто задачу на знаходження власних значень оператора квадрата довжини та отримано вираз для мінімальної довжини у некомутативному фазовому просторі.


Дод.точки доступу:
Tkachuk, V. M.

Знайти схожі

8.


    Шумилин, Сергей.
    Leopard 2 для Бундесвера : модернизации после окончания серийного производства / С. Шумилин // Наука и техника : журнал для перспективной молодежи. - 2018. - № 4. - С. 57-63. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ
УДК
Рубрики: Військова техніка
   Военная техника

   Танки

   Німеччина
    Германия

Кл.слова (ненормовані):
Leopard 2 A5 -- Leopard 2 A6 -- Leopard 2 A7 -- Leopard 2 A7V -- технічна характеристика танків -- техническая характеристика танков -- бронированные ремонтно-эвакуационные машины -- броньовані ремонтно-евакуаційні машини -- броньовані інженерні машини -- бронированные инженерные машины -- силові установки танків -- силовые установки танков -- мостоукладчики -- мостоукладники -- Bergepanzer 3 Buffel -- Pionierpanzer 3 (PiPz 3) Kodiak -- Panzerschnellbracke 2 Leguan
Анотація: Мова йде про створення модернізованих моделей танка Leopard 2, які були оснащені ще більш удосконаленими сиситемами та вузлами. З метою обрати найбільш оптимальний в Німеччині було запущено кілька проектів, за результатами яких і планувалося визначити вигляд майбутньго німецького танка.

Утримувачі документа:
Сумська міська центральна бібліотека ім. Т. Шевченка

Дод.точки доступу:
KWS І, проект з модернізації танка leopard 2 \о нем\; KWS III, проэкт по модернизации танка Leopard 2 \о нем\; Краусс-Маффей Вегманн, німецька компанія \о нем\; Німецька фірма "Краусс-Маффей Вегманн" \о ней\; Бундесвер, вооруженные силы Германии \о них\; Збройні сили Німеччини "Бундесвер" \о них\

Знайти схожі

9.


   
    OnCap BIO и OnColor BIO от PolyOne [Текст] // Упаковка : журнал для виробників та споживачів тари і упаковки. - 2018. - № 2. - С. 25 : цв.ил. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
ББК 37.8
Рубрики: Полиграфическая промышленность
   Типографское дело в целом

   Поліграфічна промисловість

   Друкарська справа в цілому

Кл.слова (ненормовані):
упаковочные материалы -- пакувальні матеріали -- упаковочное производство -- пакувальне виробництво -- виды упаковки -- види упаковки -- биополимерные материалы -- біополімерні матеріали -- специальные концентрированные добавки -- спеціальні концентровані добавки -- концентраты красителей -- концентрати барвників -- OnCap BIO -- OnColor BIO
Анотація: Речь идет о специальных концентрированных добавках и красителях для сохранения высоких стандартов качества биополимерных материалов.

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

10.


   
    Pack Studios - новий стандарт співробітництва [Текст] // Упаковка : журнал для виробників та споживачів тари і упаковки. - 2018. - № 2. - С. 28-29 : цв.ил. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ
УДК
ББК 37.8
Рубрики: Полиграфическая промышленность
   Типографское дело в целом

   Поліграфічна промисловість

   Друкарська справа в цілому

Кл.слова (ненормовані):
упаковочные материалы -- пакувальні матеріали -- упаковочное производство -- пакувальне виробництво -- виды упаковки -- види упаковки -- інноваційна пакувальна продуція -- инновационная упаковочная продукция -- компанії -- компании
Анотація: Мов йде про організацію роботи компанії Pack Studios по виробництву інноваційної упаковки.


Дод.точки доступу:
Pack Studios, компанія \о ней\
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)