Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

у знайденому

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (19)

Мережеві ресурси (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=НАПІВПРОВІДНИКИ<.>

Загальна кількість знайдених документів : 18
Показані документи с 1 за 10

1-10 11-18

Баранський, П. I.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В. П. Семиноженко [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 1. - С. 89-95 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ . - ISSN 1025-6415

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Фізика
   Фізика напівпровідників і діелектриків
Кл.слова (ненормовані):
материаловедение -- матеріалознавство -- электролюминесцентные гетероструктуры -- електролюмінесцентні гетероструктури -- полидиктилфлуорены -- полідіктілфлуорени -- градиентные квантовые точки -- градієнтні квантові точки -- полупроводники -- напівпровідники -- диэлектрики -- діелектрики -- OLED-структуры -- OLED-структури -- электролюминесцентные излучатели -- електролюмінесцентні випромінювачі
Анотація: Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПИ"

Дод.точки доступу:
Семиноженко, В. П. (академик НАН Украины); Матвиенко, О. О.; Крыжановская, А. С.; Саввин, Ю. Н.; Погорелова, Н. В.; Ващенко, В. В.; Толмачев, О. В. (член-корреспондент НАН Украины)

Знайти схожі

Васильев, Игорь.
Мощные высоковольтные полупроводники от IXYS в SMD-корпусах / И. Васильев // Радиоаматор. - 2013. - № 6. - С. 27 : ил. - (Электронные компоненты). - В ОБЛ. БИБЛИОТЕКЕ

ДРНТІ	47
УДК	621.38

Рубрики: Электроника
Електроніка
Кл.слова (ненормовані):
высоковольтные полупроводники -- високовольтні напівпровідники -- силовые полупроводники -- силові напівпровідники
Анотація: О запуске полупроводников в силовых полупроводниковых приборах с более высоким напряжением для энергоэффективных продуктов в корпусах с более высоким током утечки.

Утримувачі документа:
КРУ "Универсальная научная библиотека им. И. Я. Франко" : 95017

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 6. - С. 68-73 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Фізика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
   Физика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

Савкіна, Р. К.
Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної Академії наук України : Науково-теоретичний журнал. - 2015. - № 7. - С. 70-78 : ил. - Бібліогр. в кінці ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Фізика
   Загальні питання фізики
   Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормовані):
ультразвукова кавітація -- оптоелектроніка -- напівпровідники -- кріогенна рідина -- кавітаційні порожнини -- фоточутливість -- кремній -- акустична кавітація -- ультразвуковая кавитация -- оптоэлектроника -- полупроводники -- криогенная жидкость -- кавитационные полости -- фоточувствительность -- кремний -- акустическая кавитация
Анотація: Наведено результати комплексних досліджень наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si i GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1-6 МГц, 15 Вт/см²), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.

Дод.точки доступу:
Смірнов, О. Б.

Знайти схожі

Tonkoshkur, A. S.
Size effects in electrical properties of carbon-polypropylene composites [Text] / A. S. Tonkoshkur, A. Yu. Lyashkov, A. V. Degtyaryov // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 1013-1021 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 1019-1020 (50 назв)

УДК

621.315.5

Рубрики: Фізика
   Физика
   Провідники і напівпровідники з вигляду матеріалу
   Проводники и полупроводники по виду материала
Кл.слова (ненормовані):
composite -- carbon filler -- conductivity -- dielectric permittivity -- interphase layer -- композит -- діелектричні спектри композитів -- композити на основі поліпропілену -- вуглецевий наповнювач -- провідність -- діелектрична проникність -- міжфазний шар -- діелектрічні спектри композітів -- композити на основе поліпропілену
Анотація: Наведено температурні залежності опору, вольт-амперні характеристики й діелектричні спектри композитів на основі поліпропілену й наповнювачів з мікро- і нанорозмірних вуглецевих частинок. Зменшення середнього розміру частинок провідникового наповнювача при інших однакових умовах приводить до зменшення абсолютних значень питомого електричного опору; зсуву позисторної ділянки вольтамперної характеристики убік меншої напруженості електричного поля й більших струмів і зростання низькочастотної діелектричної проникності досліджених композитів. Показано, що однією з інтерпретацій прояву такого "розмірного" ефекту можуть бути уявлення про збільшення ефективної об'ємної долі провіднкового наповнювача внаслідок існування в поліпропіленовій матриці міжфазного прикордонного шару з відмінними від об'ємного поліпропілену електричними властивостями, у якому можливе переміщення носіїв заряду. Тобто зміни розміру частинок вуглецю ведуть до зміни питомої поверхні та ефективної долі провідникового наповнювача.

Дод.точки доступу:
Lyashkov, A. Yu.; Degtyaryov, A. V.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод
Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А^ІІВ^VI, А^IIIВ^V та А^IVВ^VI. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.

Дод.точки доступу:
Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Кулышев, А. М.
Влияние состояния поверхности полупроводников на работу фотодетекторов [Текст] / А. М. Кулышев, И. Д. Черникова, Н. Г. Черников // Вісник Східноукраїнського національного університету ім. Володимира Даля. - 2016. - № 2. - С. 112-123 : рис. - Библиогр. в конце ст.

УДК

535.247:535.243

Рубрики: Оптика
Фотометрия
Фотометрія
Кл.слова (ненормовані):
фотоэмиссия -- фотоемісія -- квантовый выход -- квантовий вихід -- распределение электронов по энергиям -- розподіл електронів по енергіях -- спектральный анализ -- спектральний аналіз -- работа выхода -- робота виходу -- загиб зон -- загин зон -- полупроводники -- напівпровідники -- полупроводниковые фотодетекторы -- напівпровідникові фотодетектори

Дод.точки доступу:
Черникова, И. Д.; Черников, Н. Г.

Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗНЛ (1)
Вільні: ЧЗНЛ (1)

Знайти схожі

Flexoelectric effect impact on the hysteretic dynamics of the local electromechanical response of mixed ionic-electronic conductors / A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - Р. 326-334 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 333-334 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
flexoelectric effect -- mixed ionic-electronic moderate conductors -- thin films -- nanoparticles -- electrochemical strain microscopy -- флексоелектричний ефект -- флексоэлектрический эффект -- напівпровідники з іонно-електронною провідністю -- наполупроводники с ионно-электронной проводимостью -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- наночастинки -- наночастички -- електромеханічна деформаційна мікроскопія -- электромеханическая деформационная микроскопия
Анотація: Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, зпричинених флексоефектом є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. В статті аналізуються відповідні механізми, які регулюють зміни концентрата зміщення (розширення Вегадра, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів і інших зовнішніх умов. Чисельне моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, і до появи складних скручених петель гістерезису.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\7.pdf

Дод.точки доступу:
Morozovska, A. N.; Glinchuk, M. D.; Varenyk, O. V.; Udod, A.; Scherbakov, C. M.; Kalinin, S. V.

Знайти схожі

10.

Бойчук, В. І.
Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. І. Бойчук // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Напівпровідники
   Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
квантові точки -- надгратки -- електронні стани -- мінізона -- електрична провідність -- квантовые точки -- сверхрешетки -- электронные состояния -- минизоны -- электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf

Дод.точки доступу:
Білинський, І. В.; Пазюк, Р. І.

Знайти схожі

1-10 11-18

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)