Наукова бібліотека Українського державного університету науки і технологій

Головна

Бази даних

Статті, доповіді, тези- результати пошуку

Вид пошуку

Каталог книг

Каталог книг НМетАУ (до 2022 року)

Періодичні видання (друковані)

Статті, доповіді, тези

Рідкісні та цінні видання

Охоронні документи

Мережеві ресурси

Зона пошуку

у знайденому

Знайдено у інших БД:

Каталог книг (19)

Мережеві ресурси (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=НАПІВПРОВІДНИКИ<.>

Загальна кількість знайдених документів : 18
Показані документи с 1 за 10

1-10 11-18

Flexoelectric effect impact on the hysteretic dynamics of the local electromechanical response of mixed ionic-electronic conductors / A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - Р. 326-334 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 333-334 (43 назви). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
flexoelectric effect -- mixed ionic-electronic moderate conductors -- thin films -- nanoparticles -- electrochemical strain microscopy -- флексоелектричний ефект -- флексоэлектрический эффект -- напівпровідники з іонно-електронною провідністю -- наполупроводники с ионно-электронной проводимостью -- тонкі плівки -- тонкие пленки -- наночастинки -- наночастички -- електромеханічна деформаційна мікроскопія -- электромеханическая деформационная микроскопия
Анотація: Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, зпричинених флексоефектом є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. В статті аналізуються відповідні механізми, які регулюють зміни концентрата зміщення (розширення Вегадра, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів і інших зовнішніх умов. Чисельне моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, і до появи складних скручених петель гістерезису.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\7.pdf

Дод.точки доступу:
Morozovska, A. N.; Glinchuk, M. D.; Varenyk, O. V.; Udod, A.; Scherbakov, C. M.; Kalinin, S. V.

Знайти схожі

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors [Text] / I. V. Horichok, H. Ya. Hurhula // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 997-1012 : табл. 7. - Бібліогр.: с. 1010-1012 (75 назв)

УДК

539.2

Рубрики: Фізика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Фізика твердого тіла. Кристалографія в цілому
Кл.слова (ненормовані):
semiconductors -- point defects -- defect formation energy -- Huckel method -- напівпровідники -- точкові дефекти -- енергія появи дефектів -- метод Хюккеля -- Хюккеля метод
Анотація: Використовуючи розширений метод Хюккеля, а також методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах А^ІІВ^VI, А^IIIВ^V та А^IVВ^VI. Встановлена кореляція отриманих значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчать про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.

Дод.точки доступу:
Horichok, I. V.; Hurhula, H. Ya.; Prokopiv, V. V.; Pylyponiuk, M. A.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Tonkoshkur, A. S.
Size effects in electrical properties of carbon-polypropylene composites [Text] / A. S. Tonkoshkur, A. Yu. Lyashkov, A. V. Degtyaryov // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 1013-1021 : рис. 7. - Бібліогр.: с. 1019-1020 (50 назв)

УДК

621.315.5

Рубрики: Фізика
   Физика
   Провідники і напівпровідники з вигляду матеріалу
   Проводники и полупроводники по виду материала
Кл.слова (ненормовані):
composite -- carbon filler -- conductivity -- dielectric permittivity -- interphase layer -- композит -- діелектричні спектри композитів -- композити на основі поліпропілену -- вуглецевий наповнювач -- провідність -- діелектрична проникність -- міжфазний шар -- діелектрічні спектри композітів -- композити на основе поліпропілену
Анотація: Наведено температурні залежності опору, вольт-амперні характеристики й діелектричні спектри композитів на основі поліпропілену й наповнювачів з мікро- і нанорозмірних вуглецевих частинок. Зменшення середнього розміру частинок провідникового наповнювача при інших однакових умовах приводить до зменшення абсолютних значень питомого електричного опору; зсуву позисторної ділянки вольтамперної характеристики убік меншої напруженості електричного поля й більших струмів і зростання низькочастотної діелектричної проникності досліджених композитів. Показано, що однією з інтерпретацій прояву такого "розмірного" ефекту можуть бути уявлення про збільшення ефективної об'ємної долі провіднкового наповнювача внаслідок існування в поліпропіленовій матриці міжфазного прикордонного шару з відмінними від об'ємного поліпропілену електричними властивостями, у якому можливе переміщення носіїв заряду. Тобто зміни розміру частинок вуглецю ведуть до зміни питомої поверхні та ефективної долі провідникового наповнювача.

Дод.точки доступу:
Lyashkov, A. Yu.; Degtyaryov, A. V.

Є примірники у відділах:
ЧЗНЛ Прим. 1 - (вільний)

Знайти схожі

Tursunov, I. G.
Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Бібліогр.: с. 1036 (6 назв). - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

539

Рубрики: Фізика
   Физика
   Будова матерії
   Строение материи
Кл.слова (ненормовані):
deformation -- методи деформації -- методы деформации -- impurities -- домішки -- примеси -- strain resistance -- стійкість до опору -- сопротивление деформации -- hydrostatic pressure -- гідростатичний тиск -- гидростатическое давление -- параметры глубокого уровня -- параметри глибокого рівня -- компенсовані напівпровідники -- компенсованніе полупроводники -- надкомпенсовані напівпровідники -- надкомпенсованные полупроводники
Анотація: Пропонуються методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках р-типу Si : Ni та n-типу Si : Mn при однорідному імпульсному гідростатичному стискуванні (ОГС). Встановлено, що р-типу Si : Ni зразках енергія іонізації Ni при ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si : Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_12\4.pdf

Знайти схожі

Zharkikh, Yu. S.
Conception of the Kelvin method on the basis of a mechanic-electrical transformation / Yu. S. Zharkikh, S. V. Lysochenko // Український фізичний журнал : науковий журнал. - 2018. - Т. 63, № 3. - P. 269-275 : рис. 4. - Бібліогр.: с. 274-275 (26 назв)

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Полупроводники
   Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
nondestructive testing -- неруйнівний контроль -- неразрушающий контроль -- Kelvin method -- метод Кельвіна -- Кельвіна метод -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- contact potential difference -- контактна різниця потенціалів -- контактная разница потенциалов -- surface charge measurements -- вимірювання поверхневого заряду -- измерения поверхностного заряда -- механіко-електричні перетворення -- механико-электрические преобразования
Анотація: Застосування методу Кельвіна грунтується на концепції перезарядки динамічного конденсатора під дією прикладеної контактної різниці потенціалів. В даній роботі звертається увага на те, що контактна різниця потенціалів не є таким самим фізичним чинником, як і різниця потенціалів, що виникає під дією електрорушійної сили. Вона не може діяти як звичайна електрична напруга і, відповідно, викликати електричний струм перезарядки конденсатора. Реальною причиною появи вимірюваного сигналу є перетворення механічної енергії руху електрода в енергію електричного струму. Струм у динамічному конденсаторі виникає внаслідок періодичних змін умов екранування електростатичних зарядів, що розташовані над досліджуваною поверхнею. Проведені експериментальні дослідження вимірюваного сигналу методом Кельвіна в залежності від кількості заряду на поверхні зразка показали, що інтерпретація результатів вимірювань можлива без застосування поняття роботи виходу з твердого тіла. З цієї причини метод Кельвіна успішно використовується у дослідженнях матеріалів, до яких поняття роботи виходу не може бути застосовано взагалі: органічні та біологічні матеріали, а також електроліти. Запропонований механізм виникнення сигналу в методі Кельвіна слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень як макроскопічних розподілів поверхневого заряду, так і в атомній силовій мікроскопії.

Дод.точки доступу:
Lysochenko, S. V.
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Баранський, П. I.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках / П. I. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69 : ил. - Библиогр. в конце ст. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕКІ . - ISSN 1025-6415

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Енергетика
   Напівпровідникові матеріали та вироби
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- физика -- багатодолинні напівпровідники -- многодолинные полупроводники -- напівпровідникові матеріали -- полупроводниковые материалы -- напівпровідникові вироби -- полупроводниковые изделия -- анізотропія -- анизотропия -- фонони -- фононы -- багатодолинні кристали -- многодолинные кристаллы
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах.

Утримувачі документа:
НТБ НТУ "ХПІ"

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Беспалова, Наталья.
Фуллерены на Земле и в Космосе [Текст] / Н. Беспалова // Наука и техника : журнал для перспективной молодежи. - 2018. - № 3. - С. 4-6. : ил. - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

524.527:539

Рубрики: Всесвіт
   Вселенная
   Фізична природа матерії
   Физическая природа материи
Кл.слова (ненормовані):
міжзоряна речовина -- межзвездное вещество -- межзвездное пространство -- міжзоряний простір -- космическая пыль -- космічний пил -- фуллерены -- фуллерени -- атомы углерода -- атоми вуглецю -- неорганические молекулы -- оксиды -- оксиди -- соединения водорода -- з'єднання водню -- соли -- солі -- фуллерен С60 -- фуллерен С70 -- углеродные соединения -- вуглецеві сполуки -- полупроводники -- напівпровідники
Анотація: Розглянуто хімічний склад міжзіркового простору. Зокрема, приділено увагу складним вуглецевим сполукам, які отримали назву фуллерени.

Утримувачі документа:
Сумська міська центральна бібліотека ім. Т. Шевченка

Дод.точки доступу:
Фуллер, Ричард Бакминстер (известный инженер и архитектор) \о нем\; Фуллер, Річард Бакмінстер (відомий інженер та архітектор) \о нем\; Гартман, Йоханнес Франц (немецкий астроном) \о нем\; Гартман, Йоханнес Франц (німецький астроном) \о нем\

Знайти схожі

Львівська політехніка (Л.)
Бойко, О. В.
Органічні оптичні сенсори фізичних величин / О. В. Бойко, З. Ю. Готра, А. В. Фечан // Вісник / Львів. політех. - Львів, 2020. - № 915: Радіоелектроніка та телекомунікації. - С. 56-65 : схем., а-рис. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

621.382

Рубрики: Електрозв'язок
Электросвязь
Кл.слова (ненормовані):
рідкі кристали -- жидкие кристаллы -- органічні напівпровідники -- органические полупроводники -- оптичні сенсори -- оптические сенсоры

Дод.точки доступу:
Готра, З. Ю.; Фечан, А. В.; Львівська політехніка(Л.)
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

Бойко, О.
Органічні оптичні сенсори фізичних величин / О. Бойко, З. Ю. Готра, А. В. Фечан // Вісник / Львів. політехн. - Львів, 2018. - № 909: Радіоелектроніка та телекомунікації. - С. 42-50 : рис. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

621.382

Рубрики: Електроніка
Электроника
Кл.слова (ненормовані):
рідкі кристали -- жидкие кристаллы -- органічні напівпровідники -- органические полупроводники -- оптичні сенсори -- оптические сенсоры

Дод.точки доступу:
Чухрай, Н. І. \ред.\; Готра, З. Ю.; Фечан, А. В.; Львівська політехніка(Львів)
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

10.

Бойчук, В. І.
Мінізонна електропровідність у надгратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. І. Бойчук // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 4. - С. 335-342 : рис. 5. - Бібліогр.: с. 340-342 (36 назв) . - В ОБЛ. БІБЛІОТЕЦІ

УДК

621.315.592

Рубрики: Фізика
   Физика
   Напівпровідники
   Полупроводники
Кл.слова (ненормовані):
квантові точки -- надгратки -- електронні стани -- мінізона -- електрична провідність -- квантовые точки -- сверхрешетки -- электронные состояния -- минизоны -- электрическая проводимость
Анотація: Досліджуються електричні властивості напівпровідникових наногетеросистем InAs/GaAs з 2D-надгратками сферичних квантових точок. Отримані залежності групової швидкості електронів від хвильового вектора та номера мінізони. Встановлено залежність рівня Фермі системи електронів в мінізонах від концентрації донорних домішок, енергії їх залягання та температури. Досліджено температурну залежність концентрації основних носіїв та електропровідності для різних значень концентрації та енергії залягання донорів.

Перейти к внешнему ресурсу: \\new\textlok\Укр_фізич_журн_2017_4\8.pdf

Дод.точки доступу:
Білинський, І. В.; Пазюк, Р. І.

Знайти схожі

1-10 11-18

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)